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PBHV9110DA_R1_00001

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: -0.6V@ -100mA,-1000mA PNP 500nA 100V 1A SOT-23 贴片安装
供应商型号: 3757-PBHV9110DA_R1_00001CT-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 三极管(BJT) PBHV9110DA_R1_00001

PBHV9110DA_R1_00001概述

    PPBHV9110DA 技术手册解读

    产品简介


    PPBHV9110DA 是一款由Panjit International Inc.生产的PNP低饱和电压晶体管,专为需要高性能和高可靠性应用的场合设计。该产品属于PNP类型,具有低饱和电压(Vce(sat)),适用于各种高电流和高频电路的应用。此外,它还具备出色的直流增益特性,符合欧盟RoHS 2.0标准,是一款环保型产品。

    技术参数


    电气特性:
    - 集电极-基极击穿电压 (BVCBO): -120V
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCEO): -100V
    - 发射极-基极击穿电压 (BVEBO): -6V
    - 集电极截止电流 (ICBO): -500nA
    - 发射极截止电流 (IEBO): -500nA
    直流电流特性:
    - 直流电流增益 (hFE):
    - VCE=-2V, IC=-150mA: 140-330
    - VCE=-5V, IC=-500mA: 100-300
    - VCE=-5V, IC=-1A: 40-∞
    饱和电压:
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(SAT)):
    - IC=-0.1A, IB=-10mA: -90mV至-150mV
    - IC=-0.5A, IB=-50mA: -260mV至-350mV
    - IC=-1A, IB=-0.1A: -430mV至-600mV
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(SAT)):
    - IC=-0.1A, IB=-10mA: -1.0V
    - IC=-0.5A, IB=-50mA: -1.1V
    其他参数:
    - 额定功率 (PD): 1.25W
    - 最大工作温度 (TJ): 150℃
    - 热阻 (RθJA): 100℃/W

    产品特点和优势


    - 硅外延层:采用硅外延技术制造,确保了器件的高可靠性和稳定性。
    - 低饱和电压:最大饱和电压为-0.35V,可有效降低功耗,提高效率。
    - 高电流能力:最高集电极电流可达-1A,适用于大电流应用场景。
    - 出色的直流增益:具有优异的直流电流增益特性,能够在多种电流条件下保持稳定。
    - 绿色环保:符合欧盟RoHS 2.0标准,采用无卤素材料和绿色模塑化合物。
    - 互补型号:NPN互补型号为PBHV8110DA,可以方便地与PNP型号搭配使用。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 汽车电子:作为控制单元的一部分,用于电机驱动和其他高压应用。
    - 工业控制:适用于自动化设备中的开关和放大电路。
    - 通信设备:用于高频信号处理和开关电源转换。
    使用建议:
    - 在高频电路中使用时,要注意散热设计,以避免过热。
    - 由于集电极电流高达-1A,应在电路设计时考虑负载能力和保护措施。
    - 对于需要低功耗的场景,选择合适的驱动条件来优化Vce(sat)。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品与SOT-23封装的其他器件兼容,如需更多细节请咨询厂商。
    - 支持:Panjit International Inc.提供详细的技术文档和专业支持,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品工作温度范围有限制吗?
    - 解答:产品的工作温度范围为-55℃至150℃,适合大部分常规应用场景。

    - 问题:如何避免过热?
    - 解答:确保良好的散热设计,尤其是在高电流应用中。可以使用散热片或散热器来增强散热效果。

    总结和推荐


    总结:PPBHV9110DA是一款高性能、高可靠性的PNP低饱和电压晶体管,适用于多种高电流和高频电路的应用。它具有出色的直流增益特性、低饱和电压和环保材料,使其在市场上具备较强的竞争力。
    推荐:鉴于其优良的性能和广泛的适用范围,强烈推荐在需要高性能PNP晶体管的应用场景中使用PPBHV9110DA。

PBHV9110DA_R1_00001参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 -
最大集电极发射极饱和电压 600mV@ 100mA,1A
集电极截止电流 500nA
晶体管类型 PNP
集电极电流 1A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -0.6V@ -100mA,-1000mA
配置 -
最大功率耗散 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 100V
VCBO-最大集电极基极电压 -
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PBHV9110DA_R1_00001数据手册

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PBHV9110DA_R1_00001封装设计

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