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ZXTD4591E6TA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex NPN/PNP晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流1 A, 最大集电极-发射电压60 V
供应商型号: ZXTD4591E6TA
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
DIODES 三极管(BJT) ZXTD4591E6TA

ZXTD4591E6TA概述

    ZXTD4591E6 Complementary 60V NPN/PNP Medium Power Transistors

    1. 产品简介


    ZXTD4591E6 是一款互补式60V NPN/PNP中功率晶体管,采用SOT26封装。该产品广泛应用于电源管理、电机驱动和低功率直流到直流转换器等领域。其NPN和PNP组合提供了完整的双极型晶体管解决方案,适用于各种需要高效能和稳定性的电子系统。

    2. 技术参数


    - NPN晶体管
    - 集电极-基极击穿电压 (BVCBO): > 80V
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCEO): 60V
    - 发射极-基极击穿电压 (BVEBO): 7V
    - 脉冲峰值电流 (ICM): 2A
    - 持续集电极电流 (IC): 1A
    - 基极电流 (IB): 500mA
    - 饱和电压 (VCE(sat)): ≤0.5V @ 1A
    - 最小电流增益 (hFE): 100
    - 输出电容 (Cobo): ≤10pF @ 1.0MHz
    - 电流增益带宽积 (fT): 180MHz
    - PNP晶体管
    - 集电极-基极击穿电压 (BVCBO): > -80V
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCEO): -60V
    - 发射极-基极击穿电压 (BVEBO): -7V
    - 脉冲峰值电流 (ICM): -2A
    - 持续集电极电流 (IC): -1A
    - 基极电流 (IB): -500mA
    - 饱和电压 (VCE(sat)): ≤-0.6V @ -1A
    - 最小电流增益 (hFE): 100
    - 输出电容 (Cobo): ≤10pF @ 1.0MHz
    - 电流增益带宽积 (fT): 150MHz
    - 其他
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 热阻抗(结到环境):RθJA = 113°C/W
    - 防潮等级:1级(符合J-STD-020标准)

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:符合AEC-Q101标准,适用于高可靠性要求的应用场合。
    - 环保材料:无铅、完全符合RoHS标准,不含有卤素和锑化合物,满足“绿色”设备标准。
    - 高性能:饱和电压低(NPN≤0.5V, PNP≤-0.6V),电流增益高(最大可达300),适合于高速开关应用。
    - 机械结构:采用SOT26小型化封装,便于在紧凑的空间内安装。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - MOSFET栅极驱动:利用其快速的响应时间,提高电路的开关速度。
    - 低功耗电机驱动:在电机控制回路中用作驱动元件,提供稳定的电流控制。
    - 低功耗DC-DC转换器:用于电源转换,降低功耗,提升系统效率。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,确保散热设计足够良好,以避免过热导致的性能下降。
    - 对于大电流应用,建议使用更大的PCB铜箔和散热器来增强散热效果。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与其他电子元件和设备具有良好的兼容性,适用于多种电路设计。
    - 支持服务:Diodes Incorporated 提供详尽的技术支持和维护服务,帮助客户解决使用过程中遇到的各种问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 晶体管温度过高,影响正常工作。
    - 解决办法: 使用更大的散热片或增加散热风扇,确保良好的散热条件。

    - 问题2: 电流增益不稳定。
    - 解决办法: 检查输入信号频率是否超出额定范围,调整信号源的输出幅度和频率。

    - 问题3: 过压保护失效。
    - 解决办法: 检查电路中是否有额外的过压保护措施,如稳压二极管或保险丝。

    7. 总结和推荐


    总体而言,ZXTD4591E6是一款高性能、高可靠性的互补式晶体管,特别适合应用于需要低功耗、高效率的场合。其高饱和电压、低输出电容和快速响应等特点使其在众多应用中表现出色。强烈推荐用于需要高可靠性和良好散热性能的设计中。
    通过上述分析,我们可以看到ZXTD4591E6在多个方面都表现出色,是电子元器件市场中的优秀选择。

ZXTD4591E6TA参数

参数
集电极截止电流 100nA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 600mV@ 100mA,1A,500mV@ 100mA,1A
最大功率耗散 1.7W
VCBO-最大集电极基极电压 80V
晶体管类型 1 NPN,1 PNP
VEBO-最大发射极基极电压 7V
最大集电极发射极饱和电压 600mV@ 100mA,1A/0.5 @ 100mA,1A
配置
集电极电流 1A
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
3.1mm(Max)
1.8mm(Max)
1.45mm(Max)
通用封装 SOT-23-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTD4591E6TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTD4591E6TA数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTD4591E6TA ZXTD4591E6TA数据手册

ZXTD4591E6TA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 1.26
9000+ ¥ 1.239
15000+ ¥ 1.218
30000+ ¥ 1.1865
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起订量: 3000 增量: 3000
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