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NSV40300MZ4T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 400mV@ 300mA,3A PNP 2W 6V 100nA 40V 40V 3A SOT-223 贴片安装 6.5mm*3.5mm*1.57mm
供应商型号: FL-NSV40300MZ4T1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSV40300MZ4T1G

NSV40300MZ4T1G概述

    NSS40300MZ4 PNP Transistor: An Overview

    1. 产品简介


    NSS40300MZ4 是 ON Semiconductor 公司 e2PowerEdge 家族的一部分,是一款具有超低饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力的表面贴装设备。这种晶体管特别适用于低电压、高速开关应用,尤其在需要成本效益高的高效能量控制的场合。典型的应用场景包括直流-直流转换器和便携式及电池供电产品的电源管理,如手机、掌上电脑、计算机、打印机、数码相机和 MP3 播放器。此外,它还广泛用于如硬盘驱动器和磁带驱动器等存储设备中的低压电机控制。在汽车行业,它可以应用于安全气囊部署和仪表盘。

    2. 技术参数


    NSS40300MZ4 的技术参数如下:
    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 40 Vdc
    - 集电极-基极电压 (VCB): 40 Vdc
    - 发射极-基极电压 (VEB): 6.0 Vdc
    - 基极连续电流 (IB): 1.0 A
    - 集电极连续电流 (IC): 3.0 A
    - 集电极峰值电流 (ICM): 5.0 A
    - 总功率耗散 (TA = 25°C):
    - 在 1"²铜垫上: 2.0 W
    - 在 0.012"²铜垫上: 0.80 W
    - 工作和存储结温范围: -55°C 至 +150°C
    - 电气特性:
    - 关断特性:
    - 集电极-发射极保持电压 (IC = 10 mA, IB = 0 A): 40 Vdc
    - 发射极-基极电压 (IE = 50 μA, IC = 0 A): 6.0 Vdc
    - 集电极截止电流 (VCB = 40 Vdc): 最大 100 nA
    - 导通特性:
    - 集电极-发射极饱和电压 (IC = 0.5 A, IB = 50 mA): 0.070 Vdc
    - 基极-发射极饱和电压 (IC = 1.0 A, IB = 0.1 A): 最大 1.0 Vdc
    - 直流电流增益 (IC = 0.5 A, VCE = 1.0 V): 最小 200,最大 350
    - 动态特性:
    - 输出电容 (VCB = 10 Vdc, f = 1.0 MHz): 40 pF
    - 输入电容 (VEB = 5.0 Vdc, f = 1.0 MHz): 130 pF
    - 电流增益-带宽积 (IC = 500 mA, VCE = 10 V, Ftest = 1.0 MHz): 160 MHz

    3. 产品特点和优势


    NSS40300MZ4 的主要特点和优势包括:
    - 互补产品系列: 与 NSS40301MZ4 系列互为补充。
    - 汽车级认证: NSV 前缀适用于需要特殊要求的应用,符合 AEC-Q101 资格标准和 PPAP 能力。
    - 环保材料: 无铅、无卤素、无 BFR,符合 RoHS 标准。
    - 高电流增益: 支持直接由 PMU 控制输出驱动,适用于模拟放大器。
    - 宽工作温度范围: 可在极端环境下可靠运行。

    4. 应用案例和使用建议


    NSS40300MZ4 主要应用于便携式和电池供电产品中,例如:
    - DC-DC 转换器: 利用其低饱和电压和高电流增益能力,有效进行能量转换。
    - 电机控制: 在存储设备中实现高效的电机驱动。
    - 汽车应用: 如安全气囊部署和仪表盘,利用其高可靠性。
    使用建议:
    - 确保散热良好,以避免超过最大功率耗散。
    - 选择合适的基极电阻以确保正确的电流增益。
    - 在设计 PCB 时,考虑到热阻和引脚布局对性能的影响。

    5. 兼容性和支持


    NSS40300MZ4 可与其他 ON Semiconductor 的产品兼容,提供了详细的订购和运输信息。ON Semiconductor 提供技术支持和产品维护服务,确保用户能够顺利集成和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 高温下电流增益降低。
    - 解决方案: 使用适当的散热措施,确保在高温环境下仍能维持正常性能。
    - 问题: 过载导致过热。
    - 解决方案: 定期监测温度,必要时采用外部冷却装置。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NSS40300MZ4 是一款出色的 PNP 晶体管,具备高性能和广泛应用。其卓越的电流增益能力和低饱和电压使其成为众多电子设备的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要高效、可靠电力控制的场合。

NSV40300MZ4T1G参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 400mV@ 300mA,3A
最大集电极发射极饱和电压 400mV@ 300mA,3A
最大功率耗散 2W
配置 独立式
集电极截止电流 100nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 40V
晶体管类型 PNP
VCBO-最大集电极基极电压 40V
VEBO-最大发射极基极电压 6V
集电极电流 3A
长*宽*高 6.5mm*3.5mm*1.57mm
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSV40300MZ4T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSV40300MZ4T1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSV40300MZ4T1G NSV40300MZ4T1G数据手册

NSV40300MZ4T1G封装设计

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