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ZTX605STZ

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.5V@ 1mA,1A NPN - Darlington 1W 10V 10μA 140V 120V 1A TO-92 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: ZTX605STZ
供应商: 国内现货
标准整包数: 2000
DIODES 三极管(BJT) ZTX605STZ

ZTX605STZ概述

    NPN Silicon Planar Medium Power Darlington Transistors 技术手册

    1. 产品简介


    NPN硅平面中功率达林顿晶体管是一种高性能的双极型晶体管,采用达林顿结构设计。它特别适用于需要高电流增益的应用场景,如电机控制、电源转换器和驱动器等领域。这款晶体管集成了两个串联的NPN晶体管,提供高达2000的电流增益,能够处理1安培的连续电流,最大电压为120伏特。通过这种方式,该晶体管能够在较低的输入电流下实现大功率输出,从而提高了系统的效率。

    2. 技术参数


    - 最高额定电压
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 120 V (ZTX604), 140 V (ZTX605)
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 100 V (ZTX604), 120 V (ZTX605)
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 10 V
    - 最大连续电流
    - 集电极连续电流 (IC): 1 A
    - 峰值脉冲电流 (ICM): 4 A
    - 功率耗散
    - 功率耗散 (Ptot):1 W (在25°C时),每增加1°C,功耗减少5.7 mW
    - 工作温度范围
    - 结温 (Tj) 和存储温度范围 (Tstg): -55°C 到 +200°C
    - 其他特性
    - 转移比 (hFE): 2K到5K
    - 转换频率 (fT): 150 MHz
    - 输入电容 (Cibo): 90 pF (典型值)
    - 输出电容 (Cobo): 15 pF (典型值)
    - 开关时间 (ton): 0.5 μs (典型值)
    - 关断时间 (toff): 1.6 μs (典型值)

    3. 产品特点和优势


    - 高电流增益: 达林顿结构提供了高达2000的电流增益,使得小信号能够控制较大的负载电流。
    - 宽工作温度范围: 能够在极端温度环境下稳定工作,适用范围广泛。
    - 良好的热稳定性: 通过优化设计,在高温条件下仍能保持稳定的性能。
    - 低饱和压降: 饱和状态下的压降很低,提高了系统的整体效率。
    - 高速开关特性: 快速的开关时间确保了系统响应迅速,减少延迟。

    4. 应用案例和使用建议


    这些晶体管广泛应用于各种电子控制系统中,例如工业自动化、汽车电子和家用电器。具体应用场景如下:
    - 电机控制: 在电机控制中,可以使用ZTX604或ZTX605来驱动直流电机或步进电机,提供高电流和快速响应。
    - 电源管理: 在电源转换器中,这些晶体管可用于降压或升压转换,确保高效的能量传输。
    - LED驱动器: 可以作为LED驱动器中的关键组件,用于调节和控制LED灯的亮度。
    使用建议:
    - 散热设计: 由于具有一定的功率耗散能力,建议设计良好的散热装置,以避免过热。
    - 滤波电路: 添加适当的滤波电路可以减少电磁干扰,提高系统稳定性。
    - 电源选择: 根据实际应用场景选择合适的电源电压,避免过载或损坏晶体管。

    5. 兼容性和支持


    这些晶体管的引脚布局与TO92封装兼容,方便替换和集成到现有的电路板中。制造商提供了详尽的技术支持文档和在线咨询服务,帮助客户解决安装和调试过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 在启动时出现过载现象
    - 解决方法: 检查电源电压是否合适,并确认电路设计中的限流电阻是否合理。
    - 问题: 晶体管在正常操作时发热严重
    - 解决方法: 检查散热片是否安装正确,必要时可增大散热面积或添加风扇进行强制冷却。
    - 问题: 信号传递不顺畅
    - 解决方法: 确保连接线路没有受到干扰,增加屏蔽线或滤波电路以减少噪声影响。

    7. 总结和推荐


    总体来看,ZTX604和ZTX605 NPN硅平面中功率达林顿晶体管具备优异的电气特性和高可靠性,非常适合于多种工业应用。它们的高电流增益、宽温度范围以及低饱和压降使其成为许多高要求电子系统的理想选择。我们强烈推荐在需要高效、可靠和高性能的电子系统中使用这些晶体管。

ZTX605STZ参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 1.5V@ 1mA,1A
最大功率耗散 1W
VEBO-最大发射极基极电压 10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1.5V@ 1mA,1A
配置 独立式
VCBO-最大集电极基极电压 140V
VCEO-集电极-发射极最大电压 120V
晶体管类型 NPN - Darlington
集电极截止电流 10μA
集电极电流 1A
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装

ZTX605STZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX605STZ数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX605STZ ZTX605STZ数据手册

ZTX605STZ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 3.0462
5000+ ¥ 2.8714
8000+ ¥ 2.8215
12000+ ¥ 2.7965
库存: 20000
起订量: 2500 增量: 2000
交货地:
最小起订量为:2500
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