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ZXTP2012ZQTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 160mV@ 5A,500mA PNP 2.1W 7V 20nA 100V 60V 4.3A SOT-223,SOT-89 贴片安装 4.5mm*2.5mm*1.5mm
供应商型号: 26M-ZXTP2012ZQTA
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZXTP2012ZQTA

ZXTP2012ZQTA概述

    ZXTP2012Z 电子元器件技术手册解析

    1. 产品简介


    ZXTP2012Z 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 60V PNP 型低饱和导通中功率晶体管,封装形式为 SOT89。它设计用于高可靠性场景,广泛应用于多种工业及消费类电子产品中。作为一款高电流、低饱和电压的晶体管,ZXTP2012Z 的互补型 NPN 型号为 ZXTN2010Z。产品符合 RoHS 规范,并采用无卤素和锑材料,是一款绿色环保的产品。此外,该器件还通过了 AEC-Q101 认证,适用于汽车电子领域。
    主要功能和应用领域:
    - 主要功能:高压开关操作、电机驱动、背光逆变器控制、应急照明系统及用于驱动 MOSFET 和 IGBT 的门极电路。
    - 典型应用:
    - 紧急照明电路;
    - 直流风扇电机驱动;
    - 背光逆变器电源;
    - 功率开关;
    - 高电流门级驱动器。

    2. 技术参数


    以下是 ZXTP2012Z 的关键技术规格和电气特性:
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    ||
    | 击穿电压(集电极-基极) | BVCBO | — | — | -100 | V | IC = -100µA |
    | 击穿电压(集电极-发射极)| BVCER | — | — | -100 | V | IC = -1µA, RB ≤ 1kΩ |
    | 饱和压降(集电极-发射极)| VCE(SAT) | — | -65 | -20 | mV | IC = -1A, IB = -100mA |
    | 集电极电流 | IC | -4.3 | - | -15 | A | 集电极连续电流和峰值脉冲电流 |
    | 热阻抗(结到空气) | RθJA | 60 | 83 | — | °C/W | 不同安装方式下值不同 |
    | 工作温度范围 | TSTG | -55 | +25 | +150 | °C

    3. 产品特点和优势


    ZXTP2012Z 的核心特点和优势包括:
    - 高可靠性:通过 AEC-Q101 汽车电子认证,适合恶劣环境下的长期稳定运行。
    - 高电流承载能力:连续集电极电流高达 4.3A,瞬时峰值电流可达 15A。
    - 低饱和压降:VCE(SAT) 在 IC = -1A 下低于 -65mV,有效减少功耗并提升效率。
    - 环保特性:符合 RoHS、无卤素和无锑要求,满足现代绿色电子生产标准。
    - 多功能兼容性:适用于多种高功率应用场景,如紧急照明、电机控制及背光逆变器。

    4. 应用案例和使用建议


    根据技术手册的应用场景描述,ZXTP2012Z 可用于多个领域:
    - 应急照明系统:确保在电源故障时迅速切换至备用光源,需要低延迟开关性能。
    - 电机驱动:在高效电机控制系统中实现精准电流控制。
    - 背光逆变器:提供稳定的高电压输出以驱动 LED 或荧光灯。
    使用建议:
    - 选择合适的 PCB 尺寸和铜箔重量以优化热管理;
    - 确保电路设计符合 VCE(SAT) 和 IC 限制以避免过热;
    - 考虑外部散热片以提高功率密度。

    5. 兼容性和支持


    ZXTP2012Z 与同类电子器件具有良好的兼容性,尤其在汽车和工业领域中能无缝集成到现有系统中。Diodes Incorporated 提供全面的技术支持和 PPAP(生产件批准程序)能力,便于客户快速部署产品。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是根据手册内容归纳的一些常见问题及解决方法:
    1. 过热现象:建议增加 PCB 散热面积或安装散热片。
    2. 漏电流过大:检查电路设计,确保 RB ≥ 1kΩ。
    3. 开关速度不足:优化电路布线以减小寄生电感。

    7. 总结和推荐


    综上所述,ZXTP2012Z 是一款性能卓越的中功率晶体管,特别适用于高电流、高可靠性需求的应用场景。它的绿色环保属性和高性能使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐给需要稳定、可靠且高效解决方案的设计工程师和技术人员。
    最终结论:高度推荐使用 ZXTP2012Z,尤其针对高电流负载和严苛工作环境的用户群体。

ZXTP2012ZQTA参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 100V
配置 -
集电极截止电流 20nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
晶体管类型 PNP
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 160mV@ 5A,500mA
最大功率耗散 2.1W
最大集电极发射极饱和电压 0.215@ 500mA,5A
集电极电流 4.3A
VEBO-最大发射极基极电压 7V
长*宽*高 4.5mm*2.5mm*1.5mm
通用封装 SOT-223,SOT-89
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTP2012ZQTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTP2012ZQTA数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTP2012ZQTA ZXTP2012ZQTA数据手册

ZXTP2012ZQTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.1571
10+ ¥ 2.0124
100+ ¥ 1.9598
500+ ¥ 1.8859
1000+ ¥ 1.8173
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