处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXTN2010ZTA

ZXTN2010ZTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex NPN晶体管, SOT-89封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流5 A, 最大集电极-发射电压60 V
供应商型号: 11MZ-ZXTN2010ZTA
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZXTN2010ZTA

ZXTN2010ZTA概述

    ZXTN2010Z:60V NPN低饱和度中功率晶体管



    产品简介




    ZXTN2010Z 是一款采用SOT89封装的60V NPN低饱和中功率晶体管。该晶体管具有高连续电流(5A)、低饱和电压(<65mV)和较低的等效导通电阻(30mΩ),使其成为广泛应用于电源开关、电机驱动、紧急照明电路等多种场合的理想选择。其互补型PNP型号为ZXTP2012Z。


    技术参数




    - 最大额定值:
    - 集电极-基极电压(VCBO):150V
    - 集电极-发射极电压(VCEO):60V
    - 发射极-基极电压(VEBO):7V
    - 基极电流(IB):2A
    - 连续集电极电流(IC):5A
    - 峰值脉冲电流(ICM):20A

    - 热特性:
    - 最大功率耗散(PD):1.5W(25x25mm铜箔)
    - 热阻(RθJA):83°C/W(25x25mm铜箔)

    - 电气特性:
    - 集电极-基极击穿电压(BVCBO):150V至190V
    - 集电极-发射极击穿电压(BVCER, BVCEO):150V至190V
    - 发射极-基极击穿电压(BVEBO):7V至8.1V
    - 集电极截止电流(ICBO, ICER):<1nA至50nA
    - DC电流增益(hFE):100至300(IC=2A时)
    - 集电极-发射极饱和电压(VCE(SAT)):≤30mV(IC=1A时)
    - 基极-发射极饱和电压(VBE(SAT)):970mV至1100mV(IC=6A时)
    - 基极-发射极开启电压(VBE(ON)):910mV至1050mV(IC=6A时)


    产品特点和优势




    ZXTN2010Z 具有多项显著的技术优势:
    - 低饱和电压:VCE(SAT)<65mV,适用于高效率应用。
    - 高连续电流:最大5A的连续集电极电流,满足各种高功率需求。
    - 高可靠性:符合AEC-Q101标准,适用于汽车和工业应用。
    - 环保材料:采用无卤素、无锑的绿色材料,满足RoHS要求。
    - 易于焊接:带有无铅锡镀层,确保良好的焊接质量。


    应用案例和使用建议




    - 紧急照明电路:该晶体管可以用于需要稳定运行和高可靠性的紧急照明系统。
    - 电机驱动:适用于直流风扇和其他电机控制应用,确保电机高效运行。
    - 电源开关:可用于开关电源的设计,提供稳定的开关特性。
    - 门驱动器:驱动MOSFET和IGBT,保证快速响应和低功耗。

    使用建议:
    - 在使用时注意散热管理,尤其是在高功率应用下。
    - 确保焊接过程中使用合适的铜箔,以提高热导率。


    兼容性和支持




    - 兼容性:ZXTN2010Z 与多种电路设计兼容,适用于不同类型的印刷电路板。
    - 技术支持:Diodes Incorporated 提供全面的技术支持和售后服务,包括PPAP能力认证。


    常见问题与解决方案




    - 问题:如何正确安装ZXTN2010Z?
    - 解决方案:确保采用适当的铜箔布局,以提高散热效果。安装前检查引脚方向,避免安装错误。
    - 问题:如何进行焊接?
    - 解决方案:使用无铅焊料,确保焊接温度适中,避免损坏引脚。
    - 问题:如何提高散热效果?
    - 解决方案:通过增加散热片或使用散热更好的PCB布局来提高散热效果。


    总结和推荐




    总体来看,ZXTN2010Z 是一款高可靠性和高效率的晶体管,适用于多种应用场景。其低饱和电压和高连续电流的特点使其在电源管理和电机驱动方面表现出色。推荐在需要高性能和高可靠性的应用中使用该产品。

ZXTN2010ZTA参数

参数
集电极截止电流 50nA
集电极电流 5A
最大功率耗散 2.1W
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 230mV@ 300mA,6A
VCBO-最大集电极基极电压 150V
最大集电极发射极饱和电压 230mV@ 300mA,6A
VEBO-最大发射极基极电压 7V
晶体管类型 NPN
配置 独立式
4.6mm(Max)
2.6mm(Max)
1.6mm(Max)
通用封装 SOT-89-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTN2010ZTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTN2010ZTA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTN2010ZTA ZXTN2010ZTA数据手册

ZXTN2010ZTA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 0.9347
100+ ¥ 0.8011
300+ ¥ 0.701
1000+ ¥ 0.5903
5000+ ¥ 0.5608
库存: 59
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 9.34
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886