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ZX5T3ZTC

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 185mV@ 550mA,5.5A PNP 3W 7.5V 20nA 50V 40V 5.5A SOT-89-3 贴片安装
供应商型号: UA-ZX5T3ZTC
供应商: 海外现货
标准整包数: 4000
DIODES 三极管(BJT) ZX5T3ZTC

ZX5T3ZTC概述


    产品简介


    ZX5T3Z PNP 中功率晶体管 是一款高性能的晶体管,适用于多种高要求的应用场合。它属于 Diodes Incorporated 的产品线,具有 40V 的集电极-基极电压 (BVCEO),能够处理高达 5.5A 的连续集电极电流。ZX5T3Z 的主要功能是提供高增益、低饱和电压和中等功率输出,使其非常适合于充电电路、直流-直流转换器、电机控制等领域。

    技术参数


    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    ||
    | 集电极-基极击穿电压 | BVCBO | -50 | -90 | — | V | IC = -100µA |
    | 集电极-发射极击穿电压 | BVCES | -50 | -90 | — | V | IC = -100µA |
    | 集电极-发射极击穿电压 | BVCEO | -40 | -58 | — | V | IC = -10mA |
    | 发射极-基极击穿电压 | BVEBO | -7.5 | -8.3 | — | V | IE = -100µA |
    | 集电极截止电流 | ICBO | — | <1 | -20 | nA | VCB = -40V |
    | 集电极截止电流 | ICES | — | <1 | -20 | nA | VCE = -32V |
    | 发射极截止电流 | IEBO | — | <1 | -20 | nA | VEB = -6V |
    | 静态电流传输比(脉冲)| hFE | 200 | 200 | 550 | — | IC = -10mA, VCE = -2V |
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(SAT)| — | -15 | -185 | mV | IC = -0.1A, IB = -10mA |
    | 基极-发射极饱和电压 | VBE(SAT)| — | -820 | -1075 | mV | IC = -2A, IB = -40mA |
    | 基极-发射极导通电压 | VBE(ON) | — | -778 | -950 | mV | IC = -2A, VCE = -2V |

    产品特点和优势


    ZX5T3Z PNP 中功率晶体管的主要特点是:
    - 高增益:最大电流增益可达 550。
    - 低饱和电压:饱和电压低至 -60mV @ -1A。
    - 可靠性高:符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车和工业应用。
    - 环保:无卤素和锑材料,符合 RoHS 规范。
    - 高功率:峰值脉冲电流高达 -15A。
    这些特点使得 ZX5T3Z 在电源管理、电机控制和其他需要高效功率控制的场合中表现出色。

    应用案例和使用建议


    ZX5T3Z 主要应用于充电电路、直流-直流转换器、MOSFET 和 IGBT 门驱动以及功率开关等。例如,在一个充电电路中,可以使用 ZX5T3Z 来控制电池充电过程中的电流和电压,以实现高效的充电管理。在实际应用中,应注意以下几个方面来优化使用效果:
    - 确保散热设计良好,避免因过热导致的损坏。
    - 注意负载电流和电压的变化,以确保晶体管在安全工作区内运行。

    兼容性和支持


    ZX5T3Z 支持的封装形式为 SOT89,适合大多数标准的 PCB 设计。Diodes Incorporated 提供详细的建议焊盘布局,可以在其官网获取最新版本的建议焊盘布局信息。此外,厂商提供了完善的客户支持,包括技术文档、样品申请和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 晶体管发热严重 | 加强散热措施,如使用散热片或增加空气流通。 |
    | 晶体管饱和电压过高 | 检查输入电流和电压,确保它们处于合适的范围内。 |
    | 晶体管工作不稳定 | 检查连接线是否牢固,焊接点是否可靠。 |

    总结和推荐


    总体来看,ZX5T3Z PNP 中功率晶体管是一款具备高增益、低饱和电压和高可靠性的产品。它在电源管理和电机控制等领域有着广泛的应用前景。对于那些寻求高性能、环保且可靠的晶体管解决方案的设计工程师来说,ZX5T3Z 是一个非常值得推荐的产品。

ZX5T3ZTC参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 7.5V
集电极截止电流 20nA
配置 独立式
最大集电极发射极饱和电压 185mV@ 550mA,5.5A
最大功率耗散 3W
晶体管类型 PNP
VCBO-最大集电极基极电压 50V
集电极电流 5.5A
VCEO-集电极-发射极最大电压 40V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 185mV@ 550mA,5.5A
4.6mm(Max)
2.6mm(Max)
1.6mm(Max)
通用封装 SOT-89-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZX5T3ZTC厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZX5T3ZTC数据手册

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ZX5T3ZTC封装设计

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