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ZTX953STZ

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 330mV@ 400mA,4A PNP 1.2W -6V 50nA -140V 100V 3.5A TO-92-3 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: UA-ZTX953STZ
供应商: 海外现货
标准整包数: 2000
DIODES 三极管(BJT) ZTX953STZ

ZTX953STZ概述

    ZTX953 PNP Silicon Planar Medium Power Transistor

    1. 产品简介


    ZTX953 是一款 PNP 硅平面中功率晶体管,适用于需要处理高电流的应用。它的主要功能包括极低的饱和电压、高达 10 安培的峰值电流以及优异的增益性能。这些特点使其广泛应用于工业控制、电源转换和驱动电机等领域。

    2. 技术参数


    以下为 ZTX953 的关键技术规格和性能参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 集电极-基极击穿电压 | -140 | -170 | V | IC=-100μA |
    | 集电极-发射极击穿电压 | -140 | -170 | V | IC=-1μA, RB ≤1KΩ |
    | 集电极-发射极击穿电压 | -100 | -120 | V | IC=-10mA |
    | 发射极-基极击穿电压 | -6 | -8 | V | IE=-100μA |
    | 集电极截止电流(VCB=-100V) | -50 | -1 | nA | VCB=-100V |
    | 集电极截止电流(VCB=-100V, Tamb=100°C) | -50 | -1 | nA | VCB=-100V |
    | 发射极截止电流(VEB=-6V) | -10 | nA
    | 集电极-发射极饱和电压(IC=-100mA, IB=-10mA) | -20 | -80 | mV |
    | 集电极-发射极饱和电压(IC=-1A, IB=-100mA) | -140 | -250 | mV |
    | 集电极-发射极饱和电压(IC=-2A, IB=-200mA) | -170 | -330 | mV |
    | 集电极-发射极饱和电压(IC=-4A, IB=-400mA) | -100 | -170 | mV |
    | 基极-发射极导通电压(IC=-4A, VCE=-1V) | -880 | -1100 | mV |
    | 静态前向电流转移比 | 100 300
    | 转换频率 | 125 | MHz | IC=-100mA, VCE=-10V |
    | 输出电容 | 65 | pF | VCB=-10V, f=1MHz |

    3. 产品特点和优势


    ZTX953 拥有以下独特功能和优势:
    - 极低的饱和电压:有助于降低功耗并提高效率。
    - 高达 10 安培的峰值电流:能够处理更大的负载需求。
    - 优异的增益性能:特别是在高电流条件下。
    - 支持 SPICE 模型:便于进行仿真和设计优化。

    4. 应用案例和使用建议


    ZTX953 可以用于多种应用场景,例如电机驱动电路、电源转换器和各种工业控制系统。以下是几种典型的应用场景:
    - 电机驱动电路:ZTX953 可以作为 H 桥的一部分,驱动直流电机,提供高电流输出。
    - 电源转换器:在某些开关模式电源设计中,ZTX953 可以用作开关元件,实现高效能的电源转换。
    - 工业控制系统:可以用于信号放大和逻辑控制,确保系统的稳定性和可靠性。
    使用建议:
    - 在使用时,确保 PCB 设计符合器件的散热要求。
    - 根据应用需求选择合适的偏置电阻,以保证正确的静态工作点。
    - 使用适当的热管理措施,确保在高电流下能有效散热。

    5. 兼容性和支持


    ZTX953 采用 TO92 封装,与同类器件具有良好的兼容性。制造商提供了详尽的技术支持,包括 SPICE 模型和应用笔记,以帮助用户进行设计和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    Q: 在高电流条件下,如何避免过热?
    A: 使用适当的散热片和风扇,确保良好的空气流动,减少热阻。同时,参考数据手册中的最大允许温度范围进行设计。
    Q: 如何优化增益性能?
    A: 通过合理设置偏置电阻,确保静态工作点正确,从而最大化增益。此外,尽量减少寄生电容的影响,提高频率响应。

    7. 总结和推荐


    综上所述,ZTX953 是一款高性能的 PNP 晶体管,具备低饱和电压、高电流能力和优异的增益性能。它在多种应用中表现出色,尤其是在需要处理大电流的应用中。强烈推荐在设计时考虑使用 ZTX953,特别是对于那些对效率和可靠性有严格要求的应用。

ZTX953STZ参数

参数
集电极电流 3.5A
最大集电极发射极饱和电压 330mV@ 400mA,4A
配置 独立式
VCBO-最大集电极基极电压 -140V
最大功率耗散 1.2W
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 330mV@ 400mA,4A
集电极截止电流 50nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 100V
晶体管类型 PNP
VEBO-最大发射极基极电压 -6V
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装,弹夹装

ZTX953STZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX953STZ数据手册

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