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ZXTN5551FLTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 200mV@ 5mA,50mA NPN 330mW 6V 50nA 180V 160V 600mA SOT-23-3 贴片安装 3.04mm*1.4mm*1.02mm
供应商型号: 30C-ZXTN5551FLTA SOT23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZXTN5551FLTA

ZXTN5551FLTA概述

    ZXTN5551FL 高压 NPN 晶体管技术手册

    产品简介


    ZXTN5551FL 是一款由 Zetex Semiconductors 生产的小型表面贴装封装高压 NPN 晶体管。该晶体管具有 160V 的集电极-发射极电压耐受能力(VCEO),适用于高电压放大应用。其互补型号为 ZXTP5401FL。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的主要技术规格和技术参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 集电极-基极击穿电压 | 180 | 270 | 270 | V | IC = 100µA |
    | 集电极-发射极击穿电压 (基极开路) | 160 | 200 | 200 | V | IC = 1mA |
    | 发射极-基极击穿电压 | 6 | 7.85 | 7.85 | V | IE = 10µA |
    | 集电极截止电流 | - | <1 | 50 | nA | VCB = 120V |
    | 集电极-发射极饱和电压 | 65 | 150 | 200 | V | IC = 10mA, IB = 1mA |
    | 基极-发射极饱和电压 | 760 | 1000 | 1200 | mV | IC = 10mA, IB = 1mA |
    | 静态正向电流增益 | 80 | 135 | 145 IC = 1mA, VCE = 5V |
    | 转换频率 | 130 | - | - | MHz | IC = 10mA, VCE = 10V, f = 100MHz |
    | 输出电容 | 6 | - | - | pF | VCB = 10V, f = 1MHz |
    | 小信号增益 | 50 | - | 260 IC = 10mA, VCE = 10V, f = 1kHz |
    绝对最大额定值:
    | 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 | 条件 |
    | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 集电极-基极电压 | VCBO | 180 | V | IC = 100µA |
    | 集电极-发射极电压 | VCEO | 160 | V | IC = 1mA |
    | 发射极-基极电压 | VEBO | 6 | V | IE = 10µA |
    | 连续集电极电流 | IC | 600 | mA | 在 25°C 下 |
    | 功耗(25°C) | PD | 330 | mW | 在 25°C 下 |
    | 线性降额因子 | - | 2.64 | mW/°C
    | 工作和存储温度范围 | Tj, Tstg | -55 to 150 | °C
    热阻:
    | 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 | 条件 |
    | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 结到环境 | RθJA | 379 | °C/W | 在 25°C 下 |

    产品特点和优势


    ZXTN5551FL 的关键特性包括:
    1. 高电压耐受能力:集电极-发射极电压(VCEO)达到 160V,适用于需要高电压稳定性的应用。
    2. 紧凑封装:SOT23 封装使得晶体管尺寸非常小巧,适合空间受限的设计。
    3. 高增益:静态正向电流增益(hFE)可达 135,有助于提高放大电路的效率。
    4. 良好的电气特性:输出电容低,转换频率高,有利于高频应用。
    5. 卓越的温度特性:工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C,适合各种恶劣环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    ZXTN5551FL 可广泛应用于高电压放大电路,如开关电源、电机驱动和逆变器等。以下是一些使用建议:
    1. 高电压开关应用:由于其 160V 的电压耐受能力,非常适合用于高电压开关电源设计。
    2. 电机驱动:低饱和电压(VCE(sat))和高增益特性使其在电机控制应用中表现出色。
    3. 逆变器设计:适合在逆变器中作为开关元件,提供高效的电力转换。
    建议在使用时注意以下几点:
    1. 热管理:尽管晶体管具有较高的功率耗散能力,但在高温环境下仍需注意散热,以确保长期可靠运行。
    2. 静电防护:在处理和运输过程中,采取适当的静电防护措施,以防止静电放电对器件造成损害。

    兼容性和支持


    ZXTN5551FL 可以与同系列的其他器件和其他品牌的类似器件兼容。制造商提供了详细的技术支持,包括技术支持热线、在线论坛和官方文档下载服务。此外,还提供样品申请和订购服务。

    常见问题与解决方案


    以下列出了用户可能遇到的一些常见问题及相应的解决方案:
    1. 晶体管发热严重:
    - 问题描述:长时间工作后晶体管温度过高。
    - 解决方法:增加散热片,改善散热条件;降低工作电流。
    2. 电路不正常工作:
    - 问题描述:电路无法正常启动或工作不稳定。
    - 解决方法:检查连接线路,确保所有连接正确无误;重新调整电源电压和负载匹配。
    3. 晶体管损坏:
    - 问题描述:晶体管在正常使用过程中损坏。
    - 解决方法:确保使用符合要求的工作电压和电流;在高湿度或高电磁干扰环境下,加强防护措施。

    总结和推荐


    ZXTN5551FL 高压 NPN 晶体管凭借其出色的性能和广泛的应用场景,在高电压放大应用中表现优异。其紧凑的 SOT23 封装、高电压耐受能力和高增益特性使其成为许多电子设计的理想选择。如果您正在寻找一款适用于高电压应用且性能可靠的晶体管,我们强烈推荐使用 ZXTN5551FL。

ZXTN5551FLTA参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 200mV@ 5mA,50mA
VCBO-最大集电极基极电压 180V
集电极截止电流 50nA
配置 独立式
集电极电流 600mA
VEBO-最大发射极基极电压 6V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 200mV@ 5mA,50mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 160V
最大功率耗散 330mW
晶体管类型 NPN
长*宽*高 3.04mm*1.4mm*1.02mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTN5551FLTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTN5551FLTA数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTN5551FLTA ZXTN5551FLTA数据手册

ZXTN5551FLTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 0.7469
200+ ¥ 0.5148
1500+ ¥ 0.4686
3000+ ¥ 0.4378
45000+ ¥ 0.4334
60000+ ¥ 0.4301
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