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ZXTN25040DFLTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex NPN晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流1.5 A, 最大集电极-发射电压40 V
供应商型号: ZXTN25040DFLTA
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZXTN25040DFLTA

ZXTN25040DFLTA概述

    ZXTN25040DFL:40V SOT23 NPN低功耗晶体管

    产品简介


    ZXTN25040DFL 是一款采用先进工艺制造的NPN型低功耗晶体管,适用于需要高脉冲电流的应用场合。此产品具有高脉冲电流、低饱和电压和良好的热稳定性等特点,广泛应用于MOSFET和IGBT的栅极驱动、直流-直流转换、LED驱动以及低压IC与负载之间的接口。

    技术参数


    | 参数 | 最小值(Min) | 典型值(Typ) | 最大值(Max) | 单位 | 条件 |
    |
    | 集电极-基极击穿电压 | 130 | 170 V | IC = 100μA |
    | 集电极-发射极击穿电压(正向阻断) | 130 | 170 V | IC = 100μA; RBE < 1kΩ 或 -1V < VBE < 0.25V |
    | 集电极-发射极击穿电压(开路基极) | 40 | 63 V | IC = 10mA () |
    | 发射极-基极击穿电压 | 7 | 8.3 V | IE = 100μA |
    | 发射极-集电极击穿电压(反向阻断) | 6 | 7.4 V | IE = 100μA, RBC < 1kΩ 或 0.25V > VBC > -0.25V |
    | 集电极-发射极截止电流 | <1 | 50 | 20 | nA | VCB = 100V |
    | 基极-发射极截止电流 | <1 | 50 nA | VEB = 5.6V |
    | 集电极-发射极饱和电压 | 35 | 50 | 85 | mV | IC = 1A, IB = 100mA |
    | 基极-发射极饱和电压 | 840 | 950 mV | IC = 1.5A, IB = 30mA |
    | 转换频率 | 190 MHz | IC = 50mA, VCE = 10V |
    | 输出电容 | 11.7 | 20 pF | VCB = 10V, f = 1MHz |

    产品特点和优势


    - 高脉冲电流:峰值电流可达6A,适用于需要处理大电流的应用场景。
    - 低饱和电压:饱和电压可低至70mV,有助于提高效率。
    - 高击穿电压:正向和反向击穿电压分别达到130V和6V,确保更高的可靠性。
    - 先进的工艺:采用先进的工艺制造,提升了电流增益保持能力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - MOSFET和IGBT栅极驱动:通过低饱和电压提升驱动效率。
    - 直流-直流转换:适合于高效能的电源转换。
    - LED驱动:可以提供稳定的电流输出。
    - 低压IC与负载之间的接口:适用于低功耗应用。
    使用建议
    - 确保电路设计时考虑到散热问题,避免因过热导致性能下降。
    - 根据实际应用需求选择合适的IB值,以达到最佳的饱和电压表现。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZXTN25040DFL 可与各种常见的集成电路及负载兼容,但具体兼容情况需根据实际应用场景进行验证。
    - 支持和服务:Zetex Semiconductors提供了详尽的技术文档和支持服务,可以通过其官网获得最新信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品温度过高
    - 解决方案:改善散热条件,如增加散热片或采用更好的PCB布局。

    2. 问题:饱和电压偏高
    - 解决方案:调整基极电流(IB)至推荐范围,或选用不同型号以适应特定需求。

    总结和推荐


    ZXTN25040DFL是一款性能优异、应用广泛的晶体管。其高脉冲电流、低饱和电压以及良好的热稳定性使其在众多应用中表现出色。尽管可能存在一些特定场景下的挑战,通过合理的设计和选型,可以最大限度发挥其潜力。强烈推荐在需要高性能、高可靠性的应用场景中采用ZXTN25040DFL。
    以上是对ZXTN25040DFL的技术手册内容的整理和分析,希望对您有所帮助。

ZXTN25040DFLTA参数

参数
集电极截止电流 50nA
配置 独立式
VEBO-最大发射极基极电压 7V
VCBO-最大集电极基极电压 130V
集电极电流 1.5A
晶体管类型 NPN
VCEO-集电极-发射极最大电压 40V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 285mV@ 400mA,4A
最大功率耗散 350mW
最大集电极发射极饱和电压 285mV@ 400mA,4A
长*宽*高 3.05mm*1.4mm*1mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTN25040DFLTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTN25040DFLTA数据手册

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ZXTN25040DFLTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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400+ ¥ 0.6728
800+ ¥ 0.6612
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