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30A02MH-TL-E

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 220mV@ 10mA,200mA PNP 600mW 5V 100nA 30V 30V 700mA MCPH-3 贴片安装 2mm(长度)*1.6mm(宽度)
供应商型号: 488-30A02MH-TL-ETR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) 30A02MH-TL-E

30A02MH-TL-E概述


    产品简介


    30A02MH:低频放大器及高速开关用PNP双极型晶体管
    30A02MH 是一款专为低频放大器和高速开关设计的PNP双极型晶体管,适用于小型电机驱动等领域。这款晶体管具有大电流容量、低饱和电压和小导通电阻的特点,使其在各种应用中表现出色。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): -30V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): -30V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): -5V
    - 集电极电流 (IC): -700mA
    - 脉冲集电极电流 (ICP): -1.4A
    - 集电极耗散功率 (PC): 600mW(安装在陶瓷基板上)
    - 结温 (Tj): 150°C
    - 存储温度 (Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 电气特性
    - 集电极截止电流 (ICBO): -30V时,集电极电流为0A时的值 ≤ -100nA
    - 发射极截止电流 (IEBO): -4V时,发射极电流为0A时的值 ≤ -100nA
    - 直流增益 (hFE): -2V,-10mA时 ≥ 200
    - 增益带宽积 (fT): -10V,-50mA时 ≥ 520MHz
    - 输出电容 (Cob): -10V,1MHz时 = 4.7pF
    - 开关时间
    - 导通时间 (ton): 35ns
    - 存储时间 (tstg): 125ns
    - 下降时间 (tf): 25ns

    产品特点和优势


    30A02MH 的主要特点是大电流容量、低饱和电压和小导通电阻,使其非常适合用于需要高效率和高性能的应用场合。具体来说:
    - 低饱和电压:典型值为580mΩ,使得在电流达到0.7A时仍能保持较低的饱和电压,从而减少损耗。
    - 小导通电阻:典型值为580mΩ,可以有效降低导通时的功率损耗。
    - 快速开关时间:其快速的导通时间和下降时间(分别为35ns和25ns),有助于提高系统的响应速度。
    这些特点使得 30A02MH 在低频放大器和高速开关领域具有很强的竞争优势,尤其是在需要高效且快速响应的应用中。

    应用案例和使用建议


    30A02MH 主要应用于低频放大器、高速开关和小型电机驱动。例如,在一个小型电机驱动电路中,使用 30A02MH 可以显著提高系统的效率和响应速度。为了确保最佳性能,以下是一些建议:
    - 布局设计:合理布置电路,尽量减小寄生电感和电容的影响。
    - 散热措施:由于其较高的集电极耗散功率(600mW),应注意适当的散热措施,避免过热导致性能下降。
    - 测试验证:在实际应用中,建议进行充分的测试验证,确保其符合预期的工作要求。

    兼容性和支持


    30A02MH 使用的封装是 MCPH3,符合JEITA、JEDEC标准的SC-70和SOT-323封装。这种封装小巧轻便,适合在狭小空间内安装。关于支持和服务,厂商提供详尽的技术文档和客户服务支持,确保用户能够轻松获取所需的信息和支持。

    常见问题与解决方案


    在使用过程中,用户可能会遇到一些常见的问题,以下是几个典型问题及其解决方案:
    - 问题1:如何选择合适的封装尺寸?
    - 解决方案:根据应用需求选择合适的封装,通常推荐使用SC-70或SOT-323封装,因为它们体积小且易于安装。
    - 问题2:如何防止过热?
    - 解决方案:通过适当的散热设计(如散热片或风扇)来确保设备在安全温度范围内运行。
    - 问题3:如何进行正确的电路设计?
    - 解决方案:参考厂商提供的技术手册,遵循推荐的电路布局和连接方式,确保电路设计符合要求。

    总结和推荐


    综上所述,30A02MH 是一款高性能、高可靠性的PNP双极型晶体管,特别适用于低频放大器和高速开关应用。其独特的特点,如大电流容量、低饱和电压和小导通电阻,使其在市场上具备很强的竞争力。我们强烈推荐使用这款产品,尤其是在需要高效和高性能的系统中。此外,厂商提供的优质技术支持和完善的文档资料将确保用户能够顺利地使用该产品。

30A02MH-TL-E参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 220mV@ 10mA,200mA
VCBO-最大集电极基极电压 30V
VEBO-最大发射极基极电压 5V
VCEO-集电极-发射极最大电压 30V
晶体管类型 PNP
最大功率耗散 600mW
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 220mV@ 10mA,200mA
集电极截止电流 100nA
集电极电流 700mA
配置 -
长*宽*高 2mm(长度)*1.6mm(宽度)
通用封装 MCPH-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

30A02MH-TL-E厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

30A02MH-TL-E数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR 30A02MH-TL-E 30A02MH-TL-E数据手册

30A02MH-TL-E封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.1062 ¥ 0.8889
6000+ $ 0.0964 ¥ 0.8066
9000+ $ 0.0914 ¥ 0.7647
15000+ $ 0.0857 ¥ 0.7175
21000+ $ 0.0824 ¥ 0.6896
30000+ $ 0.0792 ¥ 0.6624
75000+ $ 0.072 ¥ 0.6029
库存: 30000
起订量: 3000 增量: 1
交货地:
最小起订量为:3000
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