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ESD5302N-3/TR

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述: 5V 单向 56W 4A 14V 8V DFN-1006-3L
供应商型号: ESD5302N-3/TR
供应商: 国内现货
标准整包数: 10000
WILLSEMI/上海韦尔半导体 TVS二极管/ESD抑制器 ESD5302N-3/TR

ESD5302N-3/TR概述

    # ESD5302N:超低电容瞬态电压抑制器

    产品简介


    ESD5302N 是由 Will Semiconductor Ltd. 生产的一款超低电容瞬态电压抑制器(TVS),主要用于保护高速数据接口免受静电放电(ESD)的损害。该器件能够有效保护敏感电子组件,确保在数据线和传输线上的电子设备不会因过压而受损。
    主要功能
    - 高效保护数据和传输线路免受静电放电的损害
    - 超低电容设计,减少信号失真和延迟
    - 耐高压和高电流冲击,适用于多种接口标准
    应用领域
    - USB 2.0 和 USB 3.0 接口
    - HDMI 1.3 和 HDMI 1.4 接口
    - SATA 和 eSATA 接口
    - DVI 接口
    - IEEE 1394 接口
    - PCI Express 接口
    - 便携式电子设备和笔记本电脑

    技术参数


    - 最大耐压值:VRWM = 5.0V
    - 反向漏电流:IR < 100nA (VRWM = 5V)
    - 击穿电压:VBR (IT = 1mA) = 7.0V ~ 9.0V
    - 正向电压:VF (IT = 10mA) = 0.6V ~ 1.2V
    - 钳位电压:
    - IPP = 16A, tp = 100ns 时 VCL = 17.5V
    - IPP = 1A, tp = 8/20μs 时 VCL = 11V
    - IPP = 4A, tp = 8/20μs 时 VCL = 15V
    - 动态电阻:RDYN = 0.53Ω
    - 结电容:
    - VR = 0V, f = 1MHz 时 Pin1 或 Pin2 到 Pin3 的 CJ = 0.40pF ~ 0.65pF
    - VR = 0V, f = 1MHz 时 Pin1 和 Pin2 之间的 CJ = 0.25pF ~ 0.40pF

    产品特点和优势


    - 超低电容:CJ = 0.4pF,适用于高速数据传输
    - 超低漏电流:IR < 1nA,降低功耗并提升系统稳定性
    - 高效钳位电压:钳位电压低至 17.5V,保护电子设备免受高能量脉冲损害
    - 宽泛的工作温度范围:TJ = -55°C ~ 150°C,适用于各种严苛环境
    - 紧凑封装:DFN1006-3L 封装尺寸仅为 1.00mm x 0.60mm x 0.40mm,便于安装

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在 USB 接口中使用 ESD5302N 进行 ESD 保护,具体连接方式见图 1 和图 2。
    - 对于便携式电子设备,如笔记本电脑,该器件能够有效保护关键数据接口,提高设备的可靠性和耐用性。
    使用建议
    - 确保 TVS 器件的接地良好,以实现最佳的保护效果。
    - 在电路设计中,考虑 TVS 器件与数据线之间的匹配,以减少信号失真。
    - 遵循制造商推荐的 PCB 布局指南(图 2),优化布线以获得最佳的防护性能。

    兼容性和支持


    - ESD5302N 可以方便地集成到现有的高速数据接口设计中,兼容 USB、HDMI、SATA 等多种标准。
    - Will Semiconductor Ltd. 提供详尽的技术文档和应用指南,以支持客户在不同应用场景中的需求。
    - 厂商提供技术支持和售后服务,帮助解决客户的疑问和问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 如何确定 TVS 器件的工作电流?
    - 查看 TVS 器件的数据手册中的 IEC61000-4-5 参数,确定其能承受的最大峰值脉冲电流。
    2. 如何避免反向漏电流引起的误触发?
    - 选择具有更低漏电流的 TVS 器件,并确保良好的接地设计,从而减少误触发的可能性。
    3. 如何保证 ESD 器件的可靠性?
    - 定期检查和测试设备的电气性能,确保其符合设计要求。

    总结和推荐


    综合评估
    ESD5302N 是一款优秀的超低电容瞬态电压抑制器,具有极低的电容、漏电流和高效的钳位电压。它适用于高速数据接口的 ESD 保护,特别适合便携式电子设备和高性能计算平台。
    推荐结论
    - 强烈推荐将 ESD5302N 用于高速数据接口的保护,尤其在需要严苛 ESD 保护的应用中。
    - 通过遵循制造商推荐的设计指南和使用建议,用户可以充分发挥 ESD5302N 的潜力,提升系统的稳定性和可靠性。
    如果您有任何疑问或需要更多技术支持,请访问 [Will Semiconductor Ltd. 官方网站](http://www.sh-willsemi.com) 获取更多信息。

ESD5302N-3/TR参数

参数
峰值脉冲电流 4A
峰值脉冲功率 56W
极性 单向
工作电压 5V
箝位电压 14V
击穿电压 8V
通用封装 DFN-1006-3L
应用等级 工业级
零件状态 在售

ESD5302N-3/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

ESD5302N-3/TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WILLSEMI/上海韦尔半导体 TVS二极管/ESD抑制器 WILLSEMI/上海韦尔半导体 ESD5302N-3/TR ESD5302N-3/TR数据手册

ESD5302N-3/TR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10000+ ¥ 0.0828
30000+ ¥ 0.0792
50000+ ¥ 0.0778
140000+ ¥ 0.0742
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