处理中...

首页  >  产品百科  >  ZTX751

ZTX751

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex PNP晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-2 A, 最大集电极-发射电压-60 V
供应商型号: 26M-ZTX751
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZTX751

ZTX751概述


    产品简介


    PNP硅平面中功率晶体管是一种适用于多种应用场景的半导体器件,包括消费电子、工业控制、汽车电子等领域。这种晶体管采用PNP结构设计,具有较高的击穿电压(VCEO)和连续工作电流(IC),能够满足不同电子设备的需求。PNP硅平面中功率晶体管在各种电路设计中广泛应用,如开关电源、电机驱动、电池充电管理等。

    技术参数


    以下是PNP硅平面中功率晶体管的技术参数:
    - 最大额定值
    - 集电极-基极电压:VCEO=-45V(ZTX750),-60V(ZTX751)
    - 集电极-发射极电压:VCBO=-60V(ZTX750),-80V(ZTX751)
    - 基极-发射极电压:VEBO=-5V
    - 峰值脉冲电流:ICM=-6A
    - 连续集电极电流:IC=-2A
    - 功率耗散(25°C时):Ptot=1W,超过25°C时降额
    - 工作温度范围:-55°C至+200°C
    - 电气特性
    - 集电极-基极击穿电压:V(BR)CBO=-60V(ZTX750),-80V(ZTX751)
    - 集电极-发射极击穿电压:V(BR)CEO=-45V(ZTX750),-60V(ZTX751)
    - 基极-发射极击穿电压:V(BR)EBO=-5V
    - 集电极截止电流:ICBO=-0.1µA(ZTX750),-10µA(ZTX751)
    - 发射极截止电流:IEBO=-0.1µA
    - 集电极-发射极饱和电压:VCE(sat)=0.15V(ZTX750),0.3V(ZTX751)
    - 基极-发射极饱和电压:VBE(sat)=-0.9V(ZTX750),-1.25V(ZTX751)
    - 其他特性
    - 转换频率:fT=100MHz
    - 开关时间:ton=40ns,toff=450ns
    - 输出电容:Cobo=30pF
    - 热阻抗:Junction to Ambient1=175°C/W,Junction to Ambient2=116°C/W,Junction to Case=70°C/W

    产品特点和优势


    PNP硅平面中功率晶体管具备以下特点和优势:
    - 高击穿电压和连续工作电流:能够承受更高的电压和较大的电流,适用于各种高压、大电流的应用环境。
    - 低饱和电压:能够有效降低功耗,提高系统的整体效率。
    - 良好的热稳定性:热阻抗较低,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的工作状态。
    - 快速开关能力:转换频率和开关时间表现优异,特别适合用于高频信号处理。

    应用案例和使用建议


    PNP硅平面中功率晶体管广泛应用于以下场景:
    - 开关电源:其低饱和电压特性可以有效减少损耗,提高电源效率。
    - 电机驱动:在驱动直流电机或步进电机时,其高耐压和大电流特性可提供稳定的电流输出。
    - 电池充电管理:适用于电池充电控制电路,确保充电过程安全可靠。
    使用建议:
    - 在选择晶体管时,要根据具体的应用需求来确定所需的击穿电压和连续工作电流。
    - 注意散热设计,避免因过热导致的性能下降或损坏。
    - 根据开关速度要求选择合适的型号,确保系统响应迅速准确。

    兼容性和支持


    PNP硅平面中功率晶体管具有良好的兼容性,能够与市场上主流的电子元器件和设备无缝对接。制造商提供了详尽的技术支持和服务,包括详细的安装指南和技术文档,以帮助用户更好地理解和使用这些产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境下工作时,晶体管性能不稳定。
    - 解决方案:合理设计散热方案,确保良好的散热条件。必要时,可以考虑使用外置散热片或风扇进行主动冷却。

    - 问题2:启动瞬间存在较大电流冲击。
    - 解决方案:增加启动电阻或软启动电路,逐步增大输入电流,减轻启动时的冲击。

    总结和推荐


    PNP硅平面中功率晶体管是一款高性能的电子元器件,具有高击穿电压、大电流承载能力和优良的热稳定性。在开关电源、电机驱动、电池充电管理等多个应用领域表现出色。如果需要在高压、大电流的应用环境中寻找可靠的半导体器件,PNP硅平面中功率晶体管是一个理想的选择。我们强烈推荐此款产品。

ZTX751参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 200mA,2A
最大功率耗散 1.5W
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
集电极截止电流 100nA
配置 独立式
VEBO-最大发射极基极电压 7V
集电极电流 2A
VCBO-最大集电极基极电压 80V
最大集电极发射极饱和电压 500mV@ 200mA,2A
晶体管类型 PNP
长*宽*高 4.57mm*2.28mm*3.9mm
通用封装 EP-3SC
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

ZTX751厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX751数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX751 ZTX751数据手册

ZTX751封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.0154
10+ ¥ 1.6429
100+ ¥ 1.3167
500+ ¥ 1.18
1000+ ¥ 0.9862
库存: 3755
起订量: 1 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 2.01
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886