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ZXTN19055DZTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 250mV@ 600mA,6A NPN 2.1W 7V 50nA 150V 55V 6A SOT-89-3 贴片安装
供应商型号: 11M-D-ZXTN19055DZTA
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZXTN19055DZTA

ZXTN19055DZTA概述


    产品简介


    ZXTN19055DZ 是一款55V的SOT89封装NPN中功率晶体管。该晶体管具有极低的导通损耗,适用于直流-直流转换电路以及多种驱动和电源管理功能。由于其出色的特性和可靠性,ZXTN19055DZ广泛应用于应急照明电路、电机驱动(包括直流风扇)、电磁阀、继电器和执行器驱动、直流模块及背光逆变器等领域。

    技术参数


    - 电气特性:
    - 集电极-基极击穿电压 \( BVCBO \) > 150V
    - 集电极-发射极击穿电压 \( BVCEX \) > 150V
    - 集电极-发射极击穿电压(开路基极) \( BVCEO \) > 55V
    - 发射极-基极击穿电压 \( BVEBO \) > 7V
    - 持续集电极电流 \( IC \) > 6A
    - 峰值脉冲电流 \( ICM \) > 10A
    - 在环境温度为25°C时的功耗 \( PD \) > 2.1W
    - 工作和存储温度范围 \( Tj, T{stg} \):-55°C至+150°C
    - 热阻 \( R{\theta JA} \):83°C/W(静止空气条件)

    - 典型特性:
    - 极低的等效导通电阻 \( R{CE(sat)} \):28mΩ
    - 非饱和状态下,输出电容 \( C{OBO} \):21.2pF 至 30pF(\( V{CB} \) = 10V, \( f \) = 1MHz)
    - 转换频率 \( fT \):140MHz 至 200MHz(\( IC \) = 100mA, \( V{CE} \) = 10V)
    - 传导延迟时间 \( td \):13.8ns(\( V{CC} \) = 10V, \( IC \) = 1A, \( I{B1} \) = \( I{B2} \) = 100mA)

    产品特点和优势


    - 低饱和电压:在各种电流条件下,饱和电压均低于60mV,特别适用于需要高效率的应用场景。
    - 高电流能力:持续电流可达6A,峰值电流可达10A,满足大多数功率应用需求。
    - 出色的hFE特性:在高达10A的电流下仍保持良好的电流增益,适合高频和大功率应用。
    - 优异的温度特性:在宽广的温度范围内都能稳定工作,从-55°C到+150°C。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 应急照明电路:利用其低饱和电压和高电流能力,确保在紧急情况下提供稳定的电源。
    - 电机驱动:可以有效地驱动电机和风扇,提高系统的整体效率。
    - 直流模块:用于各类直流电源管理模块,确保电源稳定可靠。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,确保散热良好,以避免过热损坏。
    - 在高频应用中,注意其输出电容和开关时间的影响,进行合理的设计以确保最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZXTN19055DZ与现有的标准电路设计和组件兼容,无需额外改动即可集成到现有系统中。
    - 支持和服务:Zetex公司提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决在使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何避免过热?
    答:确保良好的散热设计,如使用散热片或散热板,避免长时间大电流运行。

    2. 问:如何优化高频应用性能?
    答:尽量减小引线长度,优化PCB布局,减少寄生电感和电容的影响。

    3. 问:在极端温度下如何保证稳定性?
    答:选择合适的散热方案,并在设计时考虑温升对性能的影响,确保在宽广的温度范围内正常工作。

    总结和推荐


    总结:
    ZXTN19055DZ是一款高性能的NPN中功率晶体管,具备低饱和电压、高电流能力和优异的温度特性,适用于广泛的电源管理和驱动应用。其出色的性能使其在市场上具备很强的竞争力。
    推荐:
    强烈推荐ZXTN19055DZ给需要高性能晶体管的工程师和设计师,特别是在高效率、大电流和宽温度范围的应用中。

ZXTN19055DZTA参数

参数
集电极电流 6A
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 600mA,6A
配置 独立式
晶体管类型 NPN
VCEO-集电极-发射极最大电压 55V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 600mA,6A
最大功率耗散 2.1W
集电极截止电流 50nA
VCBO-最大集电极基极电压 150V
VEBO-最大发射极基极电压 7V
4.6mm(Max)
2.6mm(Max)
1.6mm(Max)
通用封装 SOT-89-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTN19055DZTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTN19055DZTA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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ZXTN19055DZTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.4391
10+ ¥ 1.4188
100+ ¥ 1.381
500+ ¥ 1.3752
1000+ ¥ 1.354
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