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ZXTN25020DFLTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex NPN晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流2 A, 最大集电极-发射电压20 V
供应商型号: 30C-ZXTN25020DFLTA SOT23
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZXTN25020DFLTA

ZXTN25020DFLTA概述


    产品简介


    ZXTN25020DFL是一款先进的SOT23封装NPN低功耗晶体管,适用于需要高脉冲电流的应用场景。其设计基于先进的制造工艺,能够实现高电流增益保持能力,使其成为MOSFET和IGBT门驱动、直流-直流转换、LED驱动以及低电压集成电路与负载接口的理想选择。该产品具有互补版本ZXTP25020DFL,方便用户根据具体需求灵活选用。

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
    |
    | 集电极-基极击穿电压 | - | 100 | 125 | V | IC = 100μA |
    | 集电极-发射极击穿电压(正向阻断) | - | 100 | 120 | V | IC = 100μA; RBE < 1kΩ 或 -1V < VBE < 0.25V |
    | 集电极-发射极击穿电压(开路基极) | 20 | 35 | V | IC = 10mA (), 脉冲条件 |
    | 发射极-集电极击穿电压(反向阻断) | 6 | 8 | V | IE = 100μA, RBC < 1kΩ 或 0.25V > VBC > -0.25V |
    | 发射极-基极击穿电压 | 7 | 8.3 | V | IE = 100μA |
    | 集电极截止电流 | <1 | 50 | nA | VCB = 80V |
    | 基极截止电流 | <1 | 50 | nA | VEB = 5.6V |
    | 集电极-发射极饱和电压 | 60 | 70 | mV | IC = 1A, IB = 100mA() |
    | 基极-发射极饱和电压 | 895 | 1000 | mV | IC = 2A, IB = 40mA() |
    | 静态前向电流增益 | 300 | 450 | 900 IC = 10mA, VCE = 2V() |
    | 开关频率 | - | 215 | MHz IC = 50mA, VCE = 10V, f = 100MHz |

    产品特点和优势


    ZXTN25020DFL晶体管以其卓越的性能特点脱颖而出:高脉冲电流能力、低饱和电压(VCE(SAT)<70mV@1A)、以及高达100V的正向阻断电压,使其在各种高压、高电流应用场景中表现出色。此外,其小型SOT23封装不仅节省空间,还提升了整体设计的灵活性和可靠性。这些特性使其在市场上具有显著的竞争优势。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - MOSFET和IGBT门驱动:该晶体管可用于控制高功率器件,确保开关过程高效可靠。
    - LED驱动:低饱和电压有效减少了功率损耗,提高能效。
    - DC-DC转换:在电源管理模块中,提供稳定的电流输出,满足动态负载需求。
    使用建议
    - 在高频应用中,建议搭配高速滤波电路以减少寄生效应。
    - 设计时应考虑热管理,避免因过热导致性能下降。

    兼容性和支持


    ZXTN25020DFL与其他标准电子元器件高度兼容,适合集成到现有系统中。厂商提供了全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用产品并获得最佳效果。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 晶体管发热严重 | 检查散热设计是否合理;增加散热片或风扇。 |
    | 开关速度慢 | 确保驱动电路匹配合适;检查布线长度和电感值。 |
    | 输出电流不足 | 检查输入电压是否足够;确认负载是否正常连接。 |

    总结和推荐


    综上所述,ZXTN25020DFL是一款高性能、多功能的NPN低功耗晶体管,广泛适用于多种电子应用领域。其高电流增益保持能力、低饱和电压及优良的热管理性能使其在市场上具有强大的竞争力。对于需要高效率和稳定性的项目,我们强烈推荐使用此产品。同时,厂商提供的技术支持和服务保障也为用户的长期使用提供了可靠保证。

ZXTN25020DFLTA参数

参数
最大功率耗散 350mW
集电极截止电流 50nA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 270mV@ 450mA,4.5A
VCEO-集电极-发射极最大电压 20V
配置 独立式
VCBO-最大集电极基极电压 100V
晶体管类型 NPN
VEBO-最大发射极基极电压 7V
最大集电极发射极饱和电压 270mV@ 450mA,4.5A
集电极电流 2A
长*宽*高 3.05mm*1.4mm*1mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTN25020DFLTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTN25020DFLTA数据手册

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ZXTN25020DFLTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.221
200+ ¥ 0.9383
1500+ ¥ 0.8162
3000+ ¥ 0.7095
45000+ ¥ 0.704
60000+ ¥ 0.6974
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