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2DB1132R-13

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 500mV@ 50mA,500mA PNP 2W 5V 500nA 40V 32V 1A SOT-89-3 贴片安装 4.5mm*2.48mm*1.5mm
供应商型号: 30C-2DB1132R-13 SOT89
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) 2DB1132R-13

2DB1132R-13概述

    2DB1132P/Q/R 32V PNP POWER SWITCHING TRANSISTOR IN SOT-89

    产品简介


    2DB1132P/Q/R 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 32V PNP 功率开关晶体管,采用 SOT-89 封装。它主要用于中等功率的开关或放大应用,并且能够承受高电压。此外,该晶体管具备优秀的环境友好特性,符合RoHS标准,无卤素和锑化物。

    技术参数


    - 最大电压:
    - 集电极-基极电压 (VCBO): -40V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): -32V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): -5V
    - 电流参数:
    - 持续集电极电流 (IC): -1A
    - 峰值脉冲电流 (ICM): -2A
    - 热特性:
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 1W (单层铜箔 1oz)
    - 1.5W (单层铜箔 25mm x 25mm)
    - 2.0W (单层铜箔 50mm x 50mm)
    - 热阻抗:
    - 结至环境空气的热阻 (RθJA): 125°C/W (单层铜箔 1oz), 83°C/W (单层铜箔 25mm x 25mm), 60°C/W (单层铜箔 50mm x 50mm)
    - 结至引脚的热阻 (RθJL): 22°C/W
    - 温度范围:
    - 操作和存储温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 静电放电 (ESD):
    - 人体模型 ESD (HBM): 4000V (JEDEC Class 3A)
    - 机器模型 ESD (MM): 400V (JEDEC Class C)

    产品特点和优势


    2DB1132P/Q/R 具备以下特点和优势:
    - 支持自动化装配过程
    - 完全无铅且符合RoHS标准
    - 符合AEC-Q101标准,适用于高可靠性应用
    - 温度范围宽(-55°C 到 +150°C),适合极端环境
    - 具有高抗静电放电能力

    应用案例和使用建议


    2DB1132P/Q/R 主要应用于中等功率的开关和放大器电路。例如,在电机控制、继电器驱动和其他需要高可靠性的应用中表现出色。使用建议如下:
    - 在设计电路时,确保散热措施充分,特别是在连续运行或高峰值脉冲电流的情况下
    - 使用大铜箔区域以减少热阻,提高散热效果

    兼容性和支持


    该产品可以与其他标准SOT-89封装的器件互换使用。制造商提供了详尽的技术文档和应用指南,用户可以通过Diodes Incorporated的官方网站获取这些资源。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 晶体管过热怎么办?
    - 解决办法: 添加散热片或增加铜箔面积,降低热阻。
    - 问题2: 静电放电导致损坏怎么办?
    - 解决办法: 在装配过程中采取防静电措施,如佩戴防静电手环。

    总结和推荐


    总体而言,2DB1132P/Q/R是一款具有高度可靠性和广泛应用范围的PNP功率开关晶体管。它具备出色的性能参数和广泛的工作温度范围,是电机控制、继电器驱动和其他高可靠性应用的理想选择。强烈推荐给需要高可靠性和高性能晶体管的设计工程师。
    该综述涵盖了2DB1132P/Q/R的主要技术细节和应用指导,旨在为工程师提供全面的信息以便更好地利用这款产品。

2DB1132R-13参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 40V
集电极截止电流 500nA
VEBO-最大发射极基极电压 5V
VCEO-集电极-发射极最大电压 32V
配置 独立式
最大功率耗散 2W
集电极电流 1A
最大集电极发射极饱和电压 500mV@ 50mA,500mA
晶体管类型 PNP
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 50mA,500mA
长*宽*高 4.5mm*2.48mm*1.5mm
通用封装 SOT-89-3
安装方式 贴片安装
应用等级 商用级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

2DB1132R-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

2DB1132R-13数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES 2DB1132R-13 2DB1132R-13数据手册

2DB1132R-13封装设计

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1250+ ¥ 0.4474
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