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ZTX601STZ

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.2V@ 10mA,1A NPN - 达林顿 1W 10V 10μA 180V 160V 1A TO-92 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: AV-S-DIIZTX601STZ
供应商: Avnet
标准整包数: 2000
DIODES 三极管(BJT) ZTX601STZ

ZTX601STZ概述

    NPN Silicon Planar Medium Power Darlington Transistors

    产品简介


    NPN硅平面中功率达林顿晶体管(NPN Silicon Planar Medium Power Darlington Transistors)是一种双极型晶体管,结合了两个独立的BJT(双极型晶体管),以提供更高的电流放大倍数(增益)。这类晶体管广泛应用于工业控制、电源管理、电机驱动和其他需要高增益和大电流的应用场合。

    技术参数


    以下是根据技术手册中提供的信息整理的技术参数:
    - 最大电压参数
    - 集电极-基极电压 \( V{CBO} \): 160V (ZTX600), 180V (ZTX601)
    - 集电极-发射极电压 \( V{CBO} \): 140V (ZTX600), 160V (ZTX601)
    - 发射极-基极电压 \( V{EBO} \): 10V
    - 最大电流参数
    - 峰值脉冲电流 \( I{CM} \): 4A
    - 连续集电极电流 \( IC \): 1A
    - 功耗
    - 在25°C时的最大功耗 \( P{tot} \): 1W (ZTX600), 5.7W (ZTX601),且功耗随温度上升线性下降,每升高1°C减少5.7mW。
    - 工作和存储温度范围
    - 结温和存储温度范围: -55°C 到 +200°C
    - 电气特性
    - 最大漏电流:
    - 集电极-基极漏电流 \( I{CBO} \): 0.01至10μA
    - 发射极-基极漏电流 \( I{EBO} \): 0.1μA
    - 集电极-发射极漏电流 \( I{CES} \): 10μA
    - 饱和电压
    - 集电极-发射极饱和电压 \( V{CE(sat)} \): 0.75V至1.2V
    - 基极-发射极饱和电压 \( V{BE(sat)} \): 1.7V至1.9V
    - 增益
    - 静态正向电流传输比 \( h{FE} \): 1K至100K(具体取决于条件)

    产品特点和优势


    - 高增益:可达5K(在集电极电流为1A时),提供了更高的电流放大能力。
    - 高可靠性:能在较宽的工作温度范围内稳定运行。
    - 低饱和电压:减少了功耗,适用于需要高效能的应用场合。
    - 良好的散热性能:通过有效的散热设计,提高了长期工作的稳定性。

    应用案例和使用建议


    这些晶体管常用于以下应用场景:
    - 工业控制系统中的功率驱动。
    - 电动机控制和驱动。
    - 电源管理和转换系统。
    - 需要高增益和大电流输出的应用。
    使用建议:
    - 确保电路设计合理,避免过载导致的损坏。
    - 使用散热器或其他冷却方式,确保晶体管在安全工作温度范围内。
    - 按需选择合适的负载电阻,以保证增益和电流的匹配。

    兼容性和支持


    这些晶体管兼容常见的TO92封装标准,易于在各种板卡上安装。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括详细的电气特性和使用指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 温度过高导致功耗增加。
    - 解决方案: 使用散热器或者增强散热措施,确保环境温度符合规范。

    - 问题: 电流过大导致烧毁。
    - 解决方案: 严格按手册要求配置电路,使用合适阻值的负载电阻。

    总结和推荐


    综上所述,NPN硅平面中功率达林顿晶体管是一款具备高增益、可靠性和低功耗的高性能产品。它们适用于广泛的工业和消费电子产品中,尤其是那些需要强大电流驱动的应用。尽管成本相对较高,但考虑到其卓越的性能和广泛的应用领域,非常值得推荐。

ZTX601STZ参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 10V
集电极截止电流 10μA
晶体管类型 NPN - 达林顿
集电极电流 1A
VCEO-集电极-发射极最大电压 160V
最大集电极发射极饱和电压 -
最大功率耗散 1W
VCBO-最大集电极基极电压 180V
配置 独立式
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1.2V@ 10mA,1A
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装,弹夹装

ZTX601STZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX601STZ数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX601STZ ZTX601STZ数据手册

ZTX601STZ封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ $ 0.288 ¥ 2.5488
6000+ $ 0.2854 ¥ 2.526
库存: 126000
起订量: 2000 增量: 2000
交货地:
最小起订量为:2000
合计: ¥ 5097.6
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