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NSBC143EDP6T5G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 1mA,10mA 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 408W 500nA 50V 100mA SOT-963 贴片安装 1mm*800μm*370μm
供应商型号: FL-NSBC143EDP6T5G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSBC143EDP6T5G

NSBC143EDP6T5G概述


    产品简介


    双NPN偏置电阻晶体管(Bias Resistor Transistors)
    本系列数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。Bias Resistor Transistor(BRT)集成了单个晶体管及其内部的两个电阻(基极电阻和基极-发射极电阻),从而简化了电路设计并减少了板空间和组件数量。BRT广泛应用于汽车及其他需要独特站点和控制变更要求的应用场合。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 50 Vdc
    - 连续集电极电流 (IC): 100 mA dc
    - 输入正向电压 (VIN(fwd)): 30 Vdc
    - 输入反向电压 (VIN(rev)): 10 Vdc
    - 热阻(结到环境):MUN5232DW1: 670°C/W,NSBC143EDXV6: 350°C/W,NSBC143EDP6: 540°C/W
    - 工作温度范围: 结温及存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 断态特性
    - 集电极-基极截止电流 (ICBO): 最大100 nA dc
    - 集电极-发射极截止电流 (ICEO): 最大500 nA dc
    - 发射极-基极截止电流 (IEBO): 最大1.5 mA dc
    - 集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO): 最小50 Vdc
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO): 最小50 Vdc
    - 通态特性
    - 直流电流增益 (hFE): 最小15
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 最大0.25 Vdc
    - 输入电压(关态): 最小1.2 Vdc
    - 输入电压(开态): 最小2.4 Vdc
    - 输出电压(开态): 最大0.2 Vdc
    - 输出电压(关态): 最小4.9 Vdc
    - 输入电阻 R1: 3.3 kΩ至6.1 kΩ
    - 电阻比 R1/R2: 0.8至1.2

    产品特点和优势


    - 简化电路设计: 内置偏置电阻,减少外部电路设计复杂度。
    - 减少板空间: 集成式设计节省PCB空间。
    - 减少组件数量: 一个器件替代多个组件。
    - S和NSV前缀适用于汽车和其他应用: 满足AEC-Q101认证要求。
    - 无铅、卤素/溴化阻燃剂(FBR)自由且符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    这些器件广泛用于汽车和其他工业控制系统。例如,在传感器模块中,这些器件可以作为信号调节和放大电路的一部分。使用建议包括确保所有连接都正确安装,并遵循制造商的焊接和组装指南以避免损坏。在高电流和高温环境下使用时,建议进行热管理设计以确保良好的散热效果。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 本系列产品与市场上常见的其他SOT-363、SOT-563和SOT-963封装的晶体管和集成电路兼容。
    - 支持和服务: 供应商提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的安装指南、应用笔记和技术支持热线。

    常见问题与解决方案


    - Q1: 产品是否满足AEC-Q101认证要求?
    - A1: 是,这些器件经过AEC-Q101认证并可进行PPAP生产准备批准。
    - Q2: 在高温环境下如何确保可靠性?
    - A2: 通过选择适当的散热措施,如加装散热片或采用大尺寸散热器,可以有效降低工作温度,确保产品可靠运行。
    - Q3: 如何处理焊接过程中的微小裂纹问题?
    - A3: 严格按照供应商的焊接工艺流程操作,特别是注意焊点冷却时间和热分布,以避免裂纹产生。

    总结和推荐


    总的来说,双NPN偏置电阻晶体管在设计简单、成本节约方面具有明显优势。适合于需要简化电路设计和节省空间的应用场景,尤其是在汽车和其他需要高可靠性的环境中表现优异。推荐给那些寻求高效能和低成本解决方案的设计工程师。

NSBC143EDP6T5G参数

参数
晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
配置 -
集电极电流 100mA
最大集电极发射极饱和电压 0.25@ 1mA,10mA
集电极截止电流 500nA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 1mA,10mA
最大功率耗散 408W
长*宽*高 1mm*800μm*370μm
通用封装 SOT-963
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSBC143EDP6T5G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSBC143EDP6T5G数据手册

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NSBC143EDP6T5G封装设计

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