处理中...

首页  >  产品百科  >  ZTX718STZ

ZTX718STZ

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 260mV@ 200mA,2.5A PNP 1W -5V 100nA -20V 20V 2.5A TO-92-3 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: ZTX718STZ
供应商: 国内现货
标准整包数: 2000
DIODES 三极管(BJT) ZTX718STZ

ZTX718STZ概述

    PNP Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor: ZTX718



    产品简介



    ZTX718 是一款 PNP 硅平面中功率高增益晶体管,适用于多种电力控制和驱动应用。它具有出色的集电极-基极击穿电压和低饱和电压,适用于高电流应用。ZTX718 的典型应用包括作为功率 MOSFET 的门极驱动器,与互补的 ZTX618 配合使用。


    技术参数



    ZTX718 的主要技术参数如下:
    - 峰值脉冲电流: \(I_{CM} = -6 \text{A}\)
    - 连续集电极电流: \(I_C = -2.5 \text{A}\)
    - 基极电流: \(I_B = -500 \text{mA}\)
    - 功耗(最大): \(P_{totp} = 1.5 \text{W}\),\(P_{tot} = 1 \text{W}\) (当 \(T_{amb} = 25^\circ\text{C}\))
    - 操作和存储温度范围: \(T_j : T_{stg} = -55 \text{ to } +200^\circ\text{C}\)

    其他关键电气特性包括:
    - 集电极-基极击穿电压: \(V_{(BR)CBO} = -20 \text{ to } -65 \text{V}\)
    - 集电极-发射极击穿电压: \(V_{(BR)CEO} = -20 \text{ to } -55 \text{V}\)
    - 发射极-基极击穿电压: \(V_{(BR)EBO} = -5 \text{ to } -8.8 \text{V}\)
    - 饱和电压:
    - \(V_{CE(sat)} = -130 \text{ mV}\) (当 \(I_C = -0.1 \text{A}, I_B = -10 \text{mA}\))
    - \(V_{CE(sat)} = -145 \text{ mV}\) (当 \(I_C = -1 \text{A}, I_B = -20 \text{mA}\))
    - \(V_{CE(sat)} = -190 \text{ mV}\) (当 \(I_C = -1.5 \text{A}, I_B = -50 \text{mA}\))
    - \(V_{CE(sat)} = -260 \text{ mV}\) (当 \(I_C = -2.5 \text{A}, I_B = -200 \text{mA}\))


    产品特点和优势



    ZTX718 的主要特点是:
    - 高增益特性: 在高达 6A 的脉冲电流下表现出色的 \(h_{FE}\) 特性。
    - 低饱和电压: 有助于降低功耗,提高效率。
    - 高可靠性: 工作温度范围广,适合各种恶劣环境。

    这些特点使其在高功率应用中表现出色,如电机控制、电源管理和电池充电器等。


    应用案例和使用建议



    ZTX718 常用于驱动功率 MOSFET。例如,在一个典型的电动机控制系统中,ZTX718 可以作为 MOSFET 的驱动器,配合 ZTX618 使用。为了优化系统的整体性能,建议:
    - 使用合适的散热措施:确保晶体管在额定电流下的温升不会超过安全值。
    - 合理选择驱动电路:根据具体应用选择合适的驱动电路,以确保晶体管在高速切换时稳定工作。


    兼容性和支持



    ZTX718 与大多数标准的 PC 板兼容。厂商提供了详细的技术支持,包括安装指南和常见问题解答。此外,Zetex 在全球多个国家和地区都有代理商和分销商,提供及时的技术支持和售后服务。


    常见问题与解决方案



    - 问题: 晶体管过热
    - 解决方案: 检查散热措施,确保适当的散热设计和足够的散热片。

    - 问题: 无法达到预期的电流
    - 解决方案: 检查驱动电路,确保基极电流足够大且波形质量良好。


    总结和推荐



    ZTX718 是一款性能优异的 PNP 硅平面中功率高增益晶体管,特别适用于需要高可靠性和低饱和电压的应用场合。它的高增益特性和低饱和电压使其在高功率应用中表现出色。综上所述,强烈推荐使用 ZTX718 作为高性能电力控制和驱动应用的首选晶体管。

ZTX718STZ参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 -0.19V
最大功率耗散 1W
集电极电流 2.5A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 260mV@ 200mA,2.5A
VCEO-集电极-发射极最大电压 20V
配置 独立式
VCBO-最大集电极基极电压 -20V
VEBO-最大发射极基极电压 -5V
晶体管类型 PNP
集电极截止电流 100nA
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装

ZTX718STZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX718STZ数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX718STZ ZTX718STZ数据手册

ZTX718STZ封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 2.9392
5000+ ¥ 2.7706
8000+ ¥ 2.7224
12000+ ¥ 2.6983
库存: 20000
起订量: 2500 增量: 2000
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 7348
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886