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ZXTP07012EFFTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 340mV@ 80mA,4A PNP 2W 7V 50nA 12V 12V 4A SOT-23F 贴片安装
供应商型号: 30C-ZXTP07012EFFTA SOT23F
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZXTP07012EFFTA

ZXTP07012EFFTA概述

    # ZXTP07012EFF 技术手册解读

    产品简介


    ZXTP07012EFF 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 12V PNP 低饱和电压晶体管,采用 SOT23F 封装。该产品专为需要高增益和极低饱和电压的应用设计,例如开关电源、功率放大器及电机驱动等场景。其行业标准 SOT23 封装形式确保了出色的功率密度表现,同时具有较低的高度设计,适合对空间要求较高的应用场合。
    主要功能
    - 支持高增益特性,最大电流传输比 hFE 达到 1500。
    - 饱和电压极低(VCE(SAT)<75mV @ 1A),适配高效能电路。
    - 最大连续集电极电流达到 -4A,具有高可靠性。
    - 独立的 NPN 对应型号为 ZXTN07012EFF,便于匹配使用。
    应用领域
    - Boost 转换器
    - 功率 MOSFET 和 IGBT 驱动
    - 灯具及继电器驱动
    - 各类电机驱动
    - 声光警报驱动

    技术参数


    以下是 ZXTP07012EFF 的关键技术规格:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 备注 |
    |
    | 集电极-基极击穿电压 | -12 | -23 | — | V | IC = -100µA |
    | 集电极-发射极击穿电压 | -12 | -16 | — | V | IC = -10mA |
    | 发射极-基极击穿电压 | -7 | -8.4 | — | V | IE = -100µA |
    | 集电极-发射极饱和电压 | — | -80 | -350 | mV | IC = -0.5A 至 -6A |
    | 输入电容 | — | 223 | — | pF | VEB = -0.5V, f = 1MHz |
    | 输出电容 | — | 49 | 60 | pF | VCB = -8V, f = 1MHz |
    | 静态电流传输比 (hFE) | 150 | 500 | 1500 | — | IC = -10mA 至 -6A |
    此外,ZXTP07012EFF 还支持高达 1.5W 的功率耗散,可承受最高 -4A 的连续集电极电流,并满足严格的 AEC-Q101 标准,适用于汽车及工业级应用。

    产品特点和优势


    1. 高性能:极低的饱和电压(<75mV)和高电流传输比(>400),确保了更高的效率和更低的功耗。
    2. 紧凑封装:SOT23F 封装提供了更小的外形尺寸和更高的散热效率,有助于节省设计空间并提升模块化能力。
    3. 绿色环保:完全符合欧盟 RoHS 标准,无铅且不含卤素和锑化合物,满足现代环保需求。
    4. 高可靠性:通过 AEC-Q101 认证,确保其能够适应严苛的工作环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    ZXTP07012EFF 在 Boost 转换器中得到了广泛应用,作为功率开关管提供高精度的电流控制能力。其高增益特性在电机驱动和灯控电路中同样表现出色,可显著减少外围元件数量并降低系统成本。
    使用建议
    - 确保设计散热良好,建议使用至少 50mm² 的铜箔以优化热管理。
    - 当电流超过 2A 时,需注意调整偏置电阻,避免出现过高的压降。
    - 在高频应用场景中,注意输入输出电容的选择,以减小寄生效应。

    兼容性和支持


    ZXTP07012EFF 的 NPN 对应型号为 ZXTN07012EFF,两者可轻松实现互补配置。Diodes Incorporated 提供详尽的技术支持文档和在线资源,帮助客户快速完成产品集成。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 饱和电压过高 | 检查负载电流是否超出额定范围;调整驱动电路偏置电阻值。 |
    | 散热不良导致性能下降 | 增加铜箔面积,确保良好的散热路径;避免长时间过载运行。 |
    | 晶体管损坏 | 检查外围元件是否正确连接,避免接反或过压状况。 |

    总结和推荐


    综合评估
    ZXTP07012EFF 是一款高性能、高可靠性的 PNP 晶体管,其卓越的饱和电压表现和紧凑的封装使其成为诸多高精度应用的理想选择。产品具备全面的绿色环保认证,适合各类严苛环境下的使用。
    推荐使用
    基于其优异的技术指标和广泛的应用覆盖,强烈推荐 ZXTP07012EFF 在 Boost 转换器、电机驱动和汽车电子等领域进行应用。若您的项目需要低功耗、高增益和环保设计,这款产品将是您的首选!

ZXTP07012EFFTA参数

参数
集电极截止电流 50nA
最大集电极发射极饱和电压 0.34@ 80mA,4A
配置 独立式
VEBO-最大发射极基极电压 7V
VCEO-集电极-发射极最大电压 12V
晶体管类型 PNP
集电极电流 4A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 340mV@ 80mA,4A
最大功率耗散 2W
VCBO-最大集电极基极电压 12V
3mm(Max)
1.7mm(Max)
1mm(Max)
通用封装 SOT-23F
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTP07012EFFTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTP07012EFFTA数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTP07012EFFTA ZXTP07012EFFTA数据手册

ZXTP07012EFFTA封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.398
100+ ¥ 1.914
750+ ¥ 1.716
1500+ ¥ 1.617
3000+ ¥ 1.54
库存: 6000
起订量: 1 增量: 3000
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