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UMD22NTR

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ROHM
产品描述: ROHM NPN/PNP数字晶体管, SOT-363 (SC-88)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压50 V
供应商型号: 11M-UMD22NTR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ROHM 三极管(BJT) UMD22NTR

UMD22NTR概述

    # EMD22/UMD22N 通用型双数字晶体管技术手册

    1. 产品简介


    EMD22 和 UMD22N 是由 ROHM 推出的通用型双数字晶体管(Dual Digital Transistor),设计用于多种电子应用场合。产品包含两个独立的 NPN 和 PNP 晶体管,每个管脚均能承受高达 50V 的电压,适用于小信号放大、逻辑电平转换及开关电路等领域。产品广泛应用于逆变器、接口驱动和各种控制系统。
    主要功能:
    - 双晶体管封装,分别为 NPN 和 PNP 类型;
    - 高输入阻抗、低输出阻抗;
    - 超过 80 的直流电流增益(DC Current Gain);
    - 适用于工业控制、消费电子和嵌入式系统。
    应用领域:
    - 逆变器控制;
    - 接口电路;
    - 驱动电路;
    - 电源管理。

    2. 技术参数


    以下是 EMD22/UMD22N 的关键技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 供电电压 | VCC | ±50 ±50 | V |
    | 输入电压 | VIN | -5 30 | V |
    | 输出电流 | IO | ±100 ±100 | mA |
    | 最大集电极电流 | IC(MAX) | ±100 ±100 | mA |
    | 输出电压 | VO(on) 100 | 300 | mV |
    | 输入电阻 | R1 | 3.29 | 4.7 | 6.11 | kΩ |
    | 输出电阻比例 | R2/R1 | 8 | 10 | 12 | - |
    | 转换频率 | fT 250 MHz |
    工作环境:
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C;
    - 储存温度范围:-55°C 至 +150°C;
    - 绝对最大功耗:150mW(总计)。

    3. 产品特点和优势


    EMD22/UMD22N 的主要特点和优势如下:
    1. 独立双晶体管结构:每个 NPN 和 PNP 晶体管独立运作,有效减少干扰,提高信号完整性。
    2. 高集成度:占用空间减半,显著降低制造成本。
    3. 高可靠性:具备良好的温度稳定性和广泛的环境适应能力。
    4. 高效率:低功耗设计保证长期运行稳定性。
    这些特点使得 EMD22/UMD22N 在紧凑型设计中表现出色,尤其适合对功耗和成本敏感的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 逆变器控制:作为脉宽调制电路(PWM)的一部分,用于驱动马达或其他负载。
    - 接口电路:实现逻辑电平的转换,连接微处理器和外围设备。
    - 驱动电路:用于控制继电器或小型电机。
    使用建议:
    - 为确保最佳性能,在 PCB 设计时需注意晶圆管的散热设计;
    - 建议对电路外部组件的容差进行评估,避免因元件老化影响电路稳定性;
    - 定期检查晶圆管的焊接质量,防止虚焊或开路。

    5. 兼容性和支持


    EMD22 和 UMD22N 采用两种不同的封装形式(SOT-563 和 SOT-363),可兼容大多数自动贴片机设备,如 EMT3 或 UMT3。此外,ROHM 提供全面的技术支持和售后服务,确保客户顺利部署产品。

    6. 常见问题与解决方案


    问题 1:晶圆管过热导致失效。
    解决方案:增加散热片或优化电路布局,确保工作温度不超过 150°C。
    问题 2:功耗超出限制。
    解决方案:重新设计电路,合理分配负载功率,确保总功耗不超过 150mW。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    EMD22/UMD22N 是一款功能强大且经济高效的通用型双数字晶体管。其高集成度、优秀的温度特性和广泛的适用范围使其成为工业和消费电子领域的理想选择。
    推荐使用:
    对于需要低成本、高可靠性的设计项目,强烈推荐使用 EMD22/UMD22N。但请注意,此产品不适合极端条件下的特定应用(如医疗设备或航空设备),需提前咨询制造商以确认适配性。

    以上是对 EMD22/UMD22N 技术手册的深度解读,希望能帮助您更好地了解该产品并将其成功应用于您的设计中。

UMD22NTR参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 250µA,5mA
配置
晶体管类型 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual)
VEBO-最大发射极基极电压 5V
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极电流 100mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极截止电流 500nA
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 250µA,5mA
最大功率耗散 150mW
2.1mm(Max)
1.35mm(Max)
1mm(Max)
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

UMD22NTR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

UMD22NTR数据手册

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ROHM 三极管(BJT) ROHM UMD22NTR UMD22NTR数据手册

UMD22NTR封装设计

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