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ZXTN2040FTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 500mV@ 100mA,1A NPN 350mW 5V 100nA 40V 40V 1A SOT-23-3 贴片安装 2.9mm*1.3mm*1.03mm
供应商型号: ZXTN2040FTA
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
DIODES 三极管(BJT) ZXTN2040FTA

ZXTN2040FTA概述

    # ZXTN2040F 40V NPN Medium Power Planar Transistor 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    ZXTN2040F 是一款由 Diodes Incorporated 生产的40V NPN中功率平面晶体管,封装形式为SOT23。它具备高增益、大电流操作和低饱和电压的特点,适用于驱动功率MOSFET和低损耗电源开关应用。
    主要功能
    - 高增益和大电流操作:确保高效的信号传输和电源管理。
    - 低饱和电压:减少开关过程中的能量损失,提高整体能效。
    - 兼容绿色材料:符合RoHS、无卤素及锑的要求。
    应用领域
    - 功率MOSFET栅极驱动:用于各种电力控制电路。
    - 低损耗电源开关:适用于各种需要高效开关的应用场景。

    技术参数


    最大额定值(@TA = +25°C)
    - 集电极-基极电压:VCBO = 40V
    - 集电极-发射极电压:VCEO = 40V
    - 发射极-基极电压:VEBO = 6V
    - 连续集电极电流:IC = 1A
    - 脉冲峰值电流:ICM = 2A
    - 脉冲基极电流:IBM = 1A
    - 功率耗散(@TA = +25°C):PD = 310mW
    - 热阻,结到环境:RθJA = 403°C/W
    - 热阻,结到引脚:RθJL = 350°C/W
    - 工作温度范围:TJ,TSTG = -55至+150°C
    电气特性(@TA = +25°C)
    - 关断特性
    - 集电极-基极击穿电压:BVCBO = 40V
    - 集电极-发射极击穿电压:BVCEO = 40V
    - 发射极-基极击穿电压:BVEBO = 6V
    - 集电极发射极截止电流:ICES = 100nA
    - 集电极基极截止电流:ICBO = 100nA
    - 发射极基极截止电流:IEBO = 100nA
    - 导通特性
    - 静态前向电流转移比:hFE = 200~900
    - 集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = 500mV (IC = 1A)
    - 基极-发射极饱和电压:VBE(sat) = 1.1V (IC = 1A)
    - 基极-发射极导通电压:VBE(on) = 1.0V (IC = 1A)
    - 小信号特性
    - 转换频率:fT = 150MHz
    - 输出电容:Cobo = 10pF

    产品特点和优势


    独特功能
    - 高可靠性和环保:通过AEC-Q101标准认证,确保在恶劣环境下的可靠性;无铅且符合RoHS、无卤素及锑的要求。
    - 低能耗:由于低饱和电压,ZXTN2040F在开关过程中消耗的能量少,提高能效。
    - 广泛应用:广泛应用于功率MOSFET栅极驱动和低损耗电源开关,适应多种应用场景。
    市场竞争力
    - 多功能集成:集高增益、大电流操作和低饱和电压于一体,适合复杂多变的应用需求。
    - 绿色设计:采用环保材料制造,符合现代绿色设计趋势,有助于提升品牌形象。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    ZXTN2040F 可用于以下典型应用场景:
    - 电动车辆:用于电池管理系统中的电源开关,降低能耗。
    - 工业控制:在工业自动化系统中作为电机驱动器的开关元件。
    使用建议
    - 合理散热:尽管该晶体管具备一定的热稳定性,但在高电流或高频应用中仍需考虑良好的散热措施。
    - 匹配合适的PCB布局:根据推荐的SMD布局,使用高覆盖的铜层,以提高散热效果。

    兼容性和支持


    兼容性
    - ZXTN2040F 与多种SOT23封装的其他元件兼容,便于与现有电路集成。
    - 互补部分编号 ZXTP2041F 也可作为备选方案。
    支持和服务
    - Diodes Incorporated 提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线资源和客户技术支持。

    常见问题与解决方案


    问题与解决方案
    1. 问题:如何确定适当的散热措施?
    - 解决办法:查看手册中的散热图和计算公式,根据具体应用场景选择合适的散热方法。
    2. 问题:如何优化功率耗散?
    - 解决办法:在设计电路时合理配置电阻和电感,减少不必要的功耗。
    3. 问题:如何保证长期可靠运行?
    - 解决办法:定期检查电路连接,确保焊接点牢固可靠,并遵循手册中的建议工作温度范围。

    总结和推荐


    综合评估
    ZXTN2040F 是一款具有高可靠性和优异性能的晶体管。它的低饱和电压、高电流能力和环保设计使其成为多种应用场景的理想选择。无论是电动车辆还是工业自动化,该产品都能提供卓越的性能。
    推荐结论
    我们强烈推荐 ZXTN2040F 在需要高效功率管理和低能耗应用的场合中使用。其广泛的适用性和可靠的设计使其成为市场的有力竞争者。

ZXTN2040FTA参数

参数
集电极电流 1A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 100mA,1A
VCEO-集电极-发射极最大电压 40V
VCBO-最大集电极基极电压 40V
晶体管类型 NPN
最大集电极发射极饱和电压 500mV@ 100mA,1A
VEBO-最大发射极基极电压 5V
最大功率耗散 350mW
配置 独立式
集电极截止电流 100nA
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1.03mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTN2040FTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTN2040FTA数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTN2040FTA ZXTN2040FTA数据手册

ZXTN2040FTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.3277
6000+ ¥ 0.3164
12000+ ¥ 0.3164
24000+ ¥ 0.3051
库存: 18000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
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