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DTC113ZE3TL

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ROHM
产品描述: NPN - Pre-Biased 150mW 500nA 50V 100mA 贴片安装
供应商型号: 4168741
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
ROHM 三极管(BJT) DTC113ZE3TL

DTC113ZE3TL概述

    DTC113Z系列数字晶体管技术手册

    1. 产品简介


    DTC113Z系列是ROHM公司设计的一种内置偏置电阻的NPN型数字晶体管,主要用于逆变器、接口和驱动电路等应用场合。这些晶体管集成了偏置电阻(R1 = 1kΩ,R2 = 10kΩ),使它们能够在不连接外部输入电阻的情况下配置逆变电路。因此,它们适用于各种需要简化电路设计的电子设备。

    2. 技术参数


    - 电源电压 (VCC):最高50V
    - 最大集电极电流 (IC(MAX)):100mA
    - 内置偏置电阻 (R1, R2):1kΩ, 10kΩ
    - 绝对最大额定值:
    - 输入电压 (VIN):-5V 到 10V
    - 输出电流 (IO):100mA
    - 集电极电流 (IC(MAX)):100mA
    - 功耗 (PD):
    - DTC113ZM: 150mW
    - DTC113ZEB, DTC113ZE3: 150mW
    - DTC113ZUB, DTC113ZU3, DTC113ZKA: 200mW
    - 结温 (Tj):150℃
    - 存储温度范围 (Tstg):-55℃ 到 +150℃
    - 电气特性:
    - 输入电压 (VIN):VCC=5V时,IOUT=100μA下,VIN(off) <= 0.3V;VOUT=0.3V时,IOUT=20mA下,VIN(on) >= 3.0V
    - 输出电压 (VO(on)):IOUT=10mA, II=0.5mA时,VO(on) <= 300mV
    - 输入电流 (II):VI=5V时,II <= 7.2mA
    - 输出电流 (IO(off)):VCC=50V, VIN=0V时,IO(off) <= 500nA
    - 直流电流增益 (GI):VCE=10V, IE=-5mA时,GI >= 33
    - 输入电阻 (R1):0.7kΩ 到 1.3kΩ
    - 电阻比 (R2/R1):8 到 12
    - 转换频率 (fT):>= 250MHz

    3. 产品特点和优势


    - 内置偏置电阻:省去了外部输入电阻的需要,简化了电路设计。
    - 易于操作:只需设置开/关条件即可操作,无需复杂的电路配置。
    - 快速响应:具备高达250MHz的转换频率,适合高速应用。
    - 多种封装选择:提供SOT-723, SOT-416FL, SOT-416, SOT-323FL, SOT-323, SOT-346等多种封装,便于不同应用场合的选择。

    4. 应用案例和使用建议


    DTC113Z系列广泛应用于逆变器、接口和驱动电路。例如,在家用电器和汽车电子设备中,这些晶体管可以用于控制LED灯的开关。使用时,需要注意:
    - 确保工作温度在规定范围内(-55℃到+150℃)。
    - 在高湿度或腐蚀性环境中使用时,需采取额外保护措施。
    - 尽量避免静电放电损坏,建议采取适当的防静电措施。

    5. 兼容性和支持


    这些晶体管与多种电路板和电子设备兼容,但建议在特殊环境(如高温、腐蚀性气体等)下使用时进行独立验证。ROHM公司提供详尽的技术支持和文档,帮助用户解决使用中的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q1: 如何确保DTC113Z系列的安全使用?
    - A1: 使用时确保工作温度在规定的范围内,并采取必要的防静电措施。
    - Q2: 如果出现输出电流不稳定的情况,如何解决?
    - A2: 检查电源电压和输入信号是否符合要求,必要时更换其他型号的晶体管。
    - Q3: 如何确保长期稳定使用?
    - A3: 定期检查电路连接和环境条件,避免长时间超负荷运行。

    7. 总结和推荐


    DTC113Z系列数字晶体管凭借其强大的内置偏置电阻和易用性,成为逆变器、接口和驱动电路的理想选择。虽然它具有多种封装形式以满足不同的应用需求,但在特殊环境下的使用仍需谨慎。总体而言,强烈推荐在符合要求的应用中使用该产品。

DTC113ZE3TL参数

参数
最大功率耗散 150mW
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VEBO-最大发射极基极电压 -
配置 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极截止电流 500nA
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 500µA,10mA
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
集电极电流 100mA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DTC113ZE3TL厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

DTC113ZE3TL数据手册

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ROHM 三极管(BJT) ROHM DTC113ZE3TL DTC113ZE3TL数据手册

DTC113ZE3TL封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.6004
10+ ¥ 0.6004
100+ ¥ 0.4549
500+ ¥ 0.4549
1000+ ¥ 0.4076
5000+ ¥ 0.4076
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