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ZTX853

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 200mV@ 400mA,4A NPN 1.2W 6V 50nA 200V 100V 4A EP-3SC 导线安装,通孔安装 4.57mm*2.28mm*3.9mm
供应商型号: 30C-ZTX853 EP3SC
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZTX853

ZTX853概述

    ZTX853 NPN Silicon Planar Medium Power Transistor

    1. 产品简介


    ZTX853是一款NPN硅平面中功率晶体管,专为高电流应用设计。它主要用于电力控制、电机驱动、开关电源等领域,具有较高的电压耐受能力和低饱和电压。这款晶体管能够提供连续4安培的集电极电流和峰值10安培的集电极电流,非常适合需要高效能和可靠性的应用场合。

    2. 技术参数


    以下是ZTX853的主要技术参数:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
    |
    | 集电极-基极击穿电压 | 200 300 | V | IC=100μA |
    | 集电极-发射极击穿电压 | 200 300 | V | IC=1μA, RB≤1KΩ |
    | 集电极-发射极击穿电压 | 100 120 | V | IC=10mA |
    | 发射极-基极击穿电压 | 6 68 | V | IE=100μA |
    | 集电极截止电流 | 50nA | 1μA nA | VCB=150V |
    | 集电极截止电流 | 50nA | 1μA nA | VCB=150V, Tamb=100°C |
    | 发射极截止电流 | 10nA nA | VEB=6V |
    | 集电极-发射极饱和电压 | 14 | 100 | 200 | mV | IC=0.1A, IB=5mA |
    | 集电极-发射极饱和电压 | 160 | 50 | 150 | mV | IC=2A, IB=100mA |
    | 集电极-发射极饱和电压 | 200 mV | IC=4A, IB=400mA |
    | 基极-发射极饱和电压 | 960 | 1100 mV | IC=4A, IB=400mA |
    | 静态正向电流转移比 | 100 300 IC=10mA, VCE=2V |
    | 转换频率 | 130 MHz | IC=100mA, VCE=10V, f=50MHz |
    | 输出电容 | 35 pF | VCB=10V, f=1MHz |

    3. 产品特点和优势


    - 高电流承载能力:连续4安培的集电极电流和峰值10安培的集电极电流,使其适用于多种高电流应用。
    - 低饱和电压:饱和电压低至14mV,确保了高效的能量转换。
    - 宽工作温度范围:工作和存储温度范围从-55°C到+200°C,适合极端环境下的应用。
    - 可靠性高:绝对最大额定值高达200V的VCBO和100V的VCEO,确保了高可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    ZTX853广泛应用于各种电力控制系统和电机驱动系统中。例如,在电动工具中作为开关元件,可以有效控制高电流的输出。在电源转换器中,它可以用于降压或升压转换,确保系统的稳定运行。
    使用建议:
    - 在使用时应注意散热设计,以避免因过热而导致损坏。
    - 对于高频应用,需注意输出电容的影响。
    - 在选择外部电阻时,应根据具体应用要求来选择合适的阻值,以保证最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    ZTX853采用了E-Line TO92封装,兼容传统的TO92封装标准。制造商提供了详细的技术支持文档和样品服务,有助于客户更好地理解和应用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在使用过程中发现晶体管发热严重。
    - 解决办法:检查电路设计,确保良好的散热措施,如加装散热片或采用更大的PCB铜箔面积。

    - 问题2:输出信号不稳定。
    - 解决办法:检查输入信号和电源稳定性,确保电源电压和信号源无异常波动。

    7. 总结和推荐


    总体来看,ZTX853是一款高性能、高可靠性的NPN硅平面中功率晶体管,特别适合于高电流应用场合。其出色的电流承载能力和低饱和电压使得它在各种电力控制系统中表现出色。对于需要高可靠性和高效能的应用,我们强烈推荐使用ZTX853晶体管。

ZTX853参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 200mV@ 400mA,4A
配置 独立式
VCBO-最大集电极基极电压 200V
VEBO-最大发射极基极电压 6V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 200mV@ 400mA,4A
晶体管类型 NPN
VCEO-集电极-发射极最大电压 100V
最大功率耗散 1.2W
集电极截止电流 50nA
集电极电流 4A
长*宽*高 4.57mm*2.28mm*3.9mm
通用封装 EP-3SC
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

ZTX853厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX853数据手册

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ZTX853封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.85
100+ ¥ 3.08
1000+ ¥ 2.761
2000+ ¥ 2.596
4000+ ¥ 2.475
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