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NSS20200LT1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 180mV@ 200mA,2A PNP 540mW 7V 100nA 20V 20V 2A SOT-23-3,TO-236 贴片安装 2.9mm*1.3mm*940μm
供应商型号: UA-NSS20200LT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSS20200LT1G

NSS20200LT1G概述

    NSS20200LT1G, NSV20200LT1G PNP Transistor 技术手册

    产品简介


    NSS20200LT1G 和 NSV20200LT1G 是 ON Semiconductor 生产的 e2PowerEdge 系列低饱和电压(VCE(sat))晶体管,具有超低饱和电压和高电流增益能力。这些晶体管专为低压、高速开关应用而设计,特别适合需要经济高效能量控制的场合。典型应用包括直流-直流转换器和便携式、电池供电产品中的电源管理,如手机、掌上电脑、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器等。此外,它们还适用于存储设备中的低压电机控制、汽车行业的安全气囊部署和仪表盘控制。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): -20 Vdc
    - 集电极-基极电压 (VCBO): -20 Vdc
    - 发射极-基极电压 (VEBO): -7.0 Vdc
    - 连续集电极电流 (IC): -2.0 A
    - 峰值集电极电流 (ICM): -4.0 A
    - 静电放电 (ESD): HBM Class 3B, MM Class C
    - 热特性
    - 总器件耗散功率 (TA = 25°C): 460 mW,25°C以上每度降额 3.7 mW/°C
    - 结到环境的热阻 (RJA): 270 °C/W
    - 电气特性
    - 关断特性
    - 集电极-发射极击穿电压 (IC = -10 mA, IB = 0): -20 Vdc
    - 集电极-基极击穿电压 (IC = -0.1 mA, IE = 0): -20 Vdc
    - 发射极-基极击穿电压 (IE = -0.1 mA, IC = 0): -7.0 Vdc
    - 开启特性
    - 直流电流增益 (IC = -10 mA, VCE = -2.0 V): 250 - 300
    - 集电极-发射极饱和电压 (IC = -1.0 A, IB = -0.010 A): -0.013 V
    - 基极-发射极饱和电压 (IC = -1.0 A, IB = -0.01 A): -0.900 V
    - 开关特性
    - 传播延迟 (VCC = -15 V, IC = 750 mA, IB1 = 15 mA): 60 ns
    - 上升时间 (VCC = -15 V, IC = 750 mA, IB1 = 15 mA): 120 ns
    - 存储时间 (VCC = -15 V, IC = 750 mA, IB1 = 15 mA): 300 ns
    - 下降时间 (VCC = -15 V, IC = 750 mA, IB1 = 15 mA): 130 ns

    产品特点和优势


    - NSV前缀:适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。已通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力。
    - 无铅、无卤素、RoHS合规:符合环保标准,适合现代化电子产品需求。
    - 高电流增益:允许直接驱动PMU的控制输出,使其成为模拟放大器的理想组件。
    - 线性增益(Beta):确保稳定的工作状态,适用于多种电路设计。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:直流-直流转换器、便携式设备的电源管理、汽车仪表盘控制等。
    - 使用建议:在选择应用时,应考虑其适用温度范围(-55°C 到 +150°C),并确保连接正确以避免过载风险。使用过程中需注意散热管理,特别是在连续工作条件下。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NSS20200LT1G 和 NSV20200LT1G 具备广泛兼容性,可以与多种控制和电源管理设备配合使用。
    - 支持:ON Semiconductor 提供技术支持服务,涵盖技术咨询、售后支持和维护信息。可通过电话、电子邮件等多种方式联系技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 在高频应用中,饱和电压过高。
    - 解决方案: 检查电源电压和负载条件,必要时调整电路设计。
    - 问题2: 使用过程中出现温度过高的情况。
    - 解决方案: 改进散热设计,增加散热片或散热风扇以降低温度。
    - 问题3: 过载电流保护失效。
    - 解决方案: 检查电路保护设计,确保符合器件的最大额定值。

    总结和推荐


    NSS20200LT1G 和 NSV20200LT1G 是高性能的 PNP 晶体管,具有显著的优势和广泛的应用前景。其高电流增益、低饱和电压和出色的温度稳定性使得它在多种电路设计中表现出色。如果您正在寻找一种能够高效控制能量且适用于多种应用的晶体管,这两款产品无疑是一个值得考虑的选择。总体而言,我们非常推荐这两个型号的产品用于各种高压、高速开关应用。

NSS20200LT1G参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 20V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 180mV@ 200mA,2A
最大集电极发射极饱和电压 180mV@ 200mA,2A
配置 独立式
VCBO-最大集电极基极电压 20V
VEBO-最大发射极基极电压 7V
晶体管类型 PNP
最大功率耗散 540mW
集电极截止电流 100nA
集电极电流 2A
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*940μm
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSS20200LT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSS20200LT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSS20200LT1G NSS20200LT1G数据手册

NSS20200LT1G封装设计

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