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JAN2N3637

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: SEMICOA
产品描述: Trans GP BJT PNP 175V 0.001A
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
SEMICOA 三极管(BJT) JAN2N3637

JAN2N3637概述

    2N3637型PNP晶体管技术手册

    产品简介


    2N3637是一款通用的高增益、低功耗放大晶体管,适用于广泛的温度范围。该晶体管采用TO-39外壳封装,具有通用性和较高的可靠性。此外,该晶体管还提供芯片形式,以满足特定的应用需求。

    技术参数


    - 电气特性:
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 175 V
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 175 V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 5.0 V
    - 连续集电极电流 (IC): 1.0 mA
    - 工作结温 (TJ): -65°C至+200°C
    - 存储温度 (TSTG): -65°C至+200°C
    - 最大额定值:
    - 基极-集电极截止电流 (ICBO1): 100 nA
    - 基极-集电极截止电流 (ICBO2): 100 µA
    - 发射极-基极截止电流 (IEBO): 50 nA
    - 集电极-发射极截止电流 (ICEO): 10 µA 至 50 µA
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO): 175 V
    - 发射极-基极击穿电压 (V(BR)EBO): 5.0 V
    - 基极-集电极击穿电压 (V(BR)CBO): 175 V
    - ON特性:
    - 正向电流转移比 (hFE1): 55
    - 正向电流转移比 (hFE2): 90
    - 正向电流转移比 (hFE3): 100
    - 正向电流转移比 (hFE4): 100 至 300
    - 正向电流转移比 (hFE5): 60
    - 正向电流转移比 (hFE6): 50
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)1): 0.3 V
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)2): 0.6 V
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)1): 0.8 V
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)2): 0.65 V 至 0.9 V
    - 开关特性:
    - 脉冲延迟时间 (td): 100 ns
    - 脉冲上升时间 (tr): 150 ns
    - 脉冲存储时间 (ts): 500 ns
    - 脉冲下降时间 (tf): 600 ns

    产品特点和优势


    - 通用性: 2N3637适用于广泛的工作温度范围,确保其在不同环境下的稳定性能。
    - 高增益: 该晶体管提供多种正向电流转移比(hFE),使其适合各种放大应用。
    - 低功耗: 设计用于低功耗应用,有助于延长设备的使用寿命。
    - 多种封装形式: 除了标准的TO-39封装,还提供芯片形式,灵活适应不同的安装需求。

    应用案例和使用建议


    2N3637晶体管适用于音频放大器、信号调节电路、开关电源等多种场合。例如,在音频放大器中,其高增益特性可以有效地提升音频信号的质量。在使用过程中,应注意确保集电极-发射极电压和电流不超过额定值,以避免损坏。
    建议在设计时充分考虑散热问题,尤其是在大电流应用中。同时,根据具体应用需求选择合适的正向电流转移比,以达到最佳的性能。

    兼容性和支持


    2N3637晶体管符合MIL-PRF-19500/357标准,与其他符合该标准的电子元器件兼容性良好。制造商提供了详细的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中能够获得及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 晶体管工作时温度过高。
    - 解决方案: 确保良好的散热措施,如增加散热片或使用散热器。

    - 问题2: 电流转移比不足。
    - 解决方案: 检查输入电压和电流是否正确,调整外部电路参数以满足要求。

    - 问题3: 开关时间过长。
    - 解决方案: 确认驱动电路的供电电压是否足够,适当增加驱动电流以加快开关速度。

    总结和推荐


    综上所述,2N3637晶体管具备出色的电气特性和广泛的应用范围,是一款值得信赖的产品。它适用于音频放大器、信号处理和开关电源等众多领域。强烈推荐在需要高增益、低功耗及宽工作温度范围的应用中选用2N3637晶体管。

JAN2N3637参数

参数
集电极截止电流 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
集电极电流 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
配置 -
最大功率耗散 -
最大集电极发射极饱和电压 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
晶体管类型 -
VCBO-最大集电极基极电压 -

JAN2N3637厂商介绍

SEMICOA公司是一家领先的半导体材料供应商,专注于为全球半导体行业提供高质量的产品和服务。公司主营产品包括:

1. 硅片:SEMICOA提供多种规格的硅片,包括抛光片、外延片等,广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。

2. 化合物半导体:SEMICOA生产的化合物半导体材料,如砷化镓、磷化铟等,主要用于光电子、微波通信等领域。

3. 特种气体:SEMICOA供应多种高纯度特种气体,如硅源、硼源等,是半导体制造过程中不可或缺的材料。

4. 光刻胶:SEMICOA研发的光刻胶产品,具有高分辨率、高灵敏度等特点,广泛应用于微电子制造领域。

SEMICOA的优势在于:

1. 技术领先:公司拥有先进的研发团队和生产技术,能够不断推出高性能、高可靠性的产品。

2. 质量保证:SEMICOA严格遵循国际质量管理体系,确保产品的稳定性和一致性。

3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和售后服务,满足客户的个性化需求。

4. 供应链管理:SEMICOA拥有完善的供应链体系,能够快速响应市场变化,保证产品的及时供应。

JAN2N3637数据手册

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SEMICOA 三极管(BJT) SEMICOA JAN2N3637 JAN2N3637数据手册

JAN2N3637封装设计

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