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ZTX449

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 1V@ 200mA,2A NPN 1W 5V 100nA 50V 30V 1A TO-92 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: ZTX449DI-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZTX449

ZTX449概述

    # ZTX449 NPN Silicon Planar Medium Power Transistor

    产品简介


    ZTX449是一款NPN硅平面中功率晶体管,具有多种显著的技术参数和电气特性,广泛应用于电源管理、驱动电路及信号放大等领域。该晶体管以其卓越的性能和可靠的工作稳定性,在各种电子设备中发挥着重要作用。

    技术参数


    以下是ZTX449的技术参数和电气特性:
    - 绝对最大额定值:
    - 集电极-基极电压(VCBO):50 V
    - 集电极-发射极电压(VCEO):30 V
    - 发射极-基极电压(VEBO):5 V
    - 峰值脉冲电流(ICM):2 A
    - 连续集电极电流(IC):1 A
    - 功耗(Ptot):1 W(Tamb = 25°C)
    - 工作和存储温度范围(Tj: Tstg):-55°C 至 +200°C
    - 电气特性(Tamb = 25°C):
    - 集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO):50 V(IC=100µA, IE=0)
    - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):30 V(IC=10mA, IB=0)
    - 发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO):5 V(IE=100µA, IC=0)
    - 集电极截止电流(ICBO):0.1 µA(VCB=40V, Tamb=100°C)
    - 发射极截止电流(IEBO):0.1 µA(VEB=4V, IC=0)
    - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):0.5 V 至 1 V(IC=1A, IB=100mA)
    - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):1.25 V(IC=1A, IB=100mA)
    - 基极-发射极导通电压(VBE(on)):1 V(IC=1A, VCE=2V)
    - 静态正向电流传输比(hFE):70 至 300(IC=50mA, VCE=2V)
    - 转换频率(fT):150 MHz(IC=50mA, VCE=10V)
    - 输出电容(Cobo):15 pF(VCB=10V, f=1MHz)

    产品特点和优势


    ZTX449具备以下独特的功能和优势:
    - 高耐压能力:能够承受高达30V的集电极-发射极电压,适用于高压环境的应用。
    - 大电流承载能力:可连续承载高达1A的电流,确保在大负载条件下的稳定运行。
    - 出色的开关速度:转换频率达到150 MHz,使其在高频应用中表现出色。
    - 宽工作温度范围:能够在-55°C至+200°C的极端环境下正常工作,提高了其在恶劣环境中的可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    ZTX449广泛应用于电源管理和驱动电路中。例如,在一个简单的线性电源设计中,它可以作为开关元件来控制输出电压,提供稳定的电源供应。在电机驱动电路中,ZTX449可以用于放大信号,控制电机的转速。
    使用建议
    - 在选择外围元件时,确保其电气特性符合ZTX449的要求,以避免过载。
    - 为了提高散热效果,可以考虑添加散热片或采用散热良好的封装。
    - 在实际应用中,注意测试其在极限条件下的表现,确保其符合预期的性能指标。

    兼容性和支持


    ZTX449符合TO92封装标准,与大多数相同封装的NPN晶体管具有良好的兼容性。制造商提供了详细的技术支持文档和售后服务,帮助用户解决使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何确定ZTX449的最大工作电流?
    解答:根据手册,ZTX449的最大连续集电极电流为1 A。若需长时间工作在较高电流下,应考虑使用散热措施并监控其温度,防止过热。
    问题2:ZTX449能否在高温环境中使用?
    解答:手册显示,ZTX449可以在-55°C至+200°C的温度范围内工作。但实际应用中仍需注意散热问题,以保证其正常运行。

    总结和推荐


    综上所述,ZTX449是一款性能优异、应用广泛的NPN硅平面中功率晶体管。它具有高耐压、大电流承载能力和优良的开关速度,适合用于多种应用场景。对于需要高性能和高可靠性的项目,强烈推荐使用ZTX449。

ZTX449参数

参数
最大功率耗散 1W
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1V@ 200mA,2A
VCBO-最大集电极基极电压 50V
集电极截止电流 100nA
集电极电流 1A
配置 独立式
VEBO-最大发射极基极电压 5V
最大集电极发射极饱和电压 1V
VCEO-集电极-发射极最大电压 30V
晶体管类型 NPN
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

ZTX449厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX449数据手册

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ZTX449封装设计

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