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ZTX756STOA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 1W 5V 200V 200V 500mA TO-92-3 通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: CSCS-ZTX756STOA
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZTX756STOA

ZTX756STOA概述

    # PNP Silicon Planar Medium Power High Voltage Transistors

    产品简介


    本文档介绍了PNP硅平面中功率高压晶体管(ZTX756/ZTX757)。这两种晶体管主要用于需要高电压和中等电流处理能力的应用场合。ZTX756和ZTX757型号的主要功能是作为开关和放大器元件,适用于工业控制、电机驱动、电源管理等领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | ZTX756 | ZTX757 | 单位 |

    | 集电极-基极电压 | VCBO | -200 | -300 | V |
    | 集电极-发射极电压 | VCEO | -200 | -300 | V |
    | 发射极-基极电压 | VEBO | -5 | -5 | V |
    | 峰值脉冲电流 | ICM | -1 | -1 | A |
    | 连续集电极电流 | IC | -0.5 | -0.5 | A |
    | 功率耗散(Tamb=25°C) | Ptot | 1 | 1 | W |
    | 工作和存储温度范围 | Tj:Tstg | -55至+200 | -55至+200 | °C |
    电气特性(在Tamb=25°C,除非另有说明)
    | 参数 | 符号 | ZTX756 | ZTX757 | 条件 | 最小 | 最大 | 单位 |

    | 集电极-基极击穿电压 | V(BR)CBO | -200 | -300 | IC=-100µA, IE=0 V |
    | 集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | -200 | -300 | IC=-10mA, IB=0 V |
    | 发射极-基极击穿电压 | V(BR)EBO | -5 | -5 | IE=-100µA, IC=0 V |
    | 集电极截止电流 | ICBO | -100nA | -100nA | VCB=-160V, IE=0 nA |
    | 发射极截止电流 | IEBO | -100nA | -100nA | VEB=-3V, IC=0 nA |
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | -0.5 | -0.5 | IC=-100mA, IB=-10mA V |
    | 基极-发射极饱和电压 | VBE(sat) | -1.0 | -1.0 | IC=-100mA, IB=-10mA V |
    | 基极-发射极导通电压 | VBE(on) | -1.0 | -1.0 | IC=-100mA, VCE=-5V V |
    | 静态正向电流传输比 | hFE | 50 | 40 | IC=-100mA, VCE=-5V | 40 | 50
    | 转换频率 | fT | 30 | 30 | IC=-10mA, VCE=-20V, f=20MHz MHz |
    | 输出电容 | Cobo | 20 | 20 | VCB=-20V, f=1MHz pF |

    产品特点和优势


    ZTX756/ZTX757具有以下特点和优势:
    1. 高电压处理能力:可以承受高达300V的电压。
    2. 适中的电流处理能力:提供最高0.5A的连续集电极电流。
    3. 良好的热稳定性:可以在-55到+200°C的温度范围内工作。
    4. 低饱和电压:在满载情况下能够保持较低的饱和电压,从而减少功耗。
    5. 高频响应:过渡频率高达30MHz,适合高速应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 工业控制:用于制造自动化控制系统中的继电器驱动。
    2. 电机驱动:可作为直流电机的驱动器。
    3. 电源管理:可用于稳压电路或逆变器系统中。
    使用建议
    1. 散热管理:由于功率耗散较高,建议在设计时考虑有效的散热方案。
    2. 驱动电路:对于高频应用,应确保驱动电路能快速有效地开关晶体管。
    3. 保护措施:建议添加过流和过温保护,以避免因故障导致损坏。

    兼容性和支持


    ZTX756/ZTX757型号具有TO92封装,与市场上多数标准TO92封装的产品兼容。制造商提供了详尽的技术支持,包括在线文档、样品请求和客户服务,以帮助用户更好地利用这些晶体管。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:晶体管在高温环境下失效
    - 解决方案:确保设计中有足够的散热措施,如散热片或强制冷却风扇。

    2. 问题:晶体管在高频应用中性能下降
    - 解决方案:检查并优化驱动电路的设计,确保其能够在指定频率范围内稳定运行。

    3. 问题:晶体管在低电流下表现不佳
    - 解决方案:确保所选的晶体管满足应用所需的电流等级,并检查外围电路是否正确配置。

    总结和推荐


    ZTX756/ZTX757型号作为一款高性能的PNP硅平面中功率高压晶体管,在工业控制、电机驱动和电源管理领域表现出色。其高电压处理能力和适中的电流处理能力,使其成为多种应用的理想选择。总体而言,推荐使用这些晶体管,特别是对于那些需要可靠性和高性能的项目。

ZTX756STOA参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 5V
晶体管类型 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 200V
VCBO-最大集电极基极电压 200V
配置 独立式
集电极截止电流 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
集电极电流 500mA
最大功率耗散 1W
最大集电极发射极饱和电压 -
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装

ZTX756STOA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX756STOA数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX756STOA ZTX756STOA数据手册

ZTX756STOA封装设计

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