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ZTX657STOA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: NPN 1W 5V 100nA 300V 300V 500mA TO-92-3 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: CSCS-ZTX657STOA
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZTX657STOA

ZTX657STOA概述

    NPN Silicon Planar Medium Power High Voltage Transistors 技术手册

    产品简介


    NPN硅平面中功率高压晶体管是一种广泛应用于各种电子设备中的核心组件。这类晶体管主要用于放大或开关信号,能够在高电压和电流条件下保持稳定的性能。NPN硅平面中功率高压晶体管适用于工业自动化、电源管理、电机控制等多种应用场景,是构建高效能电子系统的理想选择。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压(VCBO):ZTX656为200V,ZTX657为300V
    - 集电极-发射极电压(VCEO):ZTX656为200V,ZTX657为300V
    - 发射极-基极电压(VEBO):5V
    - 峰值脉冲电流(ICM):1A
    - 连续集电极电流(IC):0.5A
    - 功率耗散(Ptot):1W(Tamb=25°C)
    - 工作及存储温度范围(Tj:Tstg):-55°C至+200°C
    - 电气特性
    - 集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO):ZTX656为200V,ZTX657为300V(IC=100µA, IE=0)
    - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):ZTX656为200V,ZTX657为300V(IC=10mA, IB=0)
    - 发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO):5V(IE=100µA, IC=0)
    - 集电极截止电流(ICBO):100nA(VCB=160V, IE=0;VCB=200V, IE=0)
    - 发射极截止电流(IEBO):100nA(VEB=3V, IC=0)
    - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):0.5V(IC=100mA, IB=10mA)
    - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):1V(IC=100mA, IB=10mA)
    - 基极-发射极导通电压(VBE(on)):1V(IC=100mA, VCE=5V)
    - 静态正向电流增益(hFE):ZTX656为50,ZTX657为40(IC=100mA, VCE=5V;IC=10mA, VCE=5V)
    - 转换频率(fT):30MHz(IC=10mA, VCE=20V)

    产品特点和优势


    NPN硅平面中功率高压晶体管具有多种独特的优势,包括:
    - 高电压耐受性:最高可达300V的集电极-发射极电压(VCEO),确保在高电压环境中稳定运行。
    - 高可靠性:绝对最大额定值下的峰值脉冲电流为1A,连续集电极电流为0.5A,功率耗散为1W,使得其能够适应严苛的工作条件。
    - 高增益:静态正向电流增益(hFE)较高,可以有效放大信号。
    - 宽工作温度范围:可承受从-55°C到+200°C的工作及存储温度,适合各种复杂环境。

    应用案例和使用建议


    NPN硅平面中功率高压晶体管广泛应用于工业自动化设备中,例如电机驱动器、逆变器和电源管理模块。例如,在电机驱动系统中,这种晶体管可以用作开关器件,控制电机的启动、停止和速度调节。为了确保最佳性能,建议根据具体的应用需求进行合理选型,并确保电路设计中充分考虑散热问题。

    兼容性和支持


    这些晶体管与标准TO92封装兼容,便于集成到现有的设计中。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,以帮助用户解决可能出现的技术难题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:晶体管在高温环境下工作不稳定
    - 解决方法:确保电路设计中有良好的散热措施,如增加散热片或采用高效的散热材料。

    2. 问题:晶体管输出电压异常
    - 解决方法:检查输入信号是否正确,同时确认供电电压是否满足要求。若发现问题,则需要调整电路参数或更换电源。

    总结和推荐


    NPN硅平面中功率高压晶体管凭借其高电压耐受性、高可靠性和广泛的温度适应范围,在多种工业应用中表现出色。我们强烈推荐在工业自动化、电源管理和电机控制系统中选用这类晶体管,它们将显著提升系统的整体性能。

ZTX657STOA参数

参数
最大功率耗散 1W
晶体管类型 NPN
VCBO-最大集电极基极电压 300V
最大集电极发射极饱和电压 500mV@ 10mA,100mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 300V
集电极截止电流 100nA
集电极电流 500mA
VEBO-最大发射极基极电压 5V
配置 独立式
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

ZTX657STOA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX657STOA数据手册

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ZTX657STOA封装设计

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