处理中...

首页  >  产品百科  >  ZTX549

ZTX549

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 750mV@ 200mA,2A PNP 1W 5V 100nA 35V 30V 1A TO-92 导线安装,通孔安装 4.95mm*2.41mm*4.95mm
供应商型号: ET-3943319
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZTX549

ZTX549概述


    产品简介


    PNP硅平面中功率晶体管是一款适用于多种应用场景的电子元器件。这类晶体管主要用于放大电流和电压,可以作为开关元件来控制电路。它们在家电、工业控制、汽车电子等领域都有广泛应用。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): -35 V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): -30 V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): -5 V
    - 峰值脉冲电流 (ICM): -2 A
    - 连续集电极电流 (IC): -1 A
    - 功率耗散 (Ptot):
    - 在Tamb=25°C时为1 W
    - 超过25°C时,每升高1°C减少5.7 mW
    - 工作和存储温度范围 (Tj, Tstg): -55°C 至 +200°C
    电气特性(Tamb = 25°C)
    - 集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO): -35 V (IC=-100µA)
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO): -30 V (IC=-10mA)
    - 发射极-基极击穿电压 (V(BR)EBO): -5 V (IE=-100µA)
    - 集电极截止电流 (ICBO):
    - VCB=-30V时:-0.1 µA 至 -10 µA (Tamb=100°C)
    - 发射极截止电流 (IEBO): -0.1 µA (VEB=-4V)
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)):
    - IC=-1A, IB=-100mA时:-0.25 V 至 -0.75 V
    - IC=-2A, IB=-200mA时:-0.50 V
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)): -0.9 V 至 -1.25 V (IC=-1A, IB=-100mA)
    - 基极-发射极导通电压 (VBE(on)): -0.85 V 至 -1 V (IC=-1A, VCE=-2V)
    - 静态正向电流传输比 (hFE):
    - IC=-50mA, VCE=-2V时:70 至 160
    - IC=-1A, VCE=-2V时:80 至 130
    - IC=-2A, VCE=-2V时:100 至 200
    - IC=-500mA, VCE=-2V时:100 至 200
    - IC=-500mA, VCE=-2V时:150 至 500
    - 临界频率 (fT): 100 MHz (IC=-100mA, VCE=-5V, f=100MHz)
    - 输出电容 (Cobo): 25 pF (VCB=-10V, f=1MHz)
    - 开关时间:
    - 导通时间 (ton): 300 ns (IC=-500mA, VCC=-10V, IB1=IB2=-50mA)
    - 关断时间 (toff): 50 ns

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:绝对最大额定值确保了产品的长期稳定性。
    2. 宽温范围:工作和存储温度范围广泛,适应多种环境条件。
    3. 高效的电流传输能力:静态正向电流传输比高,适合大功率应用。
    4. 快速开关速度:输出电容低且开关速度快,适用于高频应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:这款晶体管常用于家用电器的电机控制和工业自动化中的继电器驱动。例如,在一台电冰箱中,它可以用作压缩机控制单元的一部分。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑电源电压的波动范围,以确保晶体管在极限条件下仍能稳定工作。
    - 为了提高散热效果,可使用散热片或散热器,特别是在高电流情况下。

    兼容性和支持


    该晶体管与标准TO92封装兼容,易于安装和替换。制造商提供详细的技术支持和维护文档,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题1: 电流过大导致晶体管过热。
    解决方案: 使用散热器或降低工作电流,确保总功率耗散不超过限定值。
    问题2: 开关速度不满足需求。
    解决方案: 确认电路中的电容和其他组件不会影响开关速度,必要时可以更换更高速的晶体管。

    总结和推荐


    综合评估:
    这款PNP硅平面中功率晶体管具有出色的电气特性和广泛的工作温度范围,非常适合需要高可靠性和高效电流传输的应用。其紧凑的尺寸和高开关速度使其成为各种电子设备的理想选择。
    推荐:强烈推荐该产品用于需要高性能晶体管的场合。无论是家电控制还是工业自动化系统,这款晶体管都能表现出色。

ZTX549参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 750mV@ 200mA,2A
VCBO-最大集电极基极电压 35V
最大功率耗散 1W
集电极电流 1A
VCEO-集电极-发射极最大电压 30V
最大集电极发射极饱和电压 -0.5V
集电极截止电流 100nA
配置 独立式
晶体管类型 PNP
长*宽*高 4.95mm*2.41mm*4.95mm
通用封装 TO-92
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

ZTX549厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX549数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX549 ZTX549数据手册

ZTX549封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ $ 0.4471 ¥ 3.7781
100+ $ 0.3001 ¥ 2.5359
500+ $ 0.2944 ¥ 2.4873
库存: 3021
起订量: 14 增量: 0
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 37.78
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886