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ZTX451STZ

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 350mV@ 15mA,150mA NPN 1W 5V 100nA 80V 60V 1A EP-3SC 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: 522-ZTX451STZ
供应商: Mouser
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZTX451STZ

ZTX451STZ概述


    产品简介




    NPN硅平面中功率晶体管(ZTX450/ZTX451)

    NPN硅平面中功率晶体管是一种广泛应用于多种电子设备中的关键组件。该晶体管具有高效能和可靠性,适用于需要高电流驱动的应用场合。ZTX450和ZTX451型号均为NPN型晶体管,设计用于处理高达60V的电压和1A的连续电流,能够承受1W的功率消耗。它们主要应用于消费电子产品、工业控制设备以及汽车电子系统等领域。


    技术参数




    绝对最大额定值

    - 集电极-基极电压 (VCBO): 60V (ZTX450), 80V (ZTX451)
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 45V (ZTX450), 60V (ZTX451)
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 5V
    - 峰值脉冲电流 (ICM): 2A
    - 连续集电极电流 (IC): 1A
    - 功率耗散 (Ptot):1W(在Ta=25°C)
    - 工作及存储温度范围 (Tj:Tstg): -55°C 到 +200°C

    电气特性(在Ta=25°C条件下)

    - 集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO): 60V (ZTX450), 80V (ZTX451),IC=100μA
    - 集电极-发射极维持电压 (VCEO(sus)): 45V (ZTX450), 60V (ZTX451),IC=10mA
    - 发射极-基极击穿电压 (V(BR)EBO): 5V,IE=100μA
    - 集电极截止电流 (ICBO): 0.1μA (VCB=45V), 0.1μA (VCB=60V)
    - 发射极截止电流 (IEBO): 0.1μA,VEB=4V
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 0.25V (IC=150mA, IB=15mA),0.35V (IC=1A, VCE=10V)
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)): 1.1V (IC=150mA, IB=15mA),1.1V (IC=1A, VCE=10V)
    - 静态正向电流增益 (hFE): 100 (IC=150mA, VCE=10V),300 (IC=1A, VCE=10V)
    - 转换频率 (fT): 150MHz (IC=50mA, VCE=10V, f=100MHz)
    - 输出电容 (Cobo): 15pF (VCB=10V, f=1MHz)


    产品特点和优势




    ZTX450和ZTX451型号的主要优势在于其卓越的可靠性和宽泛的工作电压范围。这些晶体管的高电流承载能力使其适用于大电流应用,而其良好的散热性能确保了稳定运行。此外,由于其较低的饱和电压,这些晶体管可有效降低功耗,提高整体效率。特别是在汽车电子和工业控制领域,这些特性显得尤为关键。


    应用案例和使用建议




    应用案例

    ZTX450和ZTX451被广泛应用于各种电子控制系统中。例如,在汽车点火系统中,它们作为开关器件,可以有效地控制电路的通断;在工业自动化设备中,这些晶体管常用于电机控制和信号放大。

    使用建议

    1. 在使用过程中,要确保晶体管的集电极-发射极电压不超过规定的最大值,以避免损坏。
    2. 根据负载情况选择合适的驱动电流,避免过载。
    3. 注意保持良好的散热措施,特别是在连续高电流工作时。


    兼容性和支持




    ZTX450和ZTX451型号采用标准TO92封装,与市面上大多数同类产品兼容。制造商提供了详尽的技术支持文档,并承诺在保修期内提供优质的售后服务。


    常见问题与解决方案




    1. 问题:晶体管过热
    - 解决方案:增加散热片,改善通风条件,或者使用外部风扇进行强制冷却。

    2. 问题:电流不稳定
    - 解决方案:检查连接线路是否松动或存在短路现象,确认电源电压符合要求。


    总结和推荐




    综上所述,ZTX450和ZTX451型号是高性能的NPN硅平面中功率晶体管,具有出色的性能和可靠性。它们适用于需要高电流驱动的应用场合,如汽车电子、工业自动化等领域。鉴于其优异的电气特性和广泛的应用前景,我们强烈推荐使用这两个型号的晶体管。

ZTX451STZ参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 350mV@ 15mA,150mA
配置 独立式
最大功率耗散 1W
VEBO-最大发射极基极电压 5V
集电极电流 1A
集电极截止电流 100nA
晶体管类型 NPN
最大集电极发射极饱和电压 350mV@ 15mA,150mA
VCBO-最大集电极基极电压 80V
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 EP-3SC
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装

ZTX451STZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX451STZ数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX451STZ ZTX451STZ数据手册

ZTX451STZ封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.874 ¥ 7.3853
10+ $ 0.613 ¥ 5.1794
100+ $ 0.4004 ¥ 3.3834
500+ $ 0.3283 ¥ 2.7743
1000+ $ 0.2797 ¥ 2.3636
2000+ $ 0.257 ¥ 2.172
4000+ $ 0.2441 ¥ 2.0625
库存: 433
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