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IMX3T108

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ROHM
产品描述: 400mV@ 5mA,50mA 2 NPN (Dual) 300mW 7V 100nA 60V 50V 150mA SMT-6 贴片安装 2.9mm*1.6mm*1.1mm
供应商型号: J-ROHM-0060465
供应商: Chip1stop
标准整包数: 1
ROHM 三极管(BJT) IMX3T108

IMX3T108概述


    产品简介


    EMX3 / UMX3N / IMX3
    EMX3、UMX3N 和 IMX3 是由 ROHM 制造的通用双晶体管产品,适用于广泛的电子设备。这些晶体管采用不同封装形式(EMT、UMT 和 SMT),每个引脚尺寸相同,符合 EIAJ 的标准。这些器件内部集成了两个 2SC2412AK 芯片,使得它们具有高效和稳定的工作特性。这类器件广泛应用于消费电子产品、通信设备和其他通用电子设备中。

    技术参数


    尺寸
    - 封装类型:EMT6, UMT6, SMT6
    - 标记代码:X3
    - 基本订购单位:EMX3 (8000), UMX3N (3000), IMX3 (3000)
    绝对最大额定值(Ta=25°C)
    - 集电极-基极电压 (VCBO):60V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO):50V
    - 发射极-基极电压 (VEBO):7V
    - 集电极电流 (IC):150mA
    - 集电极耗散功率 (PC):300mW(总功率)
    - 结温 (Tj):−55°C 到 +150°C
    - 存储温度 (Tstg):−55°C 到 +150°C
    电气特性(Ta=25°C)
    - 转换频率 (fT):典型值为 560MHz
    - 基极-集电极击穿电压 (BVCBO):60V
    - 基极-发射极击穿电压 (BVCEO):50V
    - 发射极-基极击穿电压 (BVEBO):7V
    - 集电极截止电流 (ICBO):最大值 0.1μA
    - 发射极截止电流 (IEBO):最大值 0.1μA
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)):最大值 0.4V
    - 直流电流增益 (hFE):最小值 120

    产品特点和优势


    - 高可靠性:绝对最大额定值范围宽,能够在极端条件下保持稳定运行。
    - 高频特性:转换频率高达 560MHz,适用于高速电路设计。
    - 低功耗:集电极耗散功率仅为 300mW(总功率),有效减少热量产生。
    - 高耐压:基极-集电极击穿电压达 60V,基极-发射极击穿电压达 7V,保证在高电压下也能安全可靠运行。
    - 良好的温度适应性:存储温度范围宽达 −55°C 到 +150°C,适用于各种环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 音频设备:用于放大和控制信号的放大电路。
    - 通信设备:用于调制解调器、无线通信模块中的信号放大和开关控制。
    - 家用电器:如电视、音响系统中的信号处理和控制电路。
    使用建议
    - 在高频应用中,要注意电路布局以减小寄生电容和电感的影响。
    - 在高温环境下,确保散热良好,避免过热。
    - 使用时建议结合负载条件调整静态工作点,以提高效率和稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于大多数常见的 SMD(表面贴装)设备和 PCB(印刷电路板)制造工艺。
    - 支持:ROHM 提供详尽的技术支持文档和客户支持服务,确保用户在设计和使用过程中能够获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过高的温度导致晶体管失效。
    - 解决办法:确保良好的散热设计,使用散热片或风扇辅助散热。

    - 问题:高频应用中信号失真严重。
    - 解决办法:优化电路布局,减少寄生电容和电感的影响;选择合适的旁路电容来滤波。
    - 问题:电源波动导致器件损坏。
    - 解决办法:使用稳压器或滤波器来确保稳定的输入电压。

    总结和推荐


    总体而言,EMX3、UMX3N 和 IMX3 是一款非常优秀的通用双晶体管产品。它们具备出色的电气特性和可靠性,在多种应用场景中表现出色。对于需要高效、稳定且耐用的电子设备制造商来说,这些产品是理想的选择。强烈推荐使用这些产品,特别是在高频应用、工业控制和通信设备等领域。

IMX3T108参数

参数
最大功率耗散 300mW
集电极电流 150mA
配置
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 400mV@ 5mA,50mA
VCBO-最大集电极基极电压 60V
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极截止电流 100nA
VEBO-最大发射极基极电压 7V
晶体管类型 2 NPN (Dual)
最大集电极发射极饱和电压 0.4@ 5mA,50mA
长*宽*高 2.9mm*1.6mm*1.1mm
通用封装 SMT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IMX3T108厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

IMX3T108数据手册

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ROHM 三极管(BJT) ROHM IMX3T108 IMX3T108数据手册

IMX3T108封装设计

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