处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXTN19060CGTA

ZXTN19060CGTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 300mV@ 700mA,7A NPN 3W 7V 50nA 160V 60V 7A SOT-223-3 贴片安装
供应商型号: AV-S-ZXTN19060CGTA
供应商: Avnet
标准整包数: 1000
DIODES 三极管(BJT) ZXTN19060CGTA

ZXTN19060CGTA概述


    产品简介


    ZXTN19060CG 是一款由Diodes Incorporated生产的60V NPN中功率低饱和电压晶体管,采用SOT223封装。该晶体管适用于多种电子应用,如线路开关、电机驱动(包括直流风扇)、高侧开关、灯泡、继电器和电磁阀驱动。它具有出色的可靠性,符合AEC-Q101标准,并且是无卤素、锑化合物以及RoHS合规的环保产品。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 160V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 60V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 7V
    - 持续集电极电流 (IC): 7A
    - 峰值脉冲电流 (ICM): 12A
    - 热阻,结到环境 (RθJA): 42°C/W (52mm x 52mm铜板),78°C/W (25mm x 25mm铜板)
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 电气特性:
    - 集电极-基极击穿电压 (BVCBO): 160V
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCEO): 60V
    - 发射极-基极击穿电压 (BVECO): 6V
    - 集电极截止电流 (ICBO): <1nA (VCB = 160V)
    - 集电极截止电流 (ICEX): <100nA (VCB = 160V)
    - 发射极截止电流 (IEBO): <50nA (VEB = 5.6V)
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 50mV (IC = 1A, IB = 100mA)
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)): 1.050V (IC = 7A, IB = 700mA)
    - 基极-发射极导通电压 (VBE(on)): 960mV (IC = 7A, VCE = 2V)
    - 直流电流增益 (hFE): 200 (IC = 100mA, VCE = 2V)

    产品特点和优势


    ZXTN19060CG 的主要特点包括:
    - 高耐压能力:最大集电极-发射极电压可达60V,适用于高压环境。
    - 大电流能力:连续集电极电流可达7A,峰值脉冲电流可达12A。
    - 低饱和电压:饱和电压低至50mV @ 1A,提高了效率。
    - 高可靠性:符合AEC-Q101标准,适用于汽车和其他高可靠性应用。
    - 环保材料:无卤素、无锑化合物,符合RoHS规范,适合绿色制造。
    这些特点使得 ZXTN19060CG 在各种高要求的应用中表现出色,如汽车、工业控制和消费电子产品等。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 线路开关:该晶体管可用于线路开关,特别是在需要高可靠性的环境中。
    - 电机驱动:特别是直流风扇的电机驱动,由于其较高的电流能力和低饱和电压,可以提高电机的效率。
    - 高侧开关:用于电源管理中的高侧开关,以控制高压负载。
    使用建议
    - 热管理:考虑到该晶体管的工作环境,建议在高功率运行时进行有效的热管理,如增加散热片或使用较大的铜板以降低热阻。
    - 信号处理:对于高频率信号,需要注意输入和输出电容的影响,以确保信号的完整性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZXTN19060CG 可与其他标准SOT223封装的元器件兼容。
    - 支持:Diodes Incorporated 提供了详尽的技术文档和售后支持,包括详细的应用指南和安装说明。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 温度过高导致性能下降。
    - 解决方案: 增加散热措施,确保良好的通风和热导。
    - 问题2: 高频信号失真。
    - 解决方案: 使用外部去耦电容减少噪声,确保信号完整性和稳定性。
    - 问题3: 寿命短于预期。
    - 解决方案: 确保操作环境符合规定,定期检查和维护系统。

    总结和推荐


    总体而言,ZXTN19060CG 是一款高性能的NPN晶体管,具备高可靠性、低功耗和高效率的特点。其广泛的应用领域使其成为市场上极具竞争力的产品之一。对于需要高电流和高电压应用的设计者来说,这款晶体管是一个非常值得考虑的选择。强烈推荐在高可靠性要求的应用中使用该产品。

ZXTN19060CGTA参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 700mA,7A
VEBO-最大发射极基极电压 7V
集电极电流 7A
最大功率耗散 3W
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
配置 独立式
VCBO-最大集电极基极电压 160V
集电极截止电流 50nA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 700mA,7A
晶体管类型 NPN
6.7mm(Max)
3.7mm(Max)
1.65mm(Max)
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTN19060CGTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTN19060CGTA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTN19060CGTA ZXTN19060CGTA数据手册

ZXTN19060CGTA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ $ 0.3833 ¥ 3.3922
2000+ $ 0.3232 ¥ 2.8606
8000+ $ 0.3062 ¥ 2.7103
25000+ $ 0.2958 ¥ 2.618
37000+ $ 0.2836 ¥ 2.5099
库存: 1000
起订量: 1000 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 3392.2
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886