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NSVMUN5137DW1T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 500nA 50V 100mA SC-70-6,SC-88-6 贴片安装
供应商型号: FL-NSVMUN5137DW1T1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVMUN5137DW1T1G

NSVMUN5137DW1T1G概述

    双极型PNP Bias电阻晶体管技术手册

    1. 产品简介


    本产品是一系列数字PNP晶体管,专门设计用于替换单个器件及其外部电阻偏置网络。这些Bias电阻晶体管(BRT)包含一个具有两个电阻的单个晶体管:基极串联电阻和基极-发射极电阻。通过将这些独立组件集成到单一器件中,BRT显著减少了系统成本和印刷电路板面积。
    应用领域:
    - 汽车及其它需要特定位置和控制变更要求的应用。
    - 需要简化电路设计的应用。
    - 空间有限的设计。
    - 高可靠性需求的应用。

    2. 技术参数


    最大额定值(TA = 25°C,除非另有说明):
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 50 Vdc
    - 连续集电极电流 (IC): 100 mA dc
    - 输入正向电压 (VIN(fwd)): 40 Vdc
    - 输入反向电压 (VIN(rev)): 10 Vdc
    电气特性(TA = 25°C):
    - 关断时集电极-基极截止电流 (ICBO): - - 100 nA dc
    - 关断时集电极-发射极截止电流 (ICEO): - - 500 nA dc
    - 关断时发射极-基极截止电流 (IEBO): - - 0.13 mAdc
    - 集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO): 50 Vdc
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO): 50 Vdc
    - 直流电流增益 (hFE): 80 ~ 140
    - 饱和电压 (VCE(sat)): - - 0.25 Vdc

    3. 产品特点和优势


    - 简化电路设计:集成的电阻网络减少了外部元件数量。
    - 减少电路板空间:紧凑封装有助于提高空间利用效率。
    - 减少组件数量:整合多个元件的功能到一个器件中。
    - 符合RoHS标准:无铅,卤素/溴化物/阻燃剂自由,符合环保要求。
    - 温度范围广:结温范围为-55°C至+150°C。

    4. 应用案例和使用建议


    根据手册提供的信息,这些器件适合用于汽车电子和高可靠性应用。例如,在某些汽车传感器或控制系统中,由于空间限制和高可靠性要求,采用BRT可以有效地简化电路并降低成本。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,请确保充分散热以防止过热。
    - 注意电源电压和电流,避免超过最大额定值。
    - 使用合适的焊盘尺寸来实现良好的热耗散性能。

    5. 兼容性和支持


    这些器件提供多种封装形式,包括SOT-363、SOT-563和SOT-963,适用于不同的应用需求。厂商提供了详细的电气特性和热特性信息,并提供了相应的技术支持和服务。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1: 设备过热。
    - 解决方案:确保使用适当的散热措施,例如添加散热片或改进PCB布局以增加热耗散。
    问题2: 设备失效。
    - 解决方案:检查电源电压和电流是否超过最大额定值。如果异常,请确认连接正确且无短路现象。
    问题3: 性能不稳定。
    - 解决方案:检查输入电压和电流是否在正常范围内,并确保接线无松动。

    7. 总结和推荐


    总结起来,这款双极型PNP Bias电阻晶体管以其紧凑设计、简化电路和高可靠性成为汽车及其他关键应用的理想选择。它不仅减少了系统的复杂性和成本,还满足了严格的环保要求。推荐在高可靠性要求和空间受限的应用中使用此产品。

NSVMUN5137DW1T1G参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
最大集电极发射极饱和电压 0.25@ 300µA,10mA
集电极截止电流 500nA
配置 -
晶体管类型 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极电流 100mA
VEBO-最大发射极基极电压 -
最大功率耗散 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VCBO-最大集电极基极电压 -
通用封装 SC-70-6,SC-88-6
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSVMUN5137DW1T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVMUN5137DW1T1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSVMUN5137DW1T1G NSVMUN5137DW1T1G数据手册

NSVMUN5137DW1T1G封装设计

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