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JANTXV2N4856

产品分类: 结型场效应管(JFET)
厂牌: SOLITRON
产品描述: 1.8W 40V
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
SOLITRON 结型场效应管(JFET) JANTXV2N4856

JANTXV2N4856概述

    # 2N4856/2N4857/2N4858 N-Channel JFETs 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    2N4856、2N4857 和 2N4858 是由 Solitron Devices 生产的 N 沟道结型场效应晶体管(JFET)。这些器件主要用于电子系统中的信号放大和开关操作。它们在音频放大器、射频通信系统、电源管理和传感器接口等领域具有广泛的应用前景。
    主要功能
    - 高输入阻抗:适用于需要低输入偏置电流的场合。
    - 低导通电阻:降低功耗并提高效率。
    - 快速开关速度:适合高频应用。
    - 高隔离度:确保高效率的电路隔离。
    应用领域
    - 射频和微波电路
    - 功率放大器
    - 传感器接口
    - 开关电源

    技术参数


    规格
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |

    | 击穿电压 (门源) | V(BR)GSS | -40 Vdc |
    | 门源“关断”状态电压 | VGS(on) | -4/-2/-0.8 | -10/-6/-4 | Vdc |
    | 门反向电流 | IGSS | -0.25 | -0.25 | nA |
    | 漏极电流 (关断) | ID(off) | 50/20/8 | 0.25/175/100/80 | nA/mA/mA/mA |
    | 静态漏源“导通”电阻 | RDS(on) | 25/40/60 Ω |
    | 漏源“导通”状态电压 | VDS(on) | 0.75/0.5 | 0.5 | Vdc |
    | 传输电容 | Crss | 8 pF |
    | 输入电容 | Ciss | 8 pF |
    工作环境
    - 存储温度:-65°C 至 200°C
    - 操作结温:-65°C 至 200°C
    - 引脚温度(距管壳 1/16 英寸,持续 10 秒):300°C
    - 最大功率耗散:1800 mW
    - 功率耗散降额速率:10.3 mW/°C 至 TC ≥ 25°C

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    - 低导通电阻:确保高效率和低功耗。
    - 快速开关速度:适合高频应用。
    - 高隔离度:确保高可靠性。
    - 辐射耐受性:符合 MIL-PRF-19500/385 标准。
    - 二次供应商:兼容 Vishay 和 Siliconix 产品,确保供应稳定。
    市场竞争力
    - 在高性能、高可靠性的射频和微波应用中表现出色。
    - 通过 S 级别等效筛选选项提升可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 音频放大器中的射频前端
    - 无线通信设备中的功率放大器
    - 传感器接口电路
    使用建议
    - 确保使用前仔细阅读数据手册,特别是有关功耗和散热的章节。
    - 使用适当的热管理措施以确保长期稳定性。
    - 采用合适的滤波电路减少噪声干扰。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与 Vishay 和 Siliconix 的同类产品兼容。
    - 可用于多种封装和电气特性的不同版本。
    支持信息
    - Solitron Devices 提供全面的技术支持和客户服务。
    - 联系方式:+1 561-848-4311 或 sales@solitrondevices.com

    常见问题与解决方案


    问题与解决方法
    1. Q: 设备发热严重
    - A: 使用适当的散热片和热导材料,确保良好的热管理。
    2. Q: 导通电阻增加
    - A: 检查焊接点是否有松动或腐蚀,并确保正确的焊接工艺。
    3. Q: 性能不稳定
    - A: 确认外部电路的设计,避免引入不必要的干扰信号。

    总结和推荐


    综合评估
    2N4856/2N4857/2N4858 系列 N-Channel JFET 具有低导通电阻、快速开关速度和高隔离度等特点,在高性能射频和微波应用中表现优异。其辐射耐受性和兼容性使其成为多种电子系统的理想选择。
    推荐
    我们强烈推荐这些产品用于需要高性能和高可靠性的射频及微波电路设计中。Solitron Devices 提供了详尽的技术支持,确保用户能够充分利用这些产品的优势。

JANTXV2N4856参数

参数
击穿电压 -
最大功率 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 1.8W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 40V
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 -
FET类型 -

JANTXV2N4856数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
SOLITRON 结型场效应管(JFET) SOLITRON JANTXV2N4856 JANTXV2N4856数据手册

JANTXV2N4856封装设计

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