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ZTX690B

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流2 A, 最大集电极-发射电压45 V
供应商型号: 30C-ZTX690B EP3SC
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZTX690B

ZTX690B概述


    产品简介


    NPN硅平面中功率高增益晶体管
    产品类型:NPN硅平面中功率高增益晶体管
    主要功能:具有高增益(可达400)和非常低的饱和电压,适用于多种驱动和控制应用。
    应用领域:
    - 替代达林顿对管
    - 汽车蜂鸣器驱动
    - 电池供电电路
    - 电机驱动

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO):45 V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO):45 V
    - 发射极-基极电压 (VEBO):5 V
    - 峰值脉冲电流 (ICM):6 A
    - 连续集电极电流 (IC):2 A
    - 最大功耗 (Ptotp):1.5 W
    - 在Ta=25°C时的功耗:15 W;每上升1°C降额7 mW/°C
    - 工作和存储温度范围 (Tj:Tstg):-55°C 至 +200°C
    电气特性
    - 集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO):45 V @ IC=100µA
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO):45 V @ IC=10mA
    - 发射极-基极击穿电压 (V(BR)EBO):5 V @ IE=100µA
    - 集电极截止电流 (ICBO):0.1 µA @ VCB=35V
    - 发射极截止电流 (IEBO):0.1 µA @ VEB=4V
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)):典型值0.5V @ IC=0.1A, IB=0.5mA; 1A, IB=5mA
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)):0.9 V @ IC=1A, IB=10mA
    - 基极-发射极导通电压 (VBE(on)):0.9 V @ IC=1A, VCE=2V
    - 静态正向电流转移比 (hFE):典型值400 @ IC=100mA, VCE=2V; 1A, VCE=2V; 2A, VCE=2V
    - 转换频率 (fT):150 MHz @ IC=50mA, VCE=5V
    - 输入电容 (Cibo):200 pF @ VEB=0.5V, f=1MHz
    - 输出电容 (Cobo):16 pF @ VCB=10V, f=1MHz
    - 开关时间 (ton):330 ns @ IC=500mA, IB=50mA
    - 关断时间 (toff):1300 ns @ IB=50mA, VCC=10V
    热特性
    - 结到环境热阻 (Rth(j-amb)1):175 °C/W
    - 结到环境热阻 (Rth(j-amb)2):116 °C/W
    - 结到外壳热阻 (Rth(j-case)):70 °C/W

    产品特点和优势


    - 高增益:在典型条件下可达400,确保良好的信号放大能力。
    - 低饱和电压:显著降低了能耗,适合于电池供电的应用场景。
    - 宽温度范围:能在极端环境下稳定工作,包括低温至高温区间。
    - 卓越的电气特性:高频率响应和快速开关时间,提升了整体性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 汽车蜂鸣器驱动:利用其高增益特性,在小电流情况下实现较强的驱动效果。
    - 电机驱动:凭借其低饱和电压和高电流处理能力,驱动直流电机或步进电机。
    使用建议
    - 确保安装符合PCB铜箔最小1平方英寸的要求,以保证散热性能。
    - 针对高电流应用,适当增大PCB铜箔面积或添加散热片。
    - 应用在高频信号处理时,需考虑电容和频率响应的影响。

    兼容性和支持


    - 本产品与现有NPN晶体管兼容,可直接替代某些应用中的其他型号。
    - 厂商提供详尽的技术支持和售后保障,确保用户可以顺畅使用。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品安装后过热
    - 解决方案:检查PCB铜箔是否满足要求,适当增加散热措施。

    2. 问题:无法达到预期的电流传输比
    - 解决方案:核实安装是否正确,尤其是基极电流设定。必要时可调整外部电路参数。

    3. 问题:频繁出现漏电流
    - 解决方案:确认使用过程中是否存在静电放电或瞬时过压情况,采取防护措施。

    总结和推荐


    该NPN硅平面中功率高增益晶体管在信号放大和电源驱动方面表现优异,特别适合于需要高效能和低功耗的应用。结合其出色的电气特性和广泛的工作温度范围,无论是消费电子还是工业控制领域,都有广阔的应用前景。强烈推荐使用这款晶体管,特别是对于需要在苛刻环境下工作的系统而言。

ZTX690B参数

参数
最大功率耗散 1W
VEBO-最大发射极基极电压 5V
VCBO-最大集电极基极电压 45V
晶体管类型 NPN
集电极截止电流 100nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 45V
最大集电极发射极饱和电压 500mV@ 5mA,1A
配置 独立式
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 5mA,1A
集电极电流 2A
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 EP-3SC
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

ZTX690B厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX690B数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX690B ZTX690B数据手册

ZTX690B封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.134
100+ ¥ 1.716
1000+ ¥ 1.529
2000+ ¥ 1.441
4000+ ¥ 1.375
库存: 2405
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