处理中...

首页  >  产品百科  >  ZTX694BSTZ

ZTX694BSTZ

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 500mV@ 5mA,400mA NPN 1mW 5V 100nA 120V 120V 500mA EP-3SC 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: 31-ZTX694BSTZTB-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 2000
DIODES 三极管(BJT) ZTX694BSTZ

ZTX694BSTZ概述

    ZTX694B NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor

    1. 产品简介


    ZTX694B是一款NPN硅平面中功率高增益晶体管。它设计用于多种应用场合,包括达林顿替换、继电器/电磁线圈驱动、电池供电电路和电机驱动。这种类型的晶体管以其高增益和低饱和电压而著称,能够为用户提供高效能的电力管理解决方案。

    2. 技术参数


    - 电气特性(Tamb = 25°C)
    - 集电极-基极击穿电压:V(BR)CBO ≥ 120V (IC=100µA)
    - 集电极-发射极击穿电压:V(BR)CEO ≥ 120V (IC=10mA)
    - 发射极-基极击穿电压:V(BR)EBO ≥ 5V (IE=100µA)
    - 集电极截止电流:ICBO ≤ 0.1µA (VCB=100V)
    - 发射极截止电流:IEBO ≤ 0.1µA (VEB=4V)
    - 集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) ≤ 0.5V (IC=400mA, IB=5mA)
    - 基极-发射极饱和电压:VBE(sat) ≤ 0.9V (IC=1A, IB=10mA)
    - 基极-发射极导通电压:VBE(on) ≤ 0.9V (IC=1A, VCE=2V)
    - 静态正向电流传输比:hFE 400 (IC=200mA, VCE=2V)
    - 热特性
    - 结温范围:Tj:Tstg -55°C to +200°C
    - 最大耗散功率:Ptot 1.5W (Tamb=25°C),超过25°C时每摄氏度下降5.7mW/°C
    - 热阻:Rth(j-amb)1 175°C/W,Rth(j-amb)2 116°C/W,Rth(j-case) 70°C/W
    - 过渡频率及开关时间
    - 转换频率:fT 130MHz (IC=50mA, VCE=5V)
    - 输入电容:Cibo 200pF (VEB=0.5V, f=1MHz)
    - 输出电容:Cobo 9pF (VCB=10V, f=1MHz)
    - 开关时间:ton 80ns,toff 2900ns (IC=100mA, IB=10mA)

    3. 产品特点和优势


    - 高增益: hFE高达400,在IC=200mA时,确保了更高的效率和更好的控制能力。
    - 低饱和电压: VCE(sat)最低可达0.25V,减少功耗,提高整体性能。
    - 宽温度范围: 操作和存储温度范围为-55°C至+200°C,适用于恶劣环境。
    - 卓越的热稳定性: 具备良好的散热设计,保证长时间稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    ZTX694B晶体管广泛应用于各种高电流需求的应用,如电池供电设备、电机驱动、继电器驱动等。具体应用中应注意以下几点:
    - 电源转换器: 利用其高增益和低饱和电压,提升电源转换效率。
    - 电池供电设备: 由于低功耗特性,适合电池供电设备,延长电池寿命。
    - 电机驱动: 低饱和电压可以减少电机驱动时的能量损失,提高系统效率。

    5. 兼容性和支持


    ZTX694B采用了TO92封装,与市场上多数标准封装兼容。制造商提供详尽的技术支持,包括应用指南、设计工具和详细的故障排除指南,帮助用户快速上手。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: VCE(sat)过高
    - 解决方案: 检查IB值是否足够大以降低VCE(sat)。适当增加基极电流。

    - 问题2: 温度过高
    - 解决方案: 确保散热片正确安装并有足够的散热面积,或降低工作频率以减少发热。

    7. 总结和推荐


    总体来看,ZTX694B是一款性能优异、适用范围广的晶体管。其高增益、低饱和电压及宽温范围等特点使其成为电机驱动、电源转换和电池供电设备的理想选择。强烈推荐使用这款晶体管,尤其是在对效率和可靠性有较高要求的应用场合。

ZTX694BSTZ参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 120V
最大集电极发射极饱和电压 0.5@ 5mA,400mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 5mA,400mA
集电极电流 500mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 120V
最大功率耗散 1mW
晶体管类型 NPN
集电极截止电流 100nA
配置 独立式
VEBO-最大发射极基极电压 5V
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 EP-3SC
安装方式 导线安装,通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 盒装

ZTX694BSTZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX694BSTZ数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX694BSTZ ZTX694BSTZ数据手册

ZTX694BSTZ封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ $ 0.4146 ¥ 3.4697
4000+ $ 0.3833 ¥ 3.2077
6000+ $ 0.3673 ¥ 3.0743
10000+ $ 0.351 ¥ 2.9374
库存: 8000
起订量: 2000 增量: 1
交货地:
最小起订量为:2000
合计: ¥ 6939.4
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886