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ZTX560STZ

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 500mV@ 10mA,50mA PNP 1W -5V 100nA -500V 500V 150mA 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: R-TDSTD8570
供应商: 海外现货
标准整包数: 2000
DIODES 三极管(BJT) ZTX560STZ

ZTX560STZ概述

    ZTX560 PNP Silicon Planar High Voltage Transistor

    1. 产品简介


    ZTX560 是一款由 Zetex Semiconductors 公司生产的高性能 PNP 硅平面高压晶体管。它广泛应用于各类需要高电压和高电流驱动的应用中,如开关电源、工业自动化控制以及汽车电子等领域。

    2. 技术参数


    ZTX560 的技术规格如下:
    - 最大绝对额定值
    - 集电极-基极电压:VCBO = -500 V
    - 集电极-发射极电压:VCEO = -500 V
    - 发射极-基极电压:VEBO = -5 V
    - 峰值脉冲电流:ICM = -500 mA
    - 连续集电极电流:IC = -150 mA
    - 功耗:Ptot = 1 W
    - 工作温度范围:Tj:Tstg = -55°C 至 +150°C
    - 电气特性(Ta = 25°C)
    - 集电极-基极击穿电压:V(BR)CBO = -500 V (IC = -100 µA)
    - 集电极-发射极击穿电压:VBR(CEO) = -500 V (IC = -10 mA)
    - 发射极-基极击穿电压:V(BR)EBO = -5 V (IE = -100 µA)
    - 集电极截止电流:ICBO = -100 nA (VCB = -500 V; VCE = -500 V)
    - 发射极截止电流:IEBO = -100 nA (VEB = -5 V)
    - 集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = -0.2 V 至 -0.5 V (IC = -20 mA, IB = -2 mA; IC = -50 mA, IB = -10 mA)
    - 基极-发射极饱和电压:VBE(sat) = -0.9 V (IC = -50 mA, IB = -10 mA)
    - 静态正向电流传输比:hFE = 100 至 300 (IC = -1 mA, VCE = -10 V; IC = -50 mA, VCE = -10 V; IC = -100 mA, VCE = -10 V)
    - 转换频率:fT = 60 MHz (VCE = -20 V, IC = -10 mA, f = 50 MHz)
    - 输出电容:Cobo = 8 pF (VCB = -20 V, f = 1 MHz)
    - 开关时间:ton = 110 ns, toff = 1.5 µs (VCE = -100 V, IC = -50 mA, IB1 = -5 mA, IB2 = 10 mA)

    3. 产品特点和优势


    ZTX560 具有以下显著特点和优势:
    - 出色的 hFE 特性:在集电极电流达到 50 mA 时仍能保持良好的增益特性。
    - 低饱和电压:具有较低的集电极-发射极饱和电压,有效降低功耗并提高效率。
    - 高可靠性:宽泛的工作温度范围使其适用于各种恶劣环境。
    - 快速开关性能:具备优异的开关特性,适用于高速切换应用。

    4. 应用案例和使用建议


    ZTX560 可广泛应用于多种场景,如开关电源、工业自动化设备及汽车电子系统。例如,在开关电源中,ZTX560 可作为开关管用于降压或升压电路,实现高效能源转换。建议在使用时注意散热管理,特别是在高电流环境下,以确保可靠运行。

    5. 兼容性和支持


    ZTX560 兼容现有的电子设计标准,支持广泛的电路配置。制造商提供了详尽的技术支持,包括样品申请、数据表和技术文档。此外,还有全球性的分销网络提供全面的服务和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何处理过热问题?
    A: 通过添加适当的散热片或散热器来降低工作温度,确保在正常操作范围内。

    - Q: 如何避免电压过冲?
    A: 使用外部 RC 滤波器来平滑输出电压,减少开关过程中的电压波动。

    7. 总结和推荐


    综上所述,ZTX560 是一款性能卓越的高压 PNP 晶体管,具备出色的 hFE 特性、低饱和电压和高可靠性。其优异的电气特性和广泛应用范围使其成为许多高端应用的理想选择。强烈推荐在需要高压和大电流驱动的应用中采用此产品。

ZTX560STZ参数

参数
集电极电流 150mA
最大功率耗散 1W
配置 独立式
VCEO-集电极-发射极最大电压 500V
VCBO-最大集电极基极电压 -500V
晶体管类型 PNP
集电极截止电流 100nA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 10mA,50mA
最大集电极发射极饱和电压 500mV@ 10mA,50mA
VEBO-最大发射极基极电压 -5V
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装,弹夹装

ZTX560STZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX560STZ数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX560STZ ZTX560STZ数据手册

ZTX560STZ封装设计

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