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ZTD09N50DE6QTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 270mV@ 50mA,1A 2 NPN(双) 1.7W 7V 10nA 50V 50V 1A SOT-26-6 贴片安装
供应商型号: ZTD09N50DE6QTA
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
DIODES 三极管(BJT) ZTD09N50DE6QTA

ZTD09N50DE6QTA概述

    # ZXTD09N50DE6 50V Dual NPN Silicon Low Saturation Switching Transistor

    产品简介


    基本介绍
    ZXTD09N50DE6 是一款由 Diodes Incorporated 生产的50V双NPN硅低饱和开关晶体管。它主要用于LCD背光逆变电路和DC-DC转换器中的升压功能。这款晶体管具有低饱和电压、低等效导通电阻以及高性能的电气特性,使其成为高可靠性和广泛应用的理想选择。

    技术参数


    以下是ZXTD09N50DE6的技术规格及关键性能参数:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    |
    | 集电极-基极击穿电压 50 V | IC = 100μA |
    | 集电极-发射极击穿电压 | 50 V | IC = 10mA |
    | 发射极-基极击穿电压 5 V | IE = 100μA |
    | 集电极-基极截止电流 | 10 nA | VCB = 40V |
    | 集电极-发射极截止电流 | 10 nA | VCES = 40V |
    | 发射极截止电流 | 10 nA | VEB = 4V |
    | 直流电流增益(注11) | 200 | 300 | 450 IC = 10mA, VCE = 2V |
    | 集电极-发射极饱和电压 | 24 | 160 | 270 | mV | IC = 1A, IB = 50mA |
    | 基极-发射极饱和电压 | 940 | 1100 mV | IC = 1A, IB = 50mA |
    | 基极-发射极导通电压 | 850 | 1100 mV | IC = 1A, VCE = 2V |
    | 输出电容 | 10 pF | VCB = 10V, f = 1MHz |
    | 电流增益带宽积 | 215 MHz | VCE = 10V, IC = 50mA |

    产品特点和优势


    ZXTD09N50DE6 的主要特点和优势如下:
    - 高达50V的集电极-发射极电压;
    - 低饱和电压RSAT = 160mV;
    - 高达1A的连续集电极电流;
    - 等效导通电阻低;
    - 支持铅免费(RoHS)和无卤素(Antimony-free);
    - 符合AEC-Q101标准,适合汽车级应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    ZXTD09N50DE6 主要应用于以下领域:
    - LCD背光逆变电路:在显示器中用于高效升压转换;
    - DC-DC转换器:适用于各种功率转换应用,特别是需要高效能和低功耗的场合。
    使用建议
    - 在应用时注意散热管理,确保满足最大功耗要求;
    - 考虑到高可靠性的需求,适合于工业控制和汽车电子领域;
    - 确保电路设计符合电气特性的测试条件,以最大化其性能。

    兼容性和支持


    ZXTD09N50DE6 的封装为SOT26,适用于广泛的PCB设计。它具有出色的兼容性,可以轻松集成到现有系统中。Diodes Incorporated 提供了详尽的技术支持,包括产品的数据手册、应用指南和故障排除资源。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定晶体管的散热设计?
    - 解决办法: 参考数据手册中的热阻抗图和温度曲线,根据实际应用场景选择合适的散热方式。
    - 问题:晶体管在脉冲条件下能否稳定工作?
    - 解决办法: 查阅数据手册中的重复性额定值,确保脉冲宽度不超过规定的限制。

    总结和推荐


    综合评估
    ZXTD09N50DE6 是一款功能强大且可靠的50V双NPN硅低饱和开关晶体管,具有优秀的电气特性和广泛的应用场景。它特别适合于对可靠性要求高的应用领域,如汽车电子和工业控制。
    推荐使用
    鉴于其卓越的性能和高可靠性,强烈推荐在需要高性能、低功耗和高可靠性的电路设计中使用ZXTD09N50DE6。对于寻求高效功率转换解决方案的设计工程师来说,这是一个非常理想的选择。

ZTD09N50DE6QTA参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 24mV
VEBO-最大发射极基极电压 7V
晶体管类型 2 NPN(双)
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 270mV@ 50mA,1A
VCBO-最大集电极基极电压 50V
配置
最大功率耗散 1.7W
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极电流 1A
集电极截止电流 10nA
通用封装 SOT-26-6
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZTD09N50DE6QTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTD09N50DE6QTA数据手册

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ZTD09N50DE6QTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 5.6582
5000+ ¥ 5.4225
8000+ ¥ 5.281
12000+ ¥ 5.1867
库存: 30000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
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