处理中...

首页  >  产品百科  >  2SK879-GR(TE85L,F)

2SK879-GR(TE85L,F)

产品分类: 结型场效应管(JFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 100mW 100mW 400mV@ 100 nA 1个N沟道 10V 6.5mA 2.6mA 独立式 8.2pF@10V SC-70-3 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: 4415888
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
TOSHIBA 结型场效应管(JFET) 2SK879-GR(TE85L,F)

2SK879-GR(TE85L,F)概述


    产品简介


    2SK879是一款由东芝公司生产的场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET),具体为硅N沟道接面型场效应晶体管。它主要应用于通用场合以及阻抗变换器和电容式麦克风中。这种晶体管具有高击穿电压、高输入阻抗、低噪声等特点,适合在多种电路设计中使用。

    技术参数


    2SK879的技术规格如下:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{GDS} \): -50 V
    - 栅极电流 \( IG \): 10 mA
    - 漏极功率耗散 \( PD \): 100 mW
    - 结温 \( Tj \): 125 °C
    - 存储温度范围 \( T{stg} \): -55 °C 至 125 °C
    - 电气特性(\( Ta = 25°C \)):
    - 栅极关断电流 \( I{GSS} \): \( V{GS} = -30 V, V{DS} = 0 \),最小 -1.0 nA
    - 栅极漏极击穿电压 \( V{(BR)GDS} \): \( V{DS} = 0, IG = -100 \mu A \),最小 -50 V
    - 漏极饱和电流 \( I{DSS} \): \( V{DS} = 10 V, V{GS} = 0 \),最小 0.3 mA,典型 6.5 mA
    - 栅源关断电压 \( V{GS(OFF)} \): \( V{DS} = 10 V, ID = 0.1 \mu A \),最小 -0.4 V,典型 -5.0 V
    - 前向转移导纳 \( |Y{FS}| \): \( V{DS} = 10 V, V{GS} = 0, f = 1 kHz \),典型 1.2 mS
    - 输入电容 \( C{ISS} \): \( V{DS} = 10 V, V{GS} = 0, f = 1 MHz \),最大 8.2 pF
    - 反向转移电容 \( C{RSS} \): \( V{GD} = -10 V, ID = 0, f = 1 MHz \),最大 2.6 pF
    - 噪声系数 \( NF \): \( V{DS} = 15 V, V{GS} = 0, RG = 100 k\Omega, f = 120 Hz \),典型 0.5 dB

    产品特点和优势


    2SK879的主要优势在于其高击穿电压、高输入阻抗和低噪声特性。这些特性使得它非常适合在需要高稳定性和低噪声的应用环境中使用。此外,它的封装体积小巧,有助于节省空间并提高电路集成度。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    2SK879在以下几个方面得到了广泛应用:
    - 通用场合:适用于各种电路设计,如信号放大器、开关电路等。
    - 阻抗变换器:用于匹配不同的阻抗,以实现最佳的能量传输效率。
    - 电容式麦克风:用于音频信号处理,尤其是在要求低噪声和高输入阻抗的应用中。
    使用建议
    - 在高负载条件下使用时,请参考东芝半导体可靠性手册进行适当的可靠性设计。
    - 确保在设计电路时考虑散热问题,避免因过热而导致性能下降。
    - 选择合适的栅极电阻和源极电阻,以确保电路稳定运行。

    兼容性和支持


    2SK879通常与各类标准电子元件和设备兼容,但具体兼容性请根据实际应用场景进行验证。东芝公司提供了详细的可靠性数据和技术支持文档,包括可靠性测试报告和估计失效率等信息,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:电路中出现异常噪声。
    - 解决方法:检查电路连接是否正确,特别是栅极和源极之间的电阻值是否合适。
    - 问题:晶体管过热。
    - 解决方法:增加散热措施,如使用散热片或改进电路设计以减少功耗。
    - 问题:电路无法正常工作。
    - 解决方法:确保所有连接都符合手册中的规定,并重新检查所有电气参数是否在允许范围内。

    总结和推荐


    综上所述,2SK879是一款高性能的N沟道场效应晶体管,具有高击穿电压、高输入阻抗和低噪声等显著优势。其在通用场合、阻抗变换器和电容式麦克风中的应用效果显著。如果用户需要一个可靠且稳定的电子元器件来满足上述需求,强烈推荐使用2SK879。不过,在使用过程中需要注意保持适当的散热和合理的设计,以确保长期稳定运行。

2SK879-GR(TE85L,F)参数

参数
最大功率 100mW
Vds-漏源极击穿电压 10V
最大功率耗散 100mW
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 独立式
击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 400mV@ 100 nA
Id-连续漏极电流 6.5mA
通道数量 -
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 2.6mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.2pF@10V
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SC-70-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

2SK879-GR(TE85L,F)厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

2SK879-GR(TE85L,F)数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TOSHIBA 结型场效应管(JFET) TOSHIBA 2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-GR(TE85L,F)数据手册

2SK879-GR(TE85L,F)封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.398
10+ ¥ 1.254
100+ ¥ 1.0591
500+ ¥ 0.949
1000+ ¥ 0.932
5000+ ¥ 0.932
库存: 2880
起订量: 40 增量: 0
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 12.54
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
2N4119A ¥ 0
2N4339 ¥ 29.063
2N4341 ¥ 57.5735
2N4391-E3 ¥ 395.9725
2N4392 ¥ 203.6866
2N4393 ¥ 13.94
2N4857A ¥ 0
2N4858 ¥ 0
2N4858A ¥ 51.4706
2N5197 ¥ 291.8503