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TS13003CT A3G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体
产品描述: 3V IC=1.5A,IB=0.5A NPN 30W 9V 1μA 700V 400V 3A TO-92 通孔安装
供应商型号: UA-TS13003CT A3G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1000
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 三极管(BJT) TS13003CT A3G

TS13003CT A3G概述

    TS13003 高压NPN晶体管

    产品简介


    TS13003是一款高压NPN晶体管,采用TO-92和TO-126两种封装形式。该产品主要用于高电压和高速开关的应用场景,如电源管理和电机驱动等领域。其独特的设计使得它能够在严苛的环境中提供稳定的性能。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 最大集电极-基极电压: 700V
    - 最大集电极-发射极电压: 400V
    - 最大发射极-基极电压: 9V
    - 最大集电极电流: 1.5A
    - 最大总功耗: 30W(TO-126), 3W(TO-92)
    - 最大结温: +150°C
    - 存储温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 静态特性:
    - 集电极-基极击穿电压: 700V
    - 集电极-发射极击穿电压: 400V
    - 发射极-基极击穿电压: 9V
    - 集电极截止电流: 1μA
    - 发射极截止电流: 1μA
    - 集电极-发射极饱和电压:
    - 0.25V @ IC/IB = 0.5A/0.1A
    - 0.5V @ IC/IB = 1.0A/0.25A
    - 1.2V @ IC/IB = 1.5A/0.5A
    - 基极-发射极饱和电压:
    - 1V @ IC/IB = 0.5A/0.1A
    - 1.2V @ IC/IB = 1.0A/0.25A
    - 直流电流增益 (hFE):
    - 6 至 40
    - 动态特性:
    - 频率响应: 4MHz
    - 输出电容: 21pF
    - 延迟时间: 0.05μs 至 0.2μs
    - 上升时间: 0.5μs 至 1μs
    - 存储时间: 2μs 至 4μs
    - 下降时间: 0.4μs 至 0.7μs

    产品特点和优势


    TS13003具有高耐压能力和高速开关性能,非常适合用于高电压环境下的电路设计。其独特的硅三重扩散结构保证了优异的电气特性和长期稳定性。此外,它的低成本和广泛的应用范围使其在市场上具有很强的竞争力。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源管理:适用于开关电源的设计,能有效提高电源效率。
    - 电机驱动:可用于控制直流电机或步进电机,提高系统可靠性。
    - 逆变器:可用于制造光伏逆变器或电动汽车充电站。
    - 使用建议:
    - 在选择应用时,确保供电电压不超过400V,以免损坏器件。
    - 根据实际应用需求,选择合适的封装形式以匹配电路板布局。

    兼容性和支持


    TS13003可以与多种电子元器件和设备兼容。厂商提供了详细的技术支持,包括使用手册和技术咨询服务,以帮助客户更好地使用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 晶体管无法正常开关。
    - 解决方案: 检查驱动电路是否正确连接,确保基极驱动信号的强度和频率符合要求。

    - 问题2: 晶体管过热。
    - 解决方案: 检查散热措施是否足够,适当增加散热片或改善通风条件。

    总结和推荐


    TS13003是一款高性能的高压NPN晶体管,适用于各种高电压和高速开关应用。其高可靠性和广泛的适用范围使其成为电子设计的理想选择。强烈推荐给需要高耐压和高速度应用领域的工程师和设计师。

TS13003CT A3G参数

参数
配置 -
晶体管类型 NPN
最大集电极发射极饱和电压 1@ 0.25A @ 1A,0.5@ 0.1A @ 0.5A,3@ 0.5A @ 1.5A
最大功率耗散 30W
集电极截止电流 1μA
VCEO-集电极-发射极最大电压 400V
VEBO-最大发射极基极电压 9V
VCBO-最大集电极基极电压 700V
集电极电流 3A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 3V IC=1.5A,IB=0.5A
4.7mm(Max)
3.7mm(Max)
4.7mm(Max)
通用封装 TO-92
安装方式 通孔安装
包装方式 弹夹装

TS13003CT A3G数据手册

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TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 三极管(BJT) TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 TS13003CT A3G TS13003CT A3G数据手册

TS13003CT A3G封装设计

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