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ZTX718

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 260mV@ 200mA,2.5A PNP 1W -5V 100nA -20V 20V 2.5A TO-92-3 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: 30C-ZTX718 EP3SC
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZTX718

ZTX718概述


    产品简介


    PNP硅平面中功率晶体管(型号:ZTX718)
    ZTX718是一款PNP硅平面中功率晶体管,具有高增益特性,广泛应用于需要大电流驱动的应用场景。该晶体管采用TO92封装,非常适合用于小尺寸设计中。主要功能包括作为电源MOSFET门极驱动器,与互补型号ZTX618一起使用。

    技术参数


    以下是ZTX718的技术规格:
    - 绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压(VCBO):-20V
    - 集电极-发射极电压(VCEO):-20V
    - 发射极-基极电压(VEBO):-5V
    - 峰值脉冲电流(ICM):-6A
    - 持续集电极电流(IC):-2.5A
    - 基极电流(IB):-500mA
    - 功耗(Ptotp):1.5W
    - 在Ta=25°C时的功耗(Ptot):1W
    - 工作温度范围(Tj: Tstg):-55°C 至 +200°C
    - 要求PCB上铜箔面积不小于1平方英寸。
    - 电气特性
    - 集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO):-20V 至 -65V
    - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):-20V 至 -55V
    - 发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO):-5V 至 -8.8V
    - 集电极截止电流(ICBO):-100nA
    - 发射极截止电流(IEBO):-100nA
    - 集电极-发射极截止电流(ICES):-100nA
    - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-16mV 至 -260mV
    - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):-0.98V 至 -1.1V
    - 基极-发射极导通电压(VBE(on)):-0.85V 至 -0.95V
    - 静态正向电流传输比(hFE):30 至 475
    - 转换频率(fT):150MHz 至 180MHz
    - 输出电容(Cobo):21pF 至 30pF
    - 导通时间(t(on)):40ns
    - 关断时间(t(off)):670ns

    产品特点和优势


    ZTX718的主要特点和优势如下:
    - 高增益特性:适用于需要精确控制的大电流应用。
    - 低饱和电压:确保高效的能量转换,提高系统的整体效率。
    - 出色的脉冲电流处理能力:峰值脉冲电流可达6A,适合快速开关应用。
    - 宽广的工作温度范围:-55°C 至 +200°C,适用于极端环境。
    - 兼容性:可以与互补型号ZTX618一起使用,实现更复杂的功能组合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电源MOSFET门极驱动器:与ZTX618配合使用,形成完整的电源驱动电路。
    2. 高电流放大器:用于需要高增益和低饱和电压的应用。
    使用建议
    - 确保PCB上的铜箔面积不小于1平方英寸,以增强散热效果。
    - 在高温环境下使用时,注意散热措施,避免过热导致损坏。
    - 在设计电路时,考虑输入信号的峰-峰值,以确保晶体管的安全工作区。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZTX718与大多数标准PCB设计兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持和服务:由Zetex在全球多个国家设立的代理商和分销商提供支持,包括技术咨询、故障诊断等服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:晶体管在高温环境下无法正常工作。
    - 解决方案:增加散热措施,如增加散热片或改进PCB设计,以改善热传导。
    2. 问题:饱和电压过高,影响电路效率。
    - 解决方案:选择适当的负载电阻值,优化电路设计,减少VCE(sat)的影响。
    3. 问题:晶体管在高频率下表现不稳定。
    - 解决方案:选择合适的补偿电容,调整电路设计以减小寄生效应。

    总结和推荐


    ZTX718是一款高性能的PNP硅平面中功率晶体管,具备高增益、低饱和电压和宽工作温度范围等特点。其在多种应用场合中的优异表现使其成为电源管理、放大器和驱动器等领域中的理想选择。建议在需要高电流和高可靠性的应用中优先选用该产品。

ZTX718参数

参数
最大功率耗散 1W
集电极截止电流 100nA
最大集电极发射极饱和电压 260mV@ 200mA,2.5A
配置 独立式
VCEO-集电极-发射极最大电压 20V
VEBO-最大发射极基极电压 -5V
晶体管类型 PNP
VCBO-最大集电极基极电压 -20V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 260mV@ 200mA,2.5A
集电极电流 2.5A
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

ZTX718厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX718数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX718 ZTX718数据手册

ZTX718封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.574
100+ ¥ 2.046
1000+ ¥ 1.837
2000+ ¥ 1.727
4000+ ¥ 1.65
库存: 3577
起订量: 1 增量: 4000
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