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DTD123TCHZGT116

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ROHM
产品描述: 300mV@ 2.5mA,50mA NPN - Pre-Biased 200mW 5V 500nA 40V 500mA SST-3 贴片安装
供应商型号: A-DTD123TCHZGT116
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ROHM 三极管(BJT) DTD123TCHZGT116

DTD123TCHZGT116概述

    DTD123TC HZG 数字晶体管技术手册

    产品简介


    DTD123TC HZG 是一款500mA/40V的数字晶体管,集成内置电阻。它主要用于逆变器、接口和驱动器等领域。该产品经过AEC-Q101认证,确保其在汽车和其他严苛环境下能够稳定运行。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大集电极-基极电压 (VCBO) | 50 | V |
    | 最大集电极-发射极电压 (VCEO) | 40 | V |
    | 最大发射极-基极电压 (VEBO) | 5 | V |
    | 最大集电极电流 (IC) | 500 | mA |
    | 功耗 (PD) | 200 | mW |
    | 结温 (Tj) | 150 | ℃ |
    | 存储温度范围 (Tstg) | -55至+150 | ℃ |
    | 电气特性 (Ta = 25℃) | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 集电极-基极击穿电压 (BVCBO) | - | IC = 50μA | 50 | - | - | V |
    | 集电极-发射极击穿电压 (BVCEO) | - | IC = 1mA | 40 | - | - | V |
    | 发射极-基极击穿电压 (BVEBO) | - | IE = 50μA | 5 | - | - | V |
    | 集电极截止电流 (ICBO) | - | VCB = 50V | - | - | 500 | nA |
    | 发射极截止电流 (IEBO) | - | VEB = 4V | - | - | 500 | nA |
    | 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)) | - | IC = 50mA, IB = 2.5mA | - | - | 300 | mV |
    | 直流电流增益 (hFE) | - | VCE = 5V, IC = 50mA | 100 | 250 | 600 | - |
    | 输入电阻 (R1) | - | - | 1.54 | 2.2 | 2.86 | kΩ |
    | 转换频率 (fT) | - | VCE = 10V, IE = -50mA | - | 200 | - | MHz |

    产品特点和优势


    1. 内置偏置电阻:集成2.2kΩ电阻,使得无需外接输入电阻即可配置逆变电路。
    2. 易于设计:仅需设定开/关条件即可实现电路设计,简化了设计过程。
    3. 互补PNP类型:提供互补PNP类型的DTB123TC HZG型号。

    应用案例和使用建议


    - 逆变器应用:DTD123TC HZG可作为逆变器中的核心组件,实现直流到交流的转换。
    - 接口电路:在需要信号隔离和转换的场合中使用。
    - 驱动器应用:适用于驱动电机或其他负载的电路中。
    使用建议:
    1. 确保工作温度范围符合规定,以避免因过热导致的损坏。
    2. 使用过程中应注意静电防护,避免静电放电导致损坏。

    兼容性和支持


    DTD123TC HZG采用SOT-23封装,广泛适用于多种电子设备。制造商提供了详细的安装指南和维护文档,确保用户能够顺利进行安装和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备无法正常启动。
    解决方案:检查电源电压是否符合要求,确保所有连接正确无误。

    2. 问题:电路出现不稳定现象。
    解决方案:检查外部电路常数是否有足够的余量,以考虑产品和外部组件的特性变化。

    总结和推荐


    DTD123TC HZG是一款高性能的数字晶体管,具备内置偏置电阻和易用的设计特点,非常适合逆变器、接口和驱动器等应用。该产品的可靠性高,适合在汽车电子和工业控制等领域使用。鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,强烈推荐使用该产品。
    如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系ROHM的销售代表。

DTD123TCHZGT116参数

参数
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
最大功率耗散 200mW
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 2.5mA,50mA
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 2.5mA,50mA
集电极电流 500mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 40V
VCBO-最大集电极基极电压 -
VEBO-最大发射极基极电压 5V
配置 独立式
集电极截止电流 500nA
通用封装 SST-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DTD123TCHZGT116厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

DTD123TCHZGT116数据手册

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ROHM 三极管(BJT) ROHM DTD123TCHZGT116 DTD123TCHZGT116数据手册

DTD123TCHZGT116封装设计

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