处理中...

首页  >  产品百科  >  NJVMJD128T4G

NJVMJD128T4G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 4V@ 80mA,8A PNP - Darlington 1.75W 5V 5mA 120V 120V 8A TO-252 贴片安装
供应商型号: NJVMJD128T4GOSTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 2500
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NJVMJD128T4G

NJVMJD128T4G概述

    MJD128T4G PNP Complementary Darlington Power Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    MJD128T4G 是一款专为表面贴装应用设计的互补达林顿功率晶体管(DPAK)。它主要适用于通用放大器和低速开关应用。此产品通过了UL 94 V-0认证,具备良好的电气特性和稳定性,可广泛应用于汽车及其他需要独特站点和控制变更要求的领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极电压:\( V{CEO} \leq 120 \) Vdc
    - 集电极-基极电压:\( V{CB} \leq 120 \) Vdc
    - 发射极-基极电压:\( V{EB} \leq 5 \) Vdc
    - 连续集电极电流:\( IC \leq 8 \) Adc
    - 基极电流:\( IB \leq 120 \) mAdc
    - 总耗散功率:
    - \( PD \leq 20 \) W (当 \( TC = 25^\circ \text{C} \))
    - \( PD \leq 1.75 \) W (当 \( TA = 25^\circ \text{C} \))
    - 热特性:
    - 结-外壳热阻:\( R{\theta JC} = 6.25 \) °C/W
    - 结-环境热阻:\( R{\theta JA} = 71.4 \) °C/W
    - 电气特性(\( TC = 25^\circ \text{C} \)):
    - 直流电流增益:\( h{FE} = 2500 \) (典型值)
    - 集电极-发射极饱和电压:\( V{CE(sat)} \leq 2 \) Vdc
    - 基极-发射极饱和电压:\( V{BE(sat)} \leq 4.5 \) Vdc

    3. 产品特点和优势


    - 集成内置保护:内置基极-发射极分流电阻。
    - 高直流增益:典型值为2500。
    - 良好的电气隔离:符合UL 94 V-0标准。
    - 静电放电保护:符合HBM 3B > 8000 V,MM C > 400 V。
    - AEC-Q101认证:适合汽车和其他严格要求的场合。
    - 无铅设计:符合环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 通用放大器:例如音视频信号放大。
    - 低速开关:如电机控制、电磁阀驱动等。
    使用建议:
    - 由于高直流增益,适合作为前置级放大器使用。
    - 在高电流负载下,注意散热,避免过热。
    - 使用时需考虑基极驱动电流,以确保足够的开关速度。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:可与多种微控制器和驱动电路配合使用。
    - 支持和服务:制造商提供详尽的技术文档和在线支持,包括详细的电路设计指南和测试方法。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的结温导致性能下降。
    - 解决方案:增加散热片或使用更大的散热器。

    - 问题2:静态电流过高。
    - 解决方案:检查电路设计,减少基极电流。

    - 问题3:开关速度慢。
    - 解决方案:优化驱动电路,增加基极驱动电流。

    7. 总结和推荐


    总结:
    - 优点:高增益、低功耗、良好的电气隔离和静电防护能力。
    - 推荐使用:由于其出色的电气特性和广泛的适用范围,非常适合在通用放大器和低速开关应用中使用。
    综上所述,MJD128T4G是一款功能强大且可靠的功率晶体管,特别适合需要高性能和高可靠性的应用场合。建议在设计时详细参考技术手册,以获得最佳使用效果。

NJVMJD128T4G参数

参数
配置 -
晶体管类型 PNP - Darlington
VCBO-最大集电极基极电压 120V
VEBO-最大发射极基极电压 5V
集电极截止电流 5mA
集电极电流 8A
最大功率耗散 1.75W
VCEO-集电极-发射极最大电压 120V
最大集电极发射极饱和电压 4V@ 80mA,8A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 4V@ 80mA,8A
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.38mm(Max)
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NJVMJD128T4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NJVMJD128T4G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NJVMJD128T4G NJVMJD128T4G数据手册

NJVMJD128T4G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ $ 0.3197 ¥ 2.6758
5000+ $ 0.2951 ¥ 2.4698
7500+ $ 0.2826 ¥ 2.3648
12500+ $ 0.2685 ¥ 2.2469
17500+ $ 0.2659 ¥ 2.2249
库存: 2500
起订量: 2500 增量: 1
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 6689.5
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886