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VF20100C-E3/4W

产品分类: 整流二极管/整流桥
产品描述: 100V 150A 800μA 10A 双commoncathode ITO-220AB 通孔安装 10.26mm*4.83mm*8.89mm
供应商型号: 625-VF20100C-E3
供应商: Mouser
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 整流二极管/整流桥 VF20100C-E3/4W

VF20100C-E3/4W概述

    Vishay Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers: Comprehensive Guide
    Vishay General Semiconductor offers a range of Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers designed for high-frequency applications. These devices include the V20100C, VB20100C, VF20100C, and VI20100C models, which are ideal for use in high-frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diodes, DC/DC converters, and reverse battery protection.

    1. 产品简介


    Vishay的双高电压沟槽式MOS屏障肖特基整流器是专为高频应用设计的。这些器件包括V20100C、VB20100C、VF20100C和VI20100C型号,适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR-ing二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

    2. 技术参数


    - 最大重复峰值反向电压 (VRRM): 100 V
    - 最大平均正向整流电流 (每器件 IF(AV)): 20 A
    - 每个二极管的峰值正向浪涌电流 (IFSM): 150 A
    - 瞬态热阻 (RθJC):
    - V20100C 和 VF20100C: 2.8°C/W
    - VB20100C: 5.5°C/W
    - VI20100C: 2.8°C/W
    - 工作温度范围: TJ, TSTG -40°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 技术优势:采用沟槽式MOS肖特基技术,确保低正向电压降(VF = 0.50 V at IF = 5 A)和低功率损耗,实现高效率操作。
    - 可靠性:满足MSL等级1(根据J-STD-020标准),峰值温度可达245°C(适用于TO-263AB封装)。焊接浴温度最高可达275°C,符合JESD 22-B106标准(适用于TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装)。
    - 材料分类:符合RoHS标准,商业级无铅(BASE P/N-E3)。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于高频率转换器、开关电源、续流二极管、OR-ing二极管、DC/DC转换器和反向电池保护。典型的应用实例包括车载电源管理系统、通信设备电源和高性能消费电子产品。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,在使用这些器件时应注意温度管理,特别是在高电流工作条件下。确保散热片正确安装,以避免过热。在高频电路中,需要注意电路布局,以减少寄生电感的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:这些器件具有多种封装选项,如TO-220AB、ITO-220AB、D2PAK (TO-263AB) 和TO-262AA,便于不同应用的选择。此外,它们具备良好的电气隔离能力,能够与各种标准电路板设计兼容。
    - 支持:Vishay提供全面的技术支持,包括在线资源和客户支持团队,以帮助解决设计中的任何问题。如有需要,可以通过DiodesAmericas@vishay.com、DiodesAsia@vishay.com和DiodesEurope@vishay.com联系相应区域的技术支持团队。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何确保散热良好?
    - 解决方案: 使用合适的散热片,并确保良好的机械接触。可以参考产品手册中的热阻参数来选择合适的散热方案。
    - 问题2: 电路设计时如何避免电磁干扰?
    - 解决方案: 在电路设计中增加适当的滤波器和屏蔽措施。同时,注意引线布局,尽量减小回路面积以降低干扰。

    7. 总结和推荐


    综上所述,Vishay的双高电压沟槽式MOS屏障肖特基整流器在性能、可靠性和易用性方面表现出色。对于需要高效、可靠的电力转换和保护的应用,这些器件是非常理想的选择。我们强烈推荐这些产品给需要高性能肖特基二极管的设计工程师和制造商。

VF20100C-E3/4W参数

参数
反向恢复时间 -
正向浪涌电流 150A
配置 双commoncathode
If - 正向电流 10A
Ir - 反向电流 800μA
Vr-反向电压 100V
长*宽*高 10.26mm*4.83mm*8.89mm
通用封装 ITO-220AB
安装方式 通孔安装
应用等级 商用级
零件状态 在售
包装方式 管装

VF20100C-E3/4W厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

VF20100C-E3/4W数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 整流二极管/整流桥 VISHAY INTERTECHNOLOGY VF20100C-E3/4W VF20100C-E3/4W数据手册

VF20100C-E3/4W封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.185 ¥ 18.4633
10+ $ 1.9205 ¥ 16.2282
25+ $ 1.155 ¥ 9.7598
100+ $ 1.013 ¥ 8.5602
500+ $ 0.8078 ¥ 6.8262
1000+ $ 0.7387 ¥ 6.2422
2000+ $ 0.6657 ¥ 5.6252
5000+ $ 0.6132 ¥ 5.1815
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