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MMBTA56

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 250mV@ 10mA,100mA PNP 225mW 4V 100nA 80V 80V 500mA SOT-23
供应商型号: MMBTA56 SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 三极管(BJT) MMBTA56

MMBTA56概述

    MMBTA05 / MMBTA06 / MMBTA55 / MMBTA56 高压晶体管技术手册

    1. 产品简介


    MMBTA05 / MMBTA06 / MMBTA55 / MMBTA56 是一款 NPN 和 PNP 高压晶体管,适用于多种电子设备和电路中。这些晶体管采用了硅材料和平面设计,具备卓越的电气特性和广泛的电压范围。它们主要用于工业自动化、消费电子、汽车电子、通讯设备等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 单位 | MMBTA05 | MMBTA55 | MMBTA06 | MMBTA56 |
    |
    | 集电极-发射极击穿电压 (VCEO) | V | 60 | 80 | 60 | 80 |
    | 集电极-基极击穿电压 (VCBO) | V | 60 | 80 | 60 | 80 |
    | 发射极-基极击穿电压 (VEBO) | V | 4 4
    | 最大连续集电极电流 (IC) | mA | 500 | 500 | 500 | 500 |
    | 最大发散功率 (PD) | mW | 225 | 300 | 225 | 300 |
    | 结温 (TJ, TSTG) | °C | -55至150 | -55至150 | -55至150 | -55至150 |

    3. 产品特点和优势


    - NPN 和 PNP 硅材料和平面设计:确保了高性能和可靠性。
    - 绿色模具化合物:符合 IEC 61249 标准,对环境友好。
    - 无铅封装:符合欧盟 RoHS 2.0 规范。
    - 高集成度:在 SOT-23 封装内提供紧凑设计,适合小型化应用。
    - 广泛的工作温度范围:从 -55°C 到 150°C,适用于各种恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    这些晶体管可以用于开关电源、电机驱动、传感器接口等多种应用场景。为了充分发挥其性能,建议如下:
    - 散热管理:在高功率应用中,采用高效的散热设计以防止过热。
    - 电路布局优化:在电路板设计时,确保足够的引线长度和避免电磁干扰。
    - 测试验证:在实际使用前,进行充分的测试验证以确保产品稳定可靠。

    5. 兼容性和支持


    这些晶体管具有良好的兼容性,能够与其他标准 SOT-23 封装的电子元件无缝对接。Panjit International Inc. 提供详尽的技术支持和售后服务,包括技术咨询、产品测试和质量保证。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过热损坏
    - 解决办法:增加散热片或改进散热设计,降低器件温度。
    - 问题:电气性能不稳定
    - 解决办法:检查电路布局是否合理,重新布线或更换更好的电源供应器。
    - 问题:安装错误导致失效
    - 解决办法:严格按照手册上的安装指南操作,避免错误接线。

    7. 总结和推荐


    MMBTA05 / MMBTA06 / MMBTA55 / MMBTA56 高压晶体管是一款高性能、可靠的电子元件,广泛适用于多种应用场景。其独特的 NPN 和 PNP 平面设计、无铅封装及绿色模具化合物使其在市场上具备显著的竞争优势。我们强烈推荐使用这些晶体管以提升设备的性能和稳定性。

MMBTA56参数

参数
集电极电流 500mA
VCBO-最大集电极基极电压 80V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 10mA,100mA
配置 -
最大功率耗散 225mW
集电极截止电流 100nA
晶体管类型 PNP
VCEO-集电极-发射极最大电压 80V
VEBO-最大发射极基极电压 4V
最大集电极发射极饱和电压 -
通用封装 SOT-23
包装方式 卷带包装

MMBTA56数据手册

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PANJIT/台湾强茂 三极管(BJT) PANJIT/台湾强茂 MMBTA56 MMBTA56数据手册

MMBTA56封装设计

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