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ZTX550STZ

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 250mV@ 15mA,150mA PNP 1W 5V 100nA 60V 45V 1A TO-92 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号:
供应商: 海外现货
标准整包数: 10
DIODES 三极管(BJT) ZTX550STZ

ZTX550STZ概述


    产品简介


    本篇技术手册介绍了PNP硅平面型中功率晶体管(PNP Silicon Planar Medium Power Transistors),型号为ZTX550和ZTX551。这类晶体管主要应用于电子设备中的功率放大和开关控制,广泛用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。这些晶体管具有出色的稳定性和可靠性,是各种电源管理应用的理想选择。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | ZTX550 | ZTX551 | 单位 |

    | 集电极-基极电压 | VCBO | -60 | -80 | V |
    | 集电极-发射极电压 | VCEO | -45 | -60 | V |
    | 发射极-基极电压 | VEBO | -5 | -5 | V |
    | 峰值脉冲电流 | ICM | -2 A |
    | 连续集电极电流 | IC | -1 A |
    | 功率耗散 | Ptot | 1 W |
    | 贮存和操作温度范围 | Tj:Tstg | -55至+200 | -55至+200 | °C |
    电气特性(Tamb = 25°C)
    | 参数 | 符号 | ZTX550 | ZTX551 | 单位 | 条件 |
    |
    | 集电极-基极击穿电压 | V(BR)CBO | -60 | -80 | V | IC=-100µA |
    | 集电极-发射极保持电压 | VCEO(sus) | -45 | -60 | V | IC=-10mA |
    | 发射极-基极击穿电压 | V(BR)EBO | -5 | -5 | V | IE=-100µA |
    | 集电极截止电流 | ICBO | -0.1 | -0.1 | µA | VCB=-45V |
    | 发射极截止电流 | IEBO | -0.1 | -0.1 | µA | VEB=-4V |
    | 饱和电压(集电极-发射极) | VCE(sat) | -0.25 | -0.35 | V | IC=-150mA, IB=-15mA |
    | 饱和电压(基极-发射极) | VBE(sat) | -1.1 | -1.1 | V | IC=-150mA, IB=-15mA |
    | 静态正向电流传输比 | hFE | 100 | 15 IC=-150mA, VCE=-10V |
    | 转换频率 | fT | 150 | 150 | MHz | IC=-50mA, VCE=-10V, f=100MHz |

    产品特点和优势


    - 高可靠性:ZTX550和ZTX551具有良好的耐温特性和宽广的工作温度范围,使其能够在恶劣环境下稳定运行。
    - 高性能:这些晶体管的转换频率高达150 MHz,静态正向电流传输比范围广泛,能够满足各种复杂应用的需求。
    - 适用性广:无论是连续电流还是峰值脉冲电流,都能提供稳定可靠的性能,适用于多种应用场景。

    应用案例和使用建议


    这些晶体管在多个领域都有广泛应用,如电源管理和开关电路。例如,在电源管理应用中,ZTX550和ZTX551可以作为稳压器的关键组件,帮助调节和控制输出电压。在开关电路中,它们可以用作高频率信号的开关元件,确保电路的稳定性和可靠性。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,建议使用ZTX551型号,以获得更高的连续集电极电流。
    - 在需要更高可靠性的应用中,注意使用合适的散热措施,避免过热导致损坏。

    兼容性和支持


    这些晶体管与标准的TO92封装兼容,便于安装和更换。厂商提供了详细的技术支持和售后服务,包括使用指南和故障排查手册,帮助用户更好地利用这些产品的功能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的环境温度导致晶体管无法正常工作。
    解决方案:增加散热片或改善散热条件,确保晶体管处于规定的温度范围内。
    2. 问题:电流不稳定或超出额定值。
    解决方案:检查外部电路连接和负载情况,确保不超过晶体管的额定电流。

    总结和推荐


    ZTX550和ZTX551是高性能的PNP硅平面型中功率晶体管,适合于各种高要求的应用场景。凭借其卓越的电气特性和稳定性,这些晶体管在市场上具有很强的竞争力。总体来说,强烈推荐使用ZTX550和ZTX551来提升电子设备的性能和可靠性。

ZTX550STZ参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 15mA,150mA
VEBO-最大发射极基极电压 5V
VCEO-集电极-发射极最大电压 45V
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 15mA,150mA
最大功率耗散 1W
集电极电流 1A
集电极截止电流 100nA
晶体管类型 PNP
VCBO-最大集电极基极电压 60V
配置 独立式
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装,弹夹装

ZTX550STZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX550STZ数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX550STZ ZTX550STZ数据手册

ZTX550STZ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1129
100+ ¥ 2.9513
500+ ¥ 2.7923
1000+ ¥ 2.6356
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