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ZTX688BSTZ

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流3 A, 最大集电极-发射电压12 V
供应商型号: 522-ZTX688BSTZ
供应商: Mouser
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZTX688BSTZ

ZTX688BSTZ概述

    ZTX688B NPN Silicon Planar Medium Power Transistor

    产品简介


    ZTX688B 是一款 NPN 硅平面中功率晶体管,具有高增益和低饱和电压的特点。该产品适用于多种电子设备,例如继电器驱动、电机驱动、闪光灯转换器以及电池供电电路等。它能够替代达林顿晶体管,并具备优异的热稳定性和可靠性。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压:VCBO = 12V
    - 集电极-发射极电压:VCEO = 12V
    - 发射极-基极电压:VEBO = 5V
    - 峰值脉冲电流:ICM = 10A
    - 连续集电极电流:IC = 3A
    - 最大耗散功率(Tamb=25°C):Ptot = 1.5W
    - 在Tamb > 25°C时,每增加1°C耗散功率降低0.0057W
    - 电气特性(25°C)
    - 集电极-基极击穿电压:V(BR)CBO = 12V (IC=100µA)
    - 集电极-发射极击穿电压:V(BR)CEO = 12V (IC=10mA)
    - 发射极-基极击穿电压:V(BR)EBO = 5V (IE=100µA)
    - 集电极截止电流:ICBO = 0.1µA (VCB=10V)
    - 发射极截止电流:IEBO = 0.1µA (VEB=4V)
    - 集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = 0.04V ~ 0.35V (IC=0.1A, IB=1mA 到 IC=3A, IB=20mA)
    - 基极-发射极饱和电压:VBE(sat) = 1.1V (IC=3A, IB=20mA)
    - 基极-发射极开启电压:VBE(on) = 1V (IC=3A, VCE=2V)
    - 静态正向电流传输比:hFE = 500 (IC=0.1A, VCE=2V) 至 100 (IC=10A, VCE=2V)
    - 过渡频率
    - fT = 150MHz (IC=50mA, VCE=5V, f=50MHz)
    - 开关时间
    - 开启时间:ton = 400ns
    - 关断时间:toff = 500ns

    产品特点和优势


    - 高增益:在IC=3A时增益高达400,确保高效的信号放大能力。
    - 低饱和电压:饱和电压最低可达0.04V,保证在大电流情况下仍能保持高效能。
    - 优良的温度稳定性:工作温度范围广,从-55°C到+200°C,适应多种恶劣环境。
    - 出色的热设计:具备较低的热阻特性,有助于延长产品寿命并提高可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 继电器驱动:由于其高增益和低饱和电压特性,特别适合用于需要高效能的小型继电器驱动电路。
    - 电机驱动:适用于需要控制较大电流的电机驱动应用,如小型直流电动机或步进电机。
    - 电池供电电路:低功耗特性使得ZTX688B成为电池供电设备的理想选择,有效延长电池寿命。

    使用建议:
    - 使用时需注意散热设计,尤其是在连续大电流操作下,以避免过热导致损坏。
    - 为提高效率,建议选择合适的外围电路,如适当的基极电阻以优化驱动条件。

    兼容性和支持


    - 封装:符合TO92封装标准,便于安装在印刷电路板上。
    - 兼容性:ZTX688B可以作为达林顿晶体管的直接替换品,广泛应用于各类电子设备。
    - 厂商支持:提供详细的技术文档和支持服务,以便用户在安装和使用过程中遇到问题时及时得到帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:启动时出现发热严重现象
    - 解决方法:检查电路设计,确保散热措施到位,如增加散热片或改进PCB布局。
    - 问题:工作时电流不稳定
    - 解决方法:检查外部驱动电路,调整基极电阻,确保信号输入稳定。

    总结和推荐


    ZTX688B是一款高性能的NPN硅平面中功率晶体管,具备高增益、低饱和电压和良好的热稳定性。在继电器驱动、电机驱动以及电池供电设备等领域表现出色。尽管初始安装和调试可能需要一定的技术知识,但其卓越的性能使其成为广泛应用的理想选择。强烈推荐使用这款晶体管,特别是对于需要高性能和高可靠性的应用场合。

ZTX688BSTZ参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 350mV
晶体管类型 NPN
VCEO-集电极-发射极最大电压 12V
VCBO-最大集电极基极电压 12V
VEBO-最大发射极基极电压 5V
最大功率耗散 1W
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 350mV@ 20mA,3A
集电极截止电流 100nA
配置 独立式
集电极电流 3A
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售

ZTX688BSTZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX688BSTZ数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX688BSTZ ZTX688BSTZ数据手册

ZTX688BSTZ封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.3225 ¥ 11.1751
10+ $ 1.0063 ¥ 8.5028
100+ $ 0.6589 ¥ 5.5677
500+ $ 0.5216 ¥ 4.4079
1000+ $ 0.4925 ¥ 4.1615
2000+ $ 0.4331 ¥ 3.6595
4000+ $ 0.4169 ¥ 3.5224
10000+ $ 0.4053 ¥ 3.4248
库存: 2979
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