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ZXTN5551GTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 200mV@ 5mA,50mA NPN 2W 6V 50nA 180V 160V 600mA SOT-223-3 贴片安装 6.5mm*3.5mm*1.65mm
供应商型号: ZXTN5551GTA
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZXTN5551GTA

ZXTN5551GTA概述

    ZXTN5551G 160V NPN电压晶体管技术手册

    产品简介


    ZXTN5551G是一款由Diodes Incorporated生产的160V NPN电压晶体管,属于DZT5551系列产品。该产品广泛应用于高电压放大电路中,提供出色的电气性能和可靠性。其主要特点包括高击穿电压(BVCEO > 160V)、大连续集电极电流(IC = 600mA)以及低饱和电压(150mV最大值@10mA)。此外,它完全符合RoHS标准,并采用环保材料制成,符合严格的绿色环保要求。由于其卓越的性能,该产品特别适合用于汽车电子、工业控制、电源管理等领域。

    技术参数


    以下为ZXTN5551G的主要技术规格:
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    ||
    | 集电极-基极击穿电压 | BVCBO | — | — | 180 | V | IC = 100µA |
    | 集电极-发射极击穿电压 | BVCEO | 160 | 200 | — | V | IC = 1mA |
    | 基极-发射极击穿电压 | BVEBO | 6.0 | 7.85 | — | V | IE = 100µA |
    | 集电极截止电流 | ICBO | — | <1 | 50 | nA / µA | VCB = 120V |
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | — | — | 65-200 | mV | IC = 10mA, IB = 1mA |
    | 基极-发射极饱和电压 | VBE(sat) | — | — | 760-1200 | mV | IC = 10mA, IB = 1mA |
    | 小信号增益 | hFE | 80 | 145 | 250 | — | VCE = 5V, IC = 10mA |
    | 转换频率 | fT | — | 130 | — | MHz | VCE = 10V, IC = 10mA |
    | 输出电容 | CobO | — | — | 6 | pF | VCB = 10V, f = 1MHz |
    工作环境
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 热阻抗:
    - 结到环境:RθJA = 62.5°C/W
    - 结到引脚:RθJL = 34.05°C/W

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:ZXTN5551G已通过AEC-Q101认证,满足汽车电子应用的严格要求。
    2. 环保设计:无铅封装,完全符合RoHS规范,且不含卤素和锑元素,属于“绿色”电子产品。
    3. 优越的电气性能:高击穿电压和低饱和电压确保其在高压电路中的稳定表现。
    4. 封装优化:SOT223封装便于安装和布线,适合大批量生产需求。

    应用案例和使用建议


    ZXTN5551G常用于高电压开关和放大电路的设计中。例如,在电动汽车电池管理系统(BMS)中,可以作为继电器驱动器使用。
    使用建议:
    1. 在设计过程中,应充分考虑其最大功率耗散(2W),并合理布置散热片以避免过热。
    2. 针对高电流场景,需确保电路中负载与电源匹配良好,避免超过额定电流限制。

    兼容性和支持


    ZXTN5551G具有广泛的兼容性,可与其他主流品牌的产品互换使用。Diodes Incorporated提供了详尽的技术支持文档和客户服务,包括网站上的产品图纸和布局指南。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热现象 | 检查散热措施是否到位 |
    | 性能异常 | 确认工作环境是否超出额定范围 |
    | 参数漂移 | 检查焊接工艺和PCB设计是否规范 |

    总结和推荐


    ZXTN5551G凭借其高电压稳定性、优良的热管理和环保特性,在高压电路设计中表现出色。尽管被标记为“不推荐用于新设计”,但其强大的性能使其仍是一个可靠的备选方案。我们强烈推荐此产品给需要高性能晶体管的应用场景,尤其是在工业控制和汽车电子领域。

ZXTN5551GTA参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 6V
最大功率耗散 2W
VCBO-最大集电极基极电压 180V
配置 独立式
集电极截止电流 50nA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 200mV@ 5mA,50mA
集电极电流 600mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 160V
晶体管类型 NPN
最大集电极发射极饱和电压 200mV@ 5mA,50mA
长*宽*高 6.5mm*3.5mm*1.65mm
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTN5551GTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTN5551GTA数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA数据手册

ZXTN5551GTA封装设计

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