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ZTX415STZ

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 500mV@ 1mA,10mA NPN 雪崩模式 680mW 6V 100nA 260V 100V 500mA TO-92 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: 522-ZTX415STZ
供应商: Mouser
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZTX415STZ

ZTX415STZ概述

    ZTX415 NPN Silicon Planar Medium Power Transistor 技术手册



    产品简介



    ZTX415 是一款 NPN 硅平面中功率晶体管,专门设计用于雪崩模式操作。它具有高电压击穿能力和大电流承载能力,适用于多种工业和消费电子产品中的高可靠性应用。ZTX415 的主要功能包括:

    - 雪崩击穿功能
    - 最大峰值雪崩电流:60A(脉冲宽度 = 20ns)
    - 集电极-发射极电压(BVCES)> 260V
    - 集电极-发射极电压(BVCEO)> 100V


    技术参数



    - 电气特性:
    - 集电极-发射极击穿电压(BVCES):260V(IC=1mA)
    - 集电极-发射极击穿电压(BVCEO):100V(IC=100µA)
    - 发射极-基极击穿电压(BVEBO):6V(IE=100µA)
    - 静态正向电流传输比(hFE):25(IC=10mA,VCE=10V)

    - 热特性:
    - 功率耗散(PD):680mW
    - 结温到环境热阻(RθJA):250°C/W
    - 结温到引脚热阻(RθJL):197°C/W
    - 工作和存储温度范围(TJ, TSTG):-55°C 到 +150°C

    - 绝对最大额定值:
    - 集电极-基极电压(VCBO):260V
    - 集电极-发射极电压(VCES):260V
    - 集电极-发射极电压(VCEO):100V
    - 发射极-基极电压(VEBO):6V
    - 连续集电极电流(IC):500mA
    - 峰值集电极电流(ICM):60A(脉冲宽度 = 20ns)


    产品特点和优势



    ZTX415 拥有以下显著特点:

    - 高可靠性:支持高达 260V 的击穿电压,确保在高压环境下稳定工作。
    - 高功率处理能力:最大峰值雪崩电流可达 60A,适合需要高强度电流的应用。
    - 环保材料:符合 RoHS 和无卤素标准,属于绿色产品,满足环保要求。
    - 广泛适用性:设计用于雪崩模式操作,特别适合于各种高可靠性应用场合。


    应用案例和使用建议



    ZTX415 主要应用于需要高可靠性的工业控制、电力转换、照明系统等领域。例如,在电机驱动系统中,ZTX415 可以用于开关稳压电源、马达控制电路等。为了更好地利用该产品的特性,建议采取以下措施:

    - 散热管理:由于该器件的功耗较大,需确保良好的散热条件,避免因过热导致损坏。
    - 电源管理:合理分配输入电源,避免电流超过额定值,以保证长期稳定运行。
    - 电路保护:为防止意外情况,建议在电路中加入过流保护装置。


    兼容性和支持



    ZTX415 采用 E-Line 封装,与市面上大多数标准焊接设备兼容。厂商提供了详细的封装和焊接指南,可以参考官方网站上的相关信息(https://www.diodes.com/design/support/packaging/diodes-packaging/)。此外,厂商还提供了全面的技术支持和售后服务,帮助用户解决任何技术问题。


    常见问题与解决方案



    - Q1:如何判断产品是否达到预期使用寿命?
    - A1:检查产品的温度变化和功率耗散情况,若温度过高或功率损耗过大,则可能需要更换。

    - Q2:如何正确安装和焊接该器件?
    - A2:参照官方提供的焊接指南,确保焊点质量,并保持合适的散热环境。


    总结和推荐



    ZTX415 是一款专为高可靠性应用设计的中功率晶体管,具有出色的电气特性和热性能。其绿色环保的设计也使其成为许多现代应用的理想选择。总体而言,ZTX415 在性能和耐用性方面表现优异,强烈推荐在需要高性能和高可靠性的场合使用。

    ---
    希望上述文章能为您提供对 ZTX415 的全面了解。如需进一步技术支持或咨询,请联系 Diodes Incorporated 官方网站或支持团队。

ZTX415STZ参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 100V
集电极截止电流 100nA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 1mA,10mA
配置 独立式
VEBO-最大发射极基极电压 6V
晶体管类型 NPN 雪崩模式
最大集电极发射极饱和电压 500mV
VCBO-最大集电极基极电压 260V
最大功率耗散 680mW
集电极电流 500mA
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装

ZTX415STZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX415STZ数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX415STZ ZTX415STZ数据手册

ZTX415STZ封装设计

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